جلد 2، شماره 4 - ( 9-1379 )                   جلد 2 شماره 4 صفحات 201-206 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

R. Sabet-Dariani, A. Morteza Ali & H Nurani. Scattering characteristics from porous silicon. IJPR. 2000; 2 (4) :201-206
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-3-fa.html
رضا ثابت داریانی ، عبدالله مرتضی علی ، حکیمه نورانی . بررسی خواص پراکندگی سیلیکان متخلخل. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1379; 2 (4) :201-206

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-3-fa.html


چکیده:   (11932 مشاهده)
سیلیکان متخلخل (PS) بر اثر آندیزاسیون الکتروشیمیایی روی ویفر سیلیکان به وجود می آید. تاکنون تحقیقات فراوانی درباره چگونگی تشکیل این ماده و خواص نوری آن به ویژه فوتولومینسانس (PL) انجام شده, اما هنوز سازوکار دقیق آنها شناخته نشده است. در این مقاله ابتدا نظریه پراکندگی نور از سطوح ناهموار تصادفی و سپس انعکاس و پراکندگی, جذب و عبور نور از PS بررسی می شود و سرانجام کارهای عملی انجام شده بر روی نمونه هایی که ساخته ایم و مقایسه آنها با نظریه پراکندگی ارایه می شود.
متن کامل [PDF 687 kb]   (1937 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
کد امنیتی را در کادر بنویسید

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2015 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb