@article { author = {Rostamnejadi, َAli and Safa, Mehdi}, title = {Electrical properties and granular magnetoresistance in nanomanganite}, journal = {Iranian Journal of Physics Research}, volume = {17}, number = {1}, pages = {121-132}, year = {2019}, publisher = {Isfahan University of Technology, The Physics Society of Iran}, issn = {1682-6957}, eissn = {2345-3664}, doi = {10.18869/acadpub.ijpr.17.1.121}, abstract = {In this research single phaseLa0.7(Sr 1-xBax)0.3MnO3(x =0, 0.1 , 0.2 , 0.3) nanomanganite with crystalline size of 18-28 nm have been prepared by sol gel method. The structural properties have been studied using X-ray diffraction spectra with its Rietveld analysis and scaning electron microscope images. The magnetic and elctrical properties have been investigated by measuring the ac magnetic susceptibility and resistivity in the presence of magnetic fields in the range of 0-20 kOe. The obtained results from ac magnetic susceptibility show that the Curie temperture of the samples are above room temperture. The results of resistivity show that the metal-insulator phase transition temperture of and compounds are below room temperture. The resistivity of the samples strongly decreases and their magnetoresistance almost linearly increases by incrasing the applied magnetic field at different tempertures. The value of magnetoresistance for compound is 10 % and 14 % at 275 K and 200 K, and for compound is 13 %  and 27 % at 275 K and 100 K, respectively which are suitable for magnetic field sensing applications. The magneto-transport properties of nanomanganite are described in terms of spin dependent scattering of charge carriers from grain boundaries and their spin dependent tunneling between grains. }, keywords = {nanomanganite,resistivity,granular magnetoresistance,spin dependent scattering and tunelling,magnetic susceptibility}, title_fa = {خواص الکتریکی و مغناطو مقاومت بین دانه ای در نانو منگنایت La0.7(Sr 1-xBax)0.3MnO3}, abstract_fa = {در این تحقیق نانومنگنایت La0.7(Sr 1-xBax)0.3MnO3به صورت تک فاز و با اندازه بلورکهای بین 18 تا 28 نانومتر به روش سل ژل ساخته شده است. خواص ساختاری نمونه ها با اندازه گیری طیف پراش پرتو ایکس همراه با تحلیل ریتولد آنها و تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی بررسی شده است. خواص مغناطیسی با اندازه گیری پذیرفتاری مغناطیسی بر حسب دما و خواص الکتریکی با اندازه گیری مقاومت ویژه الکتریکی بر حسب دما و در حضور میدانهای مغناطیسی تاkOe  20 بررسی شده است. نتایج به دست آمده از پذیرفتاری مغناطیسی نشان می دهد که دمای کوری نمونه ها بالاتر از دمای اتاق است. اندازه گیری مقاومت الکتریکی نشان می دهد که دمای گذار فاز عایق-فلز در دو ترکیبو  به دماهای پائین تر از دمای اتاق کاهش یافته است. با اعمال میدان مغناطیسی مقاومت الکتریکی این نمونه ها به شدت کاهش می یابد و در دماهای مختلف، مقدار مغناطومقاومت تقریباً به صورت خطی با افزایش میدان مغناطیسی افزایش می یابد. مقدار مغناطومقاومت در میدان اعمالیkOe 20 در نمونه در دمای 275 کلوین، % 10 و در دمای 200 کلوین% 14 است. این مقدار برای ترکیبدر دمای 275 کلوین، % 13ودر دمای 100 کلوین % 27 می باشد. مقادیر به دست آمده برای مغناطومقاومت برای کاربرد در سنسورهای مغناطیسی مناسب می باشند. تغییرات دیده شده در خواص الکتریکی نانو منگنایتبر حسب پراکندگی اسپینی حاملهای بار از مرزدانه ها و تونل زنی وابسته به اسپین آنها در بین دانه ها توصیف شده است.}, keywords_fa = {نانومنگنایت,مقاومت ویژه,مغناطومقاومت بین دانه ای,پراکندگی و تونل زنی اسپینی,پذیرفتاری مغناطیسی}, url = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_1240.html}, eprint = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_1240_4c48c5bbab2d0fcb941b62ed147a2729.pdf} }