جلد 9، شماره 4 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، زمستان 1388 )                   جلد 9 شماره 4 صفحات 358-358 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Omar M, Abbas T. Magneto-Optical properties of GaP single crystal. IJPR. 2010; 9 (4) :358-358
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-455-fa.html
عمر مصطفی‌سعید، عباس طارق‌عبدالمجید. خواص مغناطو - اپتیکی تک بلور GaP. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1388; 9 (4) :358-358

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-455-fa.html


دانشگاه صلاح‌الدین عراق ، dr_m_s_omar@yahoo.com
چکیده:   (10900 مشاهده)
وابستگی دمایی مغناطو - اپتیکی و مغناطو - رسانش نوری در بازه 200 تا 300 کلوین اندازه‌گیری شده است. یخچال اپتیکی مورد اندازه‌گیری ساخت آزمایشگاه محلی است. برای این نمونه، گاف انرژی اندازه‌گیری شده در دمای اتاق eV 2.211 به‌‌دست آمد. ضریب دمایی گاف انرژی اندازه‌گیری شده با روش جذب نوری eV/K -5.48×10-4 و با اندازه‌گیری رسانش نوری eV/K -4.90×10-4 به‌دست آمد. اندازه‌گیری ضریب میدان مغناطیسی گاف انرژی نشان می‌دهد که این کمیت بستگی به دما دارد و با میدان مغناطیسی اعمال شده 2.2 تسلا در دمای 202 کلوین اندازه آن eV/Tesla 1.34×10-5 است در حالی که در دمای اتاق eV/Tesla 2.67×10-3 می‌باشد. جرم مؤثر کاهش یافته حاملان نیز از دو روش مذکور محاسبه شد که برای دمای 202 و 330 کلوین با استفاده از داده‌های مغناطو - اپتیکی به ترتیب 0.034m و 0.021m و برای داده‌های مغناطو – رسانش نوری 0.052m و 0.032m محاسبه شد.
متن کامل [PDF 85 kb]   (1725 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
کد امنیتی را در کادر بنویسید

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2015 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb