جلد 13، شماره 3 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، پاییز 1392 )                   جلد 13 شماره 3 صفحات 283-287 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Z Nourbakhsh, M Lusk, S J Hashemifar, H Akbarzadeh. Nano structures of amorphous silicon: localization and energy gap. IJPR. 2013; 13 (3) :283-287
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1424-fa.html
زهرا نوربخش ، مارک لاسک ، سیدجواد هاشمی فر ، هادی اکبرزاده . نانوساختارهای بی‌نظم سیلیکون: جایگزیدگی و گاف انرژی. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1392; 13 (3) :283-287

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1424-fa.html


دانشگاه صنعتی اصفهان
چکیده:   (4444 مشاهده)
در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی حالت‌های جایگزیده در ناحیه گاف انرژی نانوساختارهای بی‌نظم سیلیکون مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. همچنین اهمیت اثر واهلش مکان اتم‌ها در تغییر گاف انرژی نشان داده شده است. با حذف 2% از اتم‌های سیلیکون با پیوندهای ضعیف و اضافه کردن هیدروژن به منظور از بین بردن پیوندهای آویزان، موفق به حذف این جایگزیدگی‌ها و افزایش گاف انرژی a-Si شدیم. میزان افزایش گاف در ازای هر درصد هیدروژن اضافه شده، برابر با حاصل شده است که با سایر نتایج نظری موجود در توافق است.
متن کامل [PDF 230 kb]   (1469 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
کد امنیتی را در کادر بنویسید

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2015 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb