جلد 14، شماره 3 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، پاییز 1393 )                   جلد 14 شماره 3 صفحات 47-52 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Pazokian H, Mollabashi M, Jelvani S, Barzin J, Abolhoseini S. Formation of different microstructures on a polyethersulfone film following XeCl laser irradiation. IJPR. 2014; 14 (3) :47-52
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1642-fa.html
پازوکیان هدیه، ملاباشی محمود، جلوانی سعید، برزین جلال، ابوالحسینی شهریار. ایجاد میکروساختارهای مختلف روی فیلم پلی‌اترسولفون در اثر تابش لیزر XeCl. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1393; 14 (3) :47-52

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1642-fa.html


دکتر پژوهشکده لیزر و اپتیک، تهران ، h_pazokian@iust.ac.ir
چکیده:   (2746 مشاهده)

پارامترهای تابش لیزر به‌ویژه شاریدگی و تعداد پالس در ایجاد میکروساختارهای مختلف روی سطوح پلیمری در اثر تابش و در نتیجه بهبود خواص سطح در استفاده از آن در پزشکی، الکترونیک و دیگر صنایع اهمیت قابل ملاحظه‌ای دارد. اطلاع از محدوده‌های مختلف شارش و تعداد پالس در ایجاد ساختارهای مختلف از موارد مهم در تعیین اثرات مطلوب و یا ناخواسته تابش روی سطح به‌منظور استفاده از آن در کاربردهای مختلف است. در این مقاله فیلم پلی‌اترسولفون با لیزر XeCl در شارش‌های مختلف و بالای آستانه کندگی مورد تابش و ساختارهای مختلف ایجاد شده در اثر برهم‌کنش در شارش و تعداد پالس متفاوت مورد بررسی قرار گرفت

متن کامل [PDF 4239 kb]   (984 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
کد امنیتی را در کادر بنویسید

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2015 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb