جلد 17، شماره 1 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، بهار 1396 )                   جلد 17 شماره 1 صفحات 121-132 | برگشت به فهرست نسخه ها
دانشگاه صنعتی مالک اشتر ، arostamnejadi@gmail.com
چکیده:   (1706 مشاهده)

در این تحقیق نانومنگنایت La0.7(Sr 1-xBax)0.3MnO3به صورت تک فاز و با اندازه بلورکهای بین 18 تا 28 نانومتر به روش سل ژل ساخته شده است. خواص ساختاری نمونه ها با اندازه گیری طیف پراش پرتو ایکس همراه با تحلیل ریتولد آنها و تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی بررسی شده است. خواص مغناطیسی با اندازه گیری پذیرفتاری مغناطیسی بر حسب دما و خواص الکتریکی با اندازه گیری مقاومت ویژه الکتریکی بر حسب دما و در حضور میدانهای مغناطیسی تاkOe  20 بررسی شده است. نتایج به دست آمده از پذیرفتاری مغناطیسی نشان می دهد که دمای کوری نمونه ها بالاتر از دمای اتاق است. اندازه گیری مقاومت الکتریکی نشان می دهد که دمای گذار فاز عایق-فلز در دو ترکیبAWT IMAGEو AWT IMAGE به دماهای پائین تر از دمای اتاق کاهش یافته است. با اعمال میدان مغناطیسی مقاومت الکتریکی این نمونه ها به شدت کاهش می یابد و در دماهای مختلف، مقدار مغناطومقاومت تقریباً به صورت خطی با افزایش میدان مغناطیسی افزایش می یابد. مقدار مغناطومقاومت در میدان اعمالیkOe 20 در نمونهAWT IMAGE در دمای 275 کلوین، % 10 و در دمای 200 کلوین% 14 است. این مقدار برای ترکیبAWT IMAGEدر دمای 275 کلوین، % 13ودر دمای 100 کلوین % 27 می باشد. مقادیر به دست آمده برای مغناطومقاومت برای کاربرد در سنسورهای مغناطیسی مناسب می باشند. تغییرات دیده شده در خواص الکتریکی نانو منگنایتAWT IMAGEبر حسب پراکندگی اسپینی حاملهای بار از مرزدانه ها و تونل زنی وابسته به اسپین آنها در بین دانه ها توصیف شده است.

متن کامل [PDF 764 kb]   (314 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي