جلد 16، شماره 2 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، تابستان 1395 )                   جلد 16 شماره 2 صفحات 173-177 | برگشت به فهرست نسخه ها



DOI: 10.18869/acadpub.ijpr.16.2.173

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Anajafi Z, Marandi M. Sol-gel growth of TiO2 nanocrystals in n-heptan and their deposition for application in dye sensitized solar cells. IJPR. 2016; 16 (2) :173-177
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-2126-fa.html
آنجفی زکیه، مرندی مازیار. رشد سل ژل نانوبلور‌های در محیط ان- هپتان و لایه‌نشانی آنها به منظور استفاده در سلول خورشیدی رنگ‌دانه‌ای. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1395; 16 (2) :173-177

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-2126-fa.html


گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه اراک، اراک ، zakie.anajafi66@gmail.com
چکیده:   (1262 مشاهده)

در این تحقیق نانوبلور‌های  به روش سل- ژل بر مبنای هیدرولیز پیش ماده تیتانیوم تترا ایزوپروپوکساید  در یک بستر روغنی از جنس  تهیه گردیدند. نقش محیط روغنی در این روش رشد، رقیق‌سازی مواد اولیه واکنش‌دهنده و در نهایت ایجاد قابلیت تشکیل نانوبلور‌های  با ابعاد کوچک‌تر و سطح مؤثر پودر بیشتر است. پخت نانو پودر ساخته شده در دمای  به مدت h 1 منجر به تهیه نانوذرات بلوری فاز آناتاز  گردید. در ادامه این نانوذرات با غلظت مناسب در یک محیط آبی حاوی پلی اتیلن گلایکول (PEG) به عنوان عامل ایجاد کننده چسبندگی و با اعمال فرایند حرارت‌دهی دمای پایین بصورت خمیر  درآمدند. خمیر تهیه شده به روش دکتر بلید بر روی شیشه رسانا  لایه‌نشانی گردید و فوتو‌آند سلول تهیه گردید. سپس سایر مراحل ساخت سلول خورشیدی رنگ‌دانه‌ای شامل جذب رنگ، ساخت شیشه هادی پلاتینه‌شده به عنوان الکترود شمارنده، تزریق الکترولیت ، بستن سلول انجام گرفت. طیف پراش پرتوی X تهیه شده از نانوذرات نشان دهنده تشکیل فاز بلوری آناتاز  بود. همچنین تصاویر  تهیه شده از سطح فوتوآند‌ها نشان دهنده تشکیل ذراتی کاملاً کروی بود. نمودار توزیع اندازه ذرات برگرفته از تصاویر  نیز نشان داد که اندازه ذرات در گستره  می‌باشد. بر اساس نتایج بهترین عملکرد سلول با استفاده از فوتوآند تهیه شده با نانوذرات   در ضخامت 15 میکرومتر حاصل شد. برای این سلول چگالی جریان اتصال کوتاه ، ولتاژ مدار باز ، عامل پرشدگی 55/0 و بازدهی تبدیل4/4% به دست آمد.

متن کامل [PDF 373 kb]   (378 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
کد امنیتی را در کادر بنویسید

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2015 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb