%0 Journal Article %T جرم مؤثر در نیمه هادی‌های مغناطیسی رقیق شده: با استفاده از مگنتواپتیک %J مجلۀ پژوهش فیزیک ایران %I انجمن فیزیک ایران ناشر: دانشگاه صنعتی اصفهان %Z 1682-6957 %A عباس مختاری, %D 2019 %\ 11/26/2019 %V 13 %N 3 %P 309-309 %! جرم مؤثر در نیمه هادی‌های مغناطیسی رقیق شده: با استفاده از مگنتواپتیک %K نیمه هادی‌های مغناطیسی رقیق شده %K MCD %K جرم مؤثر %K اثر بورستین- ماس %K انقباض گاف‌های نواری %R %X نمونه‌هایی از فیلم‌های نازک اکسید روی آلاییده با تیتانیم رشد داده شده بر روی زیر لایه (0001) با استفاده از روش لایه نشانی با لیزر پالسی تهیه شد. با اندازه‌گیری مغناطش این نمونه‌ها توسط اسکویید مگنتومتر، نتیجه شد که نمونه‌ها در دمای اتاق فرو مغناطیس است. با استفاده از اثرمگنتو اپتیکی فارادی زاویه چرخش فاراده و MCD را به صورت تابعی از انرژی در فاصله 4- 5/1 الکترون ولت و همچنین چگالی حامل‌های هر یک از نمونه‌ها با استفاده از اثر هال اندازه‌گیری شدند. مشاهده شد گاف‌های نواری با چگالی حامل‌ها تغییر می‌کنند. از این روی جرم مؤثر حامل‌ها از طریق اثر بورستین- ماس و انقباض گاف‌های نواری محاسبه شده است. %U https://ijpr.iut.ac.ir/article_1044_277bdad19bac5885b19f4a578f847e91.pdf