@article { author = {Souad, Dif and Benramache, Said and Ammari, Abdelfateh and Gahtar, Abdelouahab}, title = {Effect of substrate temperature on the structural, optical, electrical, and morphological properties of zinc oxide thin films}, journal = {Iranian Journal of Physics Research}, volume = {22}, number = {3}, pages = {185-191}, year = {2022}, publisher = {Isfahan University of Technology, The Physics Society of Iran}, issn = {1682-6957}, eissn = {2345-3664}, doi = {10.47176/ijpr.22.3.01590}, abstract = {The present paper reports on the effect of substrate temperature on the physical properties of zinc oxide (ZnO) thin films deposited using spray-pyrolysis technique. The films exhibit a polycrystalline nature with a preferred orientation along [002]. Furthermore, the average crystallites size increases with increasing the substrate temperature. The scanning electron microscopy results showed that the films were evenly distributed and homogeneous. The average optical transmittance varies in the range of 62 to 90% depending on the substrate temperature. On the other hand, with increasing the substrate temperature, the absorption coefficient decreases and the optical band gap varies in the range of 3.25 - 3.28 eV. The electrical conductivity of films varies between 18 and 58 mS.cm-1.}, keywords = {ZnO thin films,substrate temperature,spray-pyrolysis,morphology,optical band gap,electrical conductivity}, title_fa = {تأثیر دمای بستر بر ویژگی‌های ساختاری، نوری، الکتریکی و ریخت‌شناسی لایه‌های نازک اکسید روی}, abstract_fa = {مقاله حاضر تأثیر دمای بستر را بر ویژگی‌های فیزیکی لایه‌های نازک اکسید روی (ZnO) رسوب‌شده با استفاده از روش افشانه پیرولیز گزارش می‌کند. این لایه‌ها ماهیتی بس‌بلوری با جهت‌گیری ترجیحی در امتداد [002] نشان می‌دهند. علاوه بر این، اندازۀ متوسط بلورک‌ها‌ با افزایش دمای بستر افزایش می‌یابد. نتایج میکروسکوپ الکترونی روبشی نشان داد که لایه‌ها به طور یکنواخت و همگن توزیع شده‌اند. میانگین عبور اپتیکی، بسته به دمای بستر، بین 62 تا 90 درصد متغیر است. از طرف دیگر، با افزایش دمای بستر، ضریب جذب کاهش می‌یابد و گاف نواری اپتیکی در محدودۀ 3٫25 – 3٫28 الکترون‌ولت تغییر می‌کند. رسانش الکتریکی لایه‌ّها نیز بین (mS.cm-1) 18 تا 58 متغیر است.}, keywords_fa = {لایه‌های نازک ZnO,دمای بستر,اسپری پیرولیز,ریخت‌شناسی,گاف نواری اپتیکی,رسانش الکتریکی}, url = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_3303.html}, eprint = {https://ijpr.iut.ac.ir/article_3303_df79ef7c781386520d1270b0da44ca22.pdf} }