@article { author = {}, title = {Fabrication and study of carbon nanotube by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD)}, journal = {Iranian Journal of Physics Research}, volume = {4}, number = {2}, pages = {103-108}, year = {2019}, publisher = {Isfahan University of Technology, The Physics Society of Iran}, issn = {1682-6957}, eissn = {2345-3664}, doi = {}, abstract = {}, keywords = {carbon nanotube,PECVD method}, title_fa = {ساخت نانولوله‌های کربنی چند دیواره به روش انباشت بخار شیمیایی پلاسمایی (PECVD) و بررسی نقش کاتالیزور و دما و مدت زمان آزمایش بر رشد نانولوله‌ها}, abstract_fa = {پس از کشف نانولوله های کربنی در سال 1991, برای اولین بار در ایران گروه ما موفق به رشد نانولوله های کربنی بر روی زیر لایه های سیلیکان لایه نشانی شده با کبالت در دمای 800?C و به روش انباشت بخار شیمیایی پلاسمایی (PECVD) شد. در این روش گازهای اتیلن(C2H4) با فلوی sccm 30 به عنوان منبع تامین کربن و نیتروژن (N2) با فلوی 15sccm به عنوان رقیق کننده استفاده شده است. در اینجا یک لایه نازک کبالت نقش کاتالیزور را به عهده دارد و نقش آن به عنوان اصلی ترین عامل در رشد نانولوله ها نشان داده شده است. همچنین نقش دما به عنوان دیگر عامل تعیین کننده بررسی شده است. در نهایت تصاویر SEM گرفته شده از نمونه هایی که با زمانهای متفاوت در معرض فلوی گاز قرار گرفته اند نشان دهنده رشد نانولوله ها با طولهایی وابسته به زمان آزمایش می باشد و این در حالی است که قطر آنها به قطر جایگاههای نانومتری روی سطح کاتالیزور بستگی دارد که آن هم به نوبه خود به ضخامت لایه کاتالیزور وابسته است.}, keywords_fa = {carbon nanotube,PECVD method}, url = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_584.html}, eprint = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_584_072a31110b64142a8a2585a2a424e611.pdf} } @article { author = {M. A. Bolorizadeh, and I. V. Mitchell,}, title = {Measuring the ultrashallow profiles of P implants into Si}, journal = {Iranian Journal of Physics Research}, volume = {4}, number = {2}, pages = {109-116}, year = {2019}, publisher = {Isfahan University of Technology, The Physics Society of Iran}, issn = {1682-6957}, eissn = {2345-3664}, doi = {}, abstract = {  We have initiated a study to extract concentration profiles of ultra shallow phosphorous implants in silicon complementing published work on ultra shallow boron implant profiles. There is an ever-increasing interest in the production of p-n junctions in silicon to create the new generations of ultra large scale integrated (ULSI) devices. Such junctions can be formed by implantation do pants (such as B, P, and As) at lowered energies. Development of design tools and process implementation both require that accurate methods be available for confirming absolute do pant profiles. Traditionally, profiles have been extracted through the use of secondary ion mass spectroscopy (SIMS), Rutherford backscattering spectroscopy (RBS), nuclear reaction analysis (NRA) and electrical measurements such as spreading resistance profilometry. Results of ion implanted species can be checked by SIMS (J.G.M. van Berkum, et al Vac. Sci. Technol. B16 (1998) 298). However, the analysis of ultra shallow implants by standard SIMS techniques is not straightforward and is weak in quantitative measurements. There are several reasons for this. First, standard methods of SIMS are hampered by limits on the instrumental sensitivity, which may not be adequate to examine very low-dose implants. Second, the accuracy in quantifying standard SIMS at very shallow depth is limited, due to an initial transitional region within which the sample composition equilibrates with the primary ion beam. This initial equilibration is characteristic of the SIMS technique, and is highly reproducible. Considerable effort has been expended in understanding the details of the equilibrium process, nevertheless, it is complicated even in the simplest of situations and continues to present problems for accurate quantification. Third, in specific situations high mass resolution required to separate the species of interest, or its proxy, from other mass groups, including impurity groups. Although there has been many investigations to extract quantitative profiles by SIMS using relative sensitivity factors (RSF), they can be reproduced 20-30% under more controlled conditions (R.G. Wilson, S.W. Novak, J. Appl. Phys. 69 (1991) 466). However, there is a need for other methods to normalize SIMS results.   RBS is a candidate to calibrate SIMS profiles, but lacks the sensitivity to detect phosphorous due to the proximity of its mass with the masses of Si isotopes. Nuclear reaction analysis (NRA), 31P( a ,p)34S, is a suitable method for phosphorous detection. This nuclear reaction displays a resonance in the cross section at an incident energy near 5 MeV. While the cross section for the 31P( a ,p)34S reaction is small, we are able to measure the absolute do pant concentration of phosphorous implants into Si down to fluences of 1 ´ 1014cm-2. This opens a route to the calibration of TOF SIMS integrated profiles for P, which may then be used for analysis of the lower fluence regime. Two sets of phosphorous implanted silicon wafers were prepared. Phosphorous doses in our samples ranged from 1 ´ 1013 cm-2 to 5 ´ 1015 cm-2 with the implanted energy of 1 keV to 30 keV. To date, no evidence was found for self-sputtering based on these samples.   The alpha capture reaction on phosphorous has been investigated in the field of nuclear physics to find the nuclear energy level of different isotopes. This reaction has been used in profiling P in silicon, but none to P concentrations and P implanted energies as low as those reported here. The present studies complement the work done on ultra shallow boron implant (Aditya Agarwal, et al Appl. Phys. Lett. 74 (1999) 2453).}, keywords = {depth profile,ultra shallow,phosphorous,Indium,silicon,SIMS,NRA,RBS}, title_fa = {اندازه‌گیری نمای فراوانی فسفر کشت شده فراسطحی در سیلیسیوم}, abstract_fa = {مطالعه ای را برای به دست آوردن نمای فراوانی فسفر(مقدار فسفر بر حسب عمق از سطح) فراسطحی و به منظور تکمیل مطالعات مشابه درمورد بر(B) شروع کرده‌ایم. کشت فراسطحی فسفر و بر, از نظر مطالعه, طراحی و ساخت تراشه های الکترونیک با چگالی زیاد اهمیت فراوان دارند. در این مقاله, گزارشی از چگونگی اندازه گیری نمای فراوانی فسفر با استفاده از ترکیب طیف نگاری جرمی, زمان پرواز یون ثانویه (TOF-SIMS) و تجزیه فرایند هسته ای 31P(?,P)34S تهیه شده است. با این که سطح مقطع این فرایند هسته ای کوچک است, امکان محسبه مقدار مطلق فسفر کشت شده در سیلیسیوم در عمق کمتر از nm 20 را ایجاد نموده ایم. به این منظور دو مجموعه از نمونه های سیلیسیوم را که درآن فسفر کشت شده بود تهیه کردیم. در یک مجموعه از نمونه ها, فسفر به مقدار 1´1014cm-2 تا 3´1015cm-2 با انرژی 8keV و در مجموعه نمونه دوم فسفر به مقدار 1´1013cm-2 تا 1´1015cm-2 با انرژی keV 1 تا keV 30 کشت شده است. در این مطالعه اثری از کنش خود به خودی دیده نشد.}, keywords_fa = {depth profile,ultra shallow,phosphorous,Indium,silicon,SIMS,NRA,RBS}, url = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_585.html}, eprint = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_585_7bd4c5019f8066d530be38eb28d8810e.pdf} } @article { author = {M. A. Shahzamanian, and M. Ghafari,}, title = {Calculation of the torque exerted on a narrow slab of a nematic liquid crystal in a high magnetic field}, journal = {Iranian Journal of Physics Research}, volume = {4}, number = {2}, pages = {117-124}, year = {2019}, publisher = {Isfahan University of Technology, The Physics Society of Iran}, issn = {1682-6957}, eissn = {2345-3664}, doi = {}, abstract = {  In this paper t he hydrodynamic equations for a narrow slab when the state of nematic liquid crystal is deformed slightly by a high magnetic field are solved. Then the components of velocities and the torque exerted on the torsional oscillator in which the slab is contained are calculated, and the changes in the resonant frequency are determined.}, keywords = {nematic liquid crystal,phase transition,surfaces and boundary condition,material and magnetic properties}, title_fa = {محاسبه گشتاور وارد بر تیغه نازک بلور مایع نماتیک در میدان مغناطیسی قوی}, abstract_fa = {دراین مقاله معادلات هیدرودینامیک برای یک تیغه نازک بلور مایع نماتیک که به صورت یک نوسانگر پیچشی است برای میدانهای مغناطیسی قوی نوشته شده و مولفه های سرعت مایع تا تقریب مرتبه اول و سپس گشتاور وارد بر تیغه محاسبه شده اشت. تغییرات بسامد تشدید نوسانگر در حضور بلور مایع نماتیک و پهنای خط آن ضمن آنکه گذار فردریکز را تایید می‌کند خود راهی برای بدست آوردن برخی از کمیتهای فیزیکی مایع است.}, keywords_fa = {nematic liquid crystal,phase transition,surfaces and boundary condition,material and magnetic properties}, url = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_586.html}, eprint = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_586_0f781edbcc75b7a91af0b2114cbad1b7.pdf} } @article { author = {M. R. Mohammadizadeh and M Akhavan, and M Akhavan,}, title = {Structural, electronic and flux dynamics of Gd(Ba2-xPrx)Cu3O7+& delta superconductor}, journal = {Iranian Journal of Physics Research}, volume = {4}, number = {2}, pages = {125-172}, year = {2019}, publisher = {Isfahan University of Technology, The Physics Society of Iran}, issn = {1682-6957}, eissn = {2345-3664}, doi = {}, abstract = {  The Gd(Ba2-xPrx)Cu3O single phase polycrystalline samples with 0.00 ≤ x ≤ 1.00 were investigated for structural, electronic and flux dynamic properties. An unusual hump on the resistivity vs. temperature curve of the samples has been observed for particular values of Pr doping. We have found that the Ba atom substitution at the rare earth site could lead to superconductivity in some parts of the grains at Tm~80-90K, which appears as a hump on the (T) curve. For all the samples, the two-dimensional variable range hopping (VRH) is a dominant conduction mechanism in the normal state. The Pr doping strongly localizes the carriers in the normal state, and finally causes the suppression of superconductivity. The effect of Pr substitution in 123 structure of HTSC at R or Ba site is to increase the pseudo gap temperature Ts, although, Pr at Ba site has a stronger effect on the increase of Ts and suppression of superconductivity. We have also extracted the two dimensionality aspects of HTSC through the similarities between superconductors, two-dimensional electron gas (2D-EG) i.e., MOSFETs, and the ultra thin films of conventional superconductors. The magneto resistance of the samples have been studied within thermally activated flux creep and the Ambegaokar and Halperin phase slip models. The derived critical current density, Hc2(T), Hc2(0), and superconducting coherence length show that the Pr- doping, like weak links, decreases the vortex flux pinning energy. Our results imply that understanding the real suppression mechanism of superconductivity by Pr doping in HTSC is connected unavoidably to determination of the exact position of Pr in the structure.}, keywords = {Gd(Ba2-xPrx)Cu3O7+ δ,Pr substitution,variable range hopping,pseudo gap,two dimensionality,magneto resistivity,flux dynamics}, title_fa = {خواص ساختاری، الکترونی و دینامیک شار ابررسانای Gd (Ba2-x) Cu3O7+δ}, abstract_fa = {به‌منظور مطالعه خواص ساختاری، الکترونی و دینامیک شار، نمونههای تک فاز و چند بلوری 0.00 ≤ x ≤ 1.00  Gd(Ba2-xPrx)Cu3O با  ساخته و مورد ارزیابی قرار گرفتند. نحوه تغییرات پارامترهای شبکه و حجم سلول واحد برحسب آلایش x) Pr )، مقدار اکسیژن بیشتر از 7، مشاهده حد حل‌پذیری و بروزگذار اورتورومبیک – تتراگونال برحسب x و عدم مشاهده هرگونه فاز ناخالصی بر پایه Gd همگی حاکی از حضور اتم Pr در مکان Ba است. چنین ادعایی از مقایسه کمیتهای بالا با موارد مشابه  در ترکیب و همچنین مقادیر مختلف آلایش بحرانی Pr برای بروز گذار ابررسانا- عایق در دو ترکیب بالا به خوبی قابل اثبات است. در بعضی از مقادیر آلایش Pr یک برآمدگی نامتعارف در منحنی در دمای حدود 80-90k مشاهده شد. حضور اتمهای Ba در مکان اتم نادر زمین (R) منجر به بروز ابررسانایی در برخی از نواحی دانهها شده است که به صورت یک برآمدگی در منحنی مشاهده میشود. رژیم غالب رسانشی فاز هنجار نمونهها، رسانش پرشی با برد متغیر در دو بعد  D-VRH) 2 ( به‌دست آمده است. آلایش Pr قویاً حاملها را در فاز هنجار جایگزیده کرده که سرانجام منجر به اضمحلال ابررسانش میشود. مقدار آلایش بحرانی Pr برای اضمحلال ابررسانایی (گذار ابررسانا- عایق) در ترکیب مورد مطالعه، 35/ 0 و برای مشاهده گذار فلز-عایق، 2/ 0 است. مطالعه ترکیبات دیگر ابررساناهای دمای بالا نیز حاکی از تمایز این دو گذار است. حضور Pr در مکان Ba در ساختار ترکیبات 123 HTSC ، افزایش دمای گشایش شبهگاف Ts و اضمحلال ابررسانش پایه 123 Gd- میشود. مطالعه Ts در دو ترکیب یاد شده نیز حاکی از اثر مخرب‌تر Pr در مکان Ba نسبت به مکان R است. نمودار فاز ارائه شده بر اساس تغییرات دمای گذار ابررسانایی و دمای گشایش شبهگاف برحسب میزان آلایش حفره شبیه نمودارهای فاز میدان متوسط ارائه شده همانند RVB 1 است. مقاومت مغناطیسی نمونهها نیز اندازهگیری شدند و در چارچوب مدلهای خزش شار و AH مورد بررسی قرار گرفتند. چگالی جریان بحرانی به‌دست آمده، Hc2(T), Hc2(0)  و طول همدوسی ابررسانایی نشان میدهند که آلایش Pr همانند ارتباطات ضعیف، انرژی میخکوبی شار مغناطیسی را کاهش میدهد. همچنین رفتار دو بعدی HTSC به‌خصوص ترکیبات اخیر در مقایسه با سیستمهای الکترونی دو بعدی یعنی MOSFET ها و لایههای بسیار نازک ابررساناهای متعارف مورد مطالعه قرار گرفتند. وجود شباهت‌های زیاد در این سیستم‌ها می‌تواند ناشی از منشأ فیزیکی یکسانی باشد. چنین مطالعه مقایسه‌ای می‌تواند فیزیک پیچیده ابررساناهای دمای بالا و گازهای الکترونی دو بعدی را بیشتر قابل ارزیابی قرار دهد. نتایج این تحقیق حاکی از اهمیت مکان Pr در ترکیبات 123 HTSC برای فهم سازوکار اضمحلال ابررسانش توسط آلایش Pr است. بنابراین، هر نظریه جامع باید براساس مکان Pr در سلول واحد ارائه شده و در مقایسه با نتایج تجربی نیز به ترتیبی، مکان Pr باید به‌طوردقیق تعیین شود.}, keywords_fa = {Gd(Ba2-xPrx)Cu3O7+ δ,Pr substitution,variable range hopping,pseudo gap,two dimensionality,magneto resistivity,flux dynamics}, url = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_587.html}, eprint = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_587_62654ec100dcad4ecd3f122ab39928d2.pdf} } @article { author = {A. Z. Moshfegh, and A. Reyhani,}, title = {Kinetics and mechanism of NH3 synthesis over Fe(100) and K/Fe(100) model catalysts}, journal = {Iranian Journal of Physics Research}, volume = {4}, number = {2}, pages = {173-182}, year = {2019}, publisher = {Isfahan University of Technology, The Physics Society of Iran}, issn = {1682-6957}, eissn = {2345-3664}, doi = {}, abstract = {  In this investigation kinetics and mechanism of NH3 synthesis over Fe(100) and K/Fe(100) model catalysts have been studied. In this context, adsorption kinetics of both N2/Fe (100) and H2/Fe (100)systems is initially investigated. By using statistical mechanic approach, we have determined the adsorption coefficient for N2 and H2 molecules as well as transition probability of different states of adsorption and dissociation of the reactants molecules. The effect of surface catalyst temperature on the reaction rate (TOF) is studied under different reactant partial pressures. The mechanism of NH3 synthesis is suggested based on LH surface reactions model. According to the obtained results, activation energy for the reaction over Fe (100) and K/Fe(100) (for θk=0.1ML) was determined 19.6 and 11.1 kcal/mole, respectively. The order of reaction on both catalysts with respect to P < sub>N2 and P < sub>H2 was unity and negative, respectively. Based on our data analysis, the NH3 synthesis obeys Temkin isotherm.}, keywords = {NH3 synthesis,kinetics and mechanism,Fe catalyst,potassium,activation energy}, title_fa = {بررسی سینتیک و سازوکار سنتز NH3 بر سطح کاتالیستهای مدل Fe(100) و K/Fe(100)}, abstract_fa = {در این تحقیق, سینتیک و سازوکار واکنش سنتز NH3 بر سطح دو کاتالیست مدل( Fe(100 و K/Fe (100) مورد مطالعه و بررسی قرار می گیرد. برای این کار, ابتدا سینتیک جذب سیستمهای (100)N2/Fe و(100)H2/Fe تحقیق گردید. با استفاده از محاسبات مکانیک آماری, ضریب جذب سطحی برای ملکولهای 2N و 2H و همچنین احتمال گذار حالات مختلف جذب و تجزیه آنها تعیین شد. سپس, تاثیر دما بر سطح کاتالیست و فشار گازهای N2 و H2 بر سرعت واکنش (TOF) بررسی گردید. پس از آن سازوکار سنتز آمونیاک توسط مدل واکنشهای سطحی LH پیشنهاد شد. بر اساس نتایج شبیه سازی به دست آمده, انرژی فعال سازی واکنش برای دو سیستم (100)Feو K/Fe (100) به ازای پوشش سطحی پتاسیم (qk=0.1) به ترتیب 19.6 kcal/mole و11.1 تعیین شد. همچنین مرتبه واکنش برای هر دو سیستم در بازه دما و فشار مور مطالعه برای PN2 واحد (نقش مثبت) و مستقل از دما وبرای PH2, منفی (نقش تخریبی) و وابسته به دما, به دست آمد. بر طبق تجزیه و تحلیل نتایج, پیروی سنتز آمونیاک از ایزوترم Temkin تائید گردید.}, keywords_fa = {NH3 synthesis,kinetics and mechanism,Fe catalyst,potassium,activation energy}, url = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_588.html}, eprint = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_588_be902629304e005c23f0fc9eef929b80.pdf} } @article { author = {M Azizi Shamami, and H Ghods, and J Rahighi, and J Dabiri,}, title = {Power measurement in Tehran research reactor (TRR) using 16N gamma ray activity}, journal = {Iranian Journal of Physics Research}, volume = {4}, number = {2}, pages = {183-190}, year = {2019}, publisher = {Isfahan University of Technology, The Physics Society of Iran}, issn = {1682-6957}, eissn = {2345-3664}, doi = {}, abstract = {  Interaction of fast neutrons with oxygen atoms of cooling water in reactor core leads to the production of 16N isotope which emits 6.13 MeV gamma ray. A system is developed to measure the 16N gamma ray activity using a5.08cm ×5.08cm NaI(Tl) detector. A suitable electronic system is used to count 16N gamma rays in different reactor powers in order to calibrate the 16N system in terms of reactor power. Some non-linearity in the system behavior have been observed and discussions have been presented for this effect.}, keywords = {fast neutrons,reactor power,16N gamma ray activity,non-linearity}, title_fa = {اندازه‌گیری قدرت راکتور تحقیقاتی تهران (TRR) با استفاده از فعالیت گامای ایزوتوپ 16N}, abstract_fa = {برهمکنش نوترون سریع با اکسیژن موجود در آب خنک کننده قلب رآکتور, تولید هسته رادیواکتیو 16N می کند. این هسته رادیواکتیو پرتو گامایی با انرژی 6.13 MeV گسیل می نماید. با شمارش گامای حاصل از این واپاشی به وسیله یک آشکارساز یدور سدیم NaI(Tl)φ5.08cm×5.08cm و با استفاده از رابطه خطی موجود بین فعالیت ایزوتوپ 16Nوتوان رآکتور, قدرت رآکتور را می توان تعیین کرد. جهت دریافت پاسخ مناسب, حفاظ آشکارساز طراحی و فاصله مناسب آن از لوله خروجی آب خنک کننده تنظیم گردید. با استفاده از الکترونیک تنظیم شده جهت شمارش پرتوی گامای 16N, شمارش قدرتهای مختلف انجام و سیستم بر حسب قدرت درجه بندی گردید. در این مقاله سعی شده است دلایل رفتار غیر خطی سیستم در قدرتهای بیشتر, مورد بحث و بررسی قرار گیرد.}, keywords_fa = {fast neutrons,reactor power,16N gamma ray activity,non-linearity}, url = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_589.html}, eprint = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_589_473b0670f45d15aeef07c7056300afb0.pdf} } @article { author = {S. M. Mostajabodda’vati, and A. Parvaresh, and E. Hassanzadeh,}, title = {Calculations of low laying energy levels of even-even Cd, Sn and Te isotopes in the “Interacting Boson Model” framework}, journal = {Iranian Journal of Physics Research}, volume = {4}, number = {2}, pages = {191-200}, year = {2019}, publisher = {Isfahan University of Technology, The Physics Society of Iran}, issn = {1682-6957}, eissn = {2345-3664}, doi = {}, abstract = {  The dynamical symmetries in even-even nuclei were investigated by Arima and Iachello in 1974, and led to a model called &ampquotInteracting Boson Model, (IBM)".   In this article we have outlined some basic ideas used in IBM-1 and carried out the calculations for low laying energy levels of even-even isotopes Cd, Sn and Te via PHINT code.   The calculations for energy and quadra pole moment transitions is done and compared to the available experimental data and IBM -.2 calculations, which shows quite good agreement.}, keywords = {nuclear models,dynamical symmetries,boson model,electromagnetic transitions}, title_fa = {محاسبه ترازهای انرژی پایین ایزوتوپهای زوج-زوج کادمیوم، قلع و تلور در چارچوب مدل بوزونی بر همکنش‌دار (IBM-1)}, abstract_fa = {در این مقاله ضمن معرفی مدل بوزونی برهمکنش دار, محاسبات مربوط به ترازهای انرژی پایین ایزوتوپهای زوج- زوج کادمیم, قلع و تلور در چارچوب مدل بوزونی برهمکنش دار ارائه می شود. محاسبات برای انرژی و گذارهای چهارقطبی الکتریکی ترازها انجام شده است و در هر مورد که داده تجربی یا محاسبات دیگری یافته ایم نتایج خود را با آنها مقایسه کرده ایم.}, keywords_fa = {nuclear models,dynamical symmetries,boson model,electromagnetic transitions}, url = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_590.html}, eprint = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_590_d65bf64232fcd1bb026c1696340be33f.pdf} } @article { author = {H. Salamati, and P. Kameli,}, title = {AC susceptibility of polycrystalline (Bi-Pb) 2223 superconductors}, journal = {Iranian Journal of Physics Research}, volume = {4}, number = {2}, pages = {201-208}, year = {2019}, publisher = {Isfahan University of Technology, The Physics Society of Iran}, issn = {1682-6957}, eissn = {2345-3664}, doi = {}, abstract = {  The temperature dependence of ac susceptibility of (Bi-Pb)2223 polycrystalline samples was measured as a function of frequency and ac field amplitude. Analysis of the temperature dependence of the AC susceptibility near the transition temperature (Tc) has been done employing Bean’s critical state model. The observed variation of intergranular critical current densities (Jc) with temperature indicates that the weak links are superconductor- normal metal-superconductor (SNS) type for this sample. The frequency effect on AC susceptibility was also measured. As the frequency increases, (TP < /sub> ) shifts to higher temperatures. This effect can be interpreted in terms of flux creep. The temperature T, and field, , dependence of activation energy obtained from the Arrhenius plot for the frequency ( f ) and ( TP < /sub>) , can be described as: U(Hac,T)=U0(1-T/TC)Hac-0.18}, keywords = {high-Tc superconductivity,AC susceptibility,activation energy}, title_fa = {بررسی پذیرفتاری مغناطیسی AC در ابررساناهای حجمی (Bi-Pb)2223}, abstract_fa = {در این مقاله وابستگی دمایی پذیرفتاری مغناطیسی AC در نمونه های چند بلوری (Bi1/6Pb0/4)Sr2Ca3Cu4OY که به روش واکنش حالت جامد ساخته شده اند, در میدانها و فرکانسهای مختلف اندازه گیری شده است. پهنای گذار در قسمت حقیقی و موهومی بستگی شدید به اندازه میدان مغناطیسی دارد. با استفاده از تغییرات دمای قله,TP بر حسب دامنه میدان, Hac وابستگی دمایی چگالی جریان بحرانی به صورت Jc ~[1-T/Tc]2 به دست می‌آید, که نشان دهنده پیوندگاههای ضعیف از نوع (SNS) است. تغییرات پذیرفتاری مغناطیسی ac با فرکانس نیز اندازه گیری شده است. با افزایش فرکانس جابه جایی کوچکی در دمای قله,Tp به سمت دماهای بالا صورت می گیرد. این اثر با پدیده خزش شار قابل توضیح است.}, keywords_fa = {high-Tc superconductivity,AC susceptibility,activation energy}, url = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_591.html}, eprint = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_591_ed9a89ace53fa18bd3b70f9fc71881e3.pdf} } @article { author = {M. H. Zandi, and A. Bahrampour,}, title = {A theoretical study of the injection locking TEA-CO2 laser}, journal = {Iranian Journal of Physics Research}, volume = {4}, number = {2}, pages = {209-215}, year = {2019}, publisher = {Isfahan University of Technology, The Physics Society of Iran}, issn = {1682-6957}, eissn = {2345-3664}, doi = {}, abstract = {  Several theoretical models for description of the injection locking lasers are presented by previous investigators. Nearly in all of these theories, the temporal and spatial variations of gain of the active medium is neglected. In these theories there levant difference equation of the boundary condition of the input mirror is approximated by an ordinary differential equation and solved. In this paper a classical model for the behavior of the active medium is presented and the governing equations are solved. The time variation of the output power for the injection frequencies are calculated. The results for several detuning angels are presented in this paper, the results are in good agreement with the previous published data.}, keywords = {injection locking,boundary condition,injection signal}, title_fa = {مطالعه نظری قفل‌شدگی تزریقی لیزر TEA-CO2}, abstract_fa = {روشهای مختلف برای شرح نظریه قفل شدگی تزریقی نوسانات لیزر وجود دارد. در اکثر این روشها شرایطی مرزی آینه ها به صورت معادله تفاضلی نوشته می شود. در نهایت با تقریب به یک معادله دیفرانسیل تبدیل و حل می گردد. ما سعی کردیم بر اساس معادلات ماکسول, معادله دیفرانسیل حاکم بر رفتار موج در داخل محیط را نوشته و حل نماییم. در نتیجه به راحتی وابستگی زمانی شدت لیزری که در یکی از مدهای طولی خود نوسان می کند به دست می آید.}, keywords_fa = {injection locking,boundary condition,injection signal}, url = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_592.html}, eprint = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_592_0a6a23004feb1d353504c9ddd589eaeb.pdf} } @article { author = {N. Maleki-Jirsaraei, and S. Baradaran, and B. Ghane-Motlagh, and E. Shekarian, and S. Rouhani,}, title = {Scaling of the wavelength of the strata and phase diagram, for the flow of binary granular mixture in a vertical Hele-Shaw cell}, journal = {Iranian Journal of Physics Research}, volume = {4}, number = {2}, pages = {217-222}, year = {2019}, publisher = {Isfahan University of Technology, The Physics Society of Iran}, issn = {1682-6957}, eissn = {2345-3664}, doi = {}, abstract = {}, keywords = {Hele-Shaw cell,kink,repose angle,segregation,stratification}, title_fa = {مقیاسبندی طول موج لایه‌بندی و دیاگرام فاز برای شار مخلوطهای دانه‌ای دوتایی در سلولهای هل-شاو عمودی}, abstract_fa = {شارش مخلوط دو ماده دانه ای شامل شن و شکر در یک سلول هل- شاو عمودی موجب پیدایش کپه هایی می شود که درآنها لایه بندی و جداسازی مشاهده می شود. مطالعه تجربی ما نشان می دهد که نسبت آهنگ شارش به فاصله دو جداره سلولها مشخص می کند که کدام یک از این دو اتفاق بیفتد. ما دیاگرام فاز مورفولوژی تپه ها را به صورت تابعی از آهنگ شارش و فاصله دیواره های سلول به دست آوردیم. دریافتیم که طول موج لایه بندی با این مقیاسبندی می شود. مشاهده کردیم که در هر آهنگ شارش حاصل ضرب طول موج و فاصله دیواره ها ثابت می ماند. بنابراین طول موج به صورت یک تابع هموگرافیک با فاصله دیواره های سلول تغییر می کند. لایه بندی دانه ها فقط در یک ناحیه محدود فضای پارامترها اتفاق می افتد. ما برای وجود این ناحیه در فضای فاز تعبیری ارائه می دهیم.}, keywords_fa = {Hele-Shaw cell,kink,repose angle,segregation,stratification}, url = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_593.html}, eprint = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_593_a3a1156243e58e4a3e730c71d3628d65.pdf} } @article { author = {S. A. Ketabi, and N. Shahtahmasebi,}, title = {Semiconductor-to-metal transition in trans-polyacetylene (the role of correlated solitons)}, journal = {Iranian Journal of Physics Research}, volume = {4}, number = {2}, pages = {223-223}, year = {2019}, publisher = {Isfahan University of Technology, The Physics Society of Iran}, issn = {1682-6957}, eissn = {2345-3664}, doi = {}, abstract = { In this study the nature of transition to metallic regime in trans-polyacetylene (trans-PA) is investigated. Based on Su-Schrieffer-Heeger (SSH) model and the use of Continued - Fraction Representation (CFR) as well as Lanczos algorithm procedure, we studied the effects of some selected soliton distributions on the semiconductor-to-metal transition in trans-PA.We found that,this transition occurs only when there exists a soliton sublattice in trans-PA, disordered soliton distributions and soliton clustering are the origin of the metallic transition in trans-PA, that is consistent with the experimental data. Our results show that in the presence of correlation between solitons, the disorder in accompanying single soliton distributions plays a crucial role in inducing the transition to metallic regime, so that in contrast to Anderson’s localization theorem, the electronic states near the Fermi level are extended, that is the most significant criteria for the metallic regime .}, keywords = {Lanczos algorithm and continued-fraction representation,polyacetylene,disorder and soliton,semiconductor-to-metal transition}, title_fa = {گذار نیمرسانا به فلز در پلی‌استیلن (trans-PA) (نقش سالیتونهای همبسته)}, abstract_fa = {در این مقاله ماهیت گذار به حالت فلزی در فاز ترانس پلی استیلن (trans-PA) بررسی می‌شود. بر پایه مدل SSH, استفاده از نمایش کسرهای دنباله دار(CFR) برای محاسبه تابع گرین و همچنین به کار بردن الگوریتم Lanczos, آثار توزیعهای منتخبی از سالیتونها بر چگونگی گذار نیمرسانا به فلز در پلی استیلن را مطالعه می کنیم. ما نتیجه می گیریم,الف- این گذار هنگامی رخ می دهد که یک زیر شبکه سالیتونی در ساختارtrans-PA وجود داشته باشد.ب- بی نظمی همراه با خوشه سازی سالیتونها منشاء گذار فلزی در trans-PA است, که با نتایج تجربی نیز سازگار می باشد. نتایج ما نشان می دهند که در صورت وجود همبستگی بین سالیتونها, بی نظمی در توزیع سالیتونهای منفرد نقش قاطعی در القای گذار به حالت فلزی بازی می کند به طوری که بر خلاف قضیه جایگزیدگی آن در سن, حالتهای الکترونی نزدیک تراز فرمی گسترده می شوند که مهمترین شرط برای یک حالت فلزی واقعی است.}, keywords_fa = {Lanczos algorithm and continued-fraction representation,polyacetylene,disorder and soliton,semiconductor-to-metal transition}, url = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_594.html}, eprint = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_594_814cc0a89cd9923177b31c13fabe0bf8.pdf} } @article { author = {H. Moradi,}, title = {Oscillation phenomenon of transition temperatures of coupled magnetic planes}, journal = {Iranian Journal of Physics Research}, volume = {4}, number = {2}, pages = {224-224}, year = {2019}, publisher = {Isfahan University of Technology, The Physics Society of Iran}, issn = {1682-6957}, eissn = {2345-3664}, doi = {}, abstract = {  Oscillatory behavior of transition temperature in supper lattice, Ni/Au/Ni, has been observed as a function of spacer layer, Au. The observed oscillation period is almost the half period of interlayer exchange coupling. The high temperature susceptibility of a two - dimensional lattice is evaluated within the Bethe-Peierls-Wiess approximation in the presence of a random field with square distribution. This susceptibility is used to evaluate the transition temperature of coupled planes as a function of spacer thickness. The calculated transition temperature of coupled planes oscillates as half period of interlayer exchange coupling and falls below the results of the uncoupled films at some values of the average spacer thickness that were experimentally observed. Additionally, the transition temperature depends on the distribution function of random field at the small thickness of spacer.}, keywords = {coupled magnetic planes,transition temperature,random field,interlayer exchange coupling}, title_fa = {فرضیه نوسانی دمای گذار فاز صفحات جفت شده مغناطیسی}, abstract_fa = {رفتار نوسانی دمای گذار فاز در ابر شبکه Ni/Au/Ni به صورت تابعی از ضخامت لایه میانی, Au, مشاهده شده است. دوره تناوب نوسانات مشاهده شده تقریبا نصف دور تناوب جفت شدگی مبادله ای بین لایه ای است . دراین مقاله پذیر رفتاری در دمای بالا برای یک شبکه دو بعدی با مدل بیس - پایرز- وایس در حضور میدان کاتوره ای با توزیع مربعی حساب گردیده است. از این پذیرفتاری برای محاسبه دمای گذار صفحات جفت شده به صورت تابعی از ضخامت صفحه میانی استفاده شده است. دمای گذار صفحات جفت شده به صورت تابعی با نصف دوره تناوب جفت شدگی بین لایه ای نوسان می کند. مد بعضی از مقادیر ضخامت صفحات میانی کمتر از دمای گذار یک صفحه منزوی است که با نتایج تجربی همخوانی دارد. علاوه بر این, دمای گذار به توزیع میدان کاتوره ای در ضخامتهای کم صفحه میانی بستگی دارد.}, keywords_fa = {coupled magnetic planes,transition temperature,random field,interlayer exchange coupling}, url = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_595.html}, eprint = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_595_de4292c0d48e01c7bbb03c376af8da9e.pdf} }