جلد 10، شماره 4 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، زمستان 1389 )                   جلد 10 شماره 4 صفحات 281-285 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Khanlary M, Ahmadi N. Investigation of ZnS thin layers by thermal evaporation method (PVD). IJPR. 2011; 10 (4) :281-285
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-593-fa.html
خانلری محمدرضا، احمدی ندا. بررسی خواص اپتیکی فیلم نازک ZnS به روش تبخیر در خلاء (PVD) . مجله پژوهش فيزيك ايران. 1389; 10 (4) :281-285

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-593-fa.html


چکیده:   (16037 مشاهده)
لایه‌های نازک ZnS در دو دمای مختلف زیر لایه 25oC و 200oC و در ضخامت‌های مختلف 100nm-600nm بر روی زیرلایه شیشه به روش تبخیر در خلاء لایه‌نشانی شدند. طیف جذب و عبور برای تعیین گاف انرژی، ضریب جذب و ثابت خاموشی نمونه‌ها تهیه گردید. از بررسی این طیف‌ها مشخص شد که با کاهش دمای زیر لایه گاف اپتیکی نمونه‌ها کاهش وبا کاهش ضخامت آنها گاف اپتیکی افزایش می‌یابد. این پدیده می‌تواند به اثر کوانتمی سایز ذرات نسبت داده شود.
متن کامل [PDF 385 kb]   (5729 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
کد امنیتی را در کادر بنویسید

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2015 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb