جلد 17، شماره 3 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، تابستان 1396 )                   جلد 17 شماره 3 صفحات 457-463 | برگشت به فهرست نسخه ها



DOI: 10.18869/acadpub.ijpr.17.3.457

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Asefpour M T, Sahebsara P. Transport in quantum dots resonant tunneling diodes in non-interacting regime. IJPR. 2017; 17 (3) :457-463
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-2092-fa.html
آصف پور محمدتقی، صاحب سرا پیمان. ترابرد در دیودهای تونل‌زنی تشدیدی نقطه‌ کوانتومی در رژیم غیربرهم‌کنشی. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1396; 17 (3) :457-463

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-2092-fa.html


استادیار دانشگاه صنعتی اصفهان ، sahebsara@cc.iut.ac.ir
چکیده:   (420 مشاهده)

در این مقاله با استفاده از رهیافت تابع گرین، ترابرد را در یک دیود تونل‌زنی تشدیدی دوقطبی را در نظریه میکروسکوپی بررسی نموده‌ایم. برای این منظور با در نظر گرفتن هامیلتونی قسمت‌های مختلف دستگاه فوتوولتایی p-i-n به تفصیل، تابع گرین تک‌ذره‌ای الکترون‌ها و حفره‌ها را در تقریب تنگابست محاسبه کرده و سپس با استفاده از این تابع گرین محاسبه شده، چگالی موضعی حالت‌ها و چگالی جریان را به دست آورده‌ایم. نتایج نشان‌دهنده یک رفتار غیراهمی بوده و بیانگر یک مقاومت منفی در دیودهای تشدیدی تونل زنی است. علاوه بر این نتایج نشان می‌دهند که وجود یک میدان الکتریکی طولی منجر به این می‌شود که چگالی محلی حالت‌ها متناسب با پتانسیل اعمال شده تغییر نماید. علاوه بر این وارد نمودن نقاط کوانتومی باعث می‌شود که مقاومت دیفرانسیلی منفی ناشی از پدیده‌ تونل‌زنی تشدیدی در دستگاه مشاهده شود. از نتایج محاسبات بر روی این دیودها می‌توان در محاسبه جریان تاریک سلول‌های خورشیدی استفاده نمود.

متن کامل [PDF 370 kb]   (62 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
کد امنیتی را در کادر بنویسید

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2015 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb