@article { author = {Behzad, S and Chegel, R}, title = {Investigation the Optical Properties and thermal conductivity of N-doped Carbon Nanotubes in the presence of Electric field}, journal = {Iranian Journal of Physics Research}, volume = {18}, number = {4}, pages = {577-586}, year = {2019}, publisher = {Isfahan University of Technology, The Physics Society of Iran}, issn = {1682-6957}, eissn = {2345-3664}, doi = {10.29252/ijpr.18.4.577}, abstract = {The optical properties and thermal conductivity of carbon nanotubes in the presence of Nitrogen doping and electric field investigated via the Green's function method and tight binding approximation. The doping and external fields lead to modifications in the density of state (DOS), optical properties, electrical and thermal conductivity. The band gap decreases by the electric field until reaches zero and nanotubes with larger radius are more sensitive than small ones. The number and energies of peaks in the in the DOS and optical spectra are dependent on the electric field strength and doping concentration. The electrical and thermal conductivity increases with temperature until reaches maximum value then decreases. The behaviors of these parameters in the external electric field are different for pure and doped systems. By increasing the doping concentration and electric field strength, they decreases in higher temperature.}, keywords = {nanotube,tight binding approximation,Optical properties,thermal conductivity,nitrogen impurity}, title_fa = {بررسی خواص اپتیکی و هدایت گرمایی نانوتیوب‌های کربن آلاییده با نیتروژن در حضور میدان الکتریکی}, abstract_fa = {در این مقاله، خواص اپتیکی و ظرفیت گرمایی نانوتیوب‌های کربنی آلاییده با اتم نیتروژن در حضور میدان الکتریکی خارجی، با استفاده از روش تابع گرین در تقریب تنگ بست بررسی شده است. افزودن ناخالصی و اعمال میدان‌های خارجی باعث ایجاد تغییرات در چگالی حالت‌ها، خواص اپتیکی، رسانندگی الکتریکی و هدایت گرمایی نانوتیوب‌های کربنی می‌شود. گاف انرژی با افزایش اندازه میدان الکتریکی کاهش یافته و به صفر می‌رسد و این اثرات در نانوتیوب‌های با شعاع بزرگ‌تر بیشتر است. تعداد و انرژی ‌قله‌ها در طیف چگالی حالت‌ها و طیف اپتیکی به مقدار میدان الکتریکی و درصد ناخالصی بستگی دارد. در این دسته از نانوتیوب‌ها، رسانندگی الکتریکی و هدایت گرمایی با دما افزایش یافته و پس از رسیدن به مقدار بشینه مجدداً کاهش می‌یابد. در حضور میدان، رفتار نانوتیوب‌های خالص و آلاییده متفاوت است. در محدوده دمایی بزرگ، با افزایش درصد ناخالصی و افزایش شدت میدان، مقدار پارامترهای محاسبه شده برای نانوتیوب‌های خالص و آلاییده کاهش می‌یابد}, keywords_fa = {نانوتیوب,تقریب تنگ بست,خواص اپتیکی,هدایت گرمایی,ناخالصی نیتروژن}, url = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_1393.html}, eprint = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_1393_f5e7d65c810bf098a80967492a89d026.pdf} }