جلد 13، شماره 3 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، پاییز 1392 )                   جلد 13 شماره 3 صفحات 309-309 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

A Mokhtari. Effective mass in diluted magnetic semiconductors: Zn0.98Ti0.02O by means of magneto-optics. IJPR. 2013; 13 (3) :309-309
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1427-fa.html
عباس مختاری . جرم مؤثر در نیمه هادی‌های مغناطیسی رقیق شده: با استفاده از مگنتواپتیک. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1392; 13 (3) :309-309

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1427-fa.html


دانشگاه آزاد اسلامی، واحد اراک
چکیده:   (4290 مشاهده)
نمونه‌هایی از فیلم‌های نازک اکسید روی آلاییده با تیتانیم رشد داده شده بر روی زیر لایه (0001) با استفاده از روش لایه نشانی با لیزر پالسی تهیه شد. با اندازه‌گیری مغناطش این نمونه‌ها توسط اسکویید مگنتومتر، نتیجه شد که نمونه‌ها در دمای اتاق فرو مغناطیس است. با استفاده از اثرمگنتو اپتیکی فارادی زاویه چرخش فاراده و MCD را به صورت تابعی از انرژی در فاصله 4- 5/1 الکترون ولت و همچنین چگالی حامل‌های هر یک از نمونه‌ها با استفاده از اثر هال اندازه‌گیری شدند. مشاهده شد گاف‌های نواری با چگالی حامل‌ها تغییر می‌کنند. از این روی جرم مؤثر حامل‌ها از طریق اثر بورستین- ماس و انقباض گاف‌های نواری محاسبه شده است.
متن کامل [PDF 78 kb]   (1455 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
کد امنیتی را در کادر بنویسید

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2015 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb

تحت نظارت وف بومی آسپا-وف