جلد 14، شماره 3 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، پاییز 1393 )                   جلد 14 شماره 3 صفحات 89-93 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Ahmad A, Mohib-ul Haq M. A study of energy gap, refractive index and electronic polarizability of ternary chalcopyrite semiconductors. IJPR. 2014; 14 (3) :89-93
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1649-fa.html
احمد سجاد، محب الحق م. بررسی گاف انرژی، ضریب شکست و قطبش الکترونی نیمه هادی‌های chalcopyrite سه گانه. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1393; 14 (3) :89-93

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1649-fa.html


استاد بخش فیزیک رادیولوژی و زیست مهندسی، شری کشمیر، هندوستان ، sajadahmad777@yahoo.com
چکیده:   (2507 مشاهده)

رابطه ساده بین الکترونگاتیویتی اپتیکی، گاف انرژی، ضریب شکست و قطبش الکترونی برای نیمه هادی chalcopyrite سه گانه ارایه شده است. گاف انرژی از الکترونگاتیویتی اپتیکی برآورد شده و مقادیر ضریب شکست و قطبش الکترونی از گاف انرژی با در نظر گرفتن یک رابطه خطی بین آنها برآورد شده است. مقادیر محاسبه شده در توافق قابل قبولی با نتایج تجربی وپژوهش‌های پیشین است. بررسی حاضر نشان دهنده اهمیت رابطه بین این پارامترها می‌باشد

متن کامل [PDF 141 kb]   (1419 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
کد امنیتی را در کادر بنویسید

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2015 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb