%0 Journal Article %T بررسی یکنواختی لایه نازک SiO2 ، تولید شده با روش تبخیر باریکه الکترون و تبخیر گرمایی %J مجلۀ پژوهش فیزیک ایران %I انجمن فیزیک ایران ناشر: دانشگاه صنعتی اصفهان %Z 1682-6957 %A شکوری, رضا %A حیدری, حسن %D 2019 %\ 11/26/2019 %V 17 %N 4 %P 621-628 %! بررسی یکنواختی لایه نازک SiO2 ، تولید شده با روش تبخیر باریکه الکترون و تبخیر گرمایی %K دی اکسید سیلیسیم %K منواکسید سیلسیم %K یکنواختی %K ضریب شکست %R 10.29252/ijpr.17.4.621 %X در این مقاله لایه نازک دی‌اکسید‌سیلیسیم، SiO2، با دو روش تولید شده است: در روش اول، SiO2 مستقیماً توسط تفنگ الکترونی تبخیر می‌شود و هم‌زمان برای جبران کمبود اکسیژن، گاز اکسیژن به محیط تزریق می‌شود. در روش دوم، منواکسید‌سیلسیم، SiO، توسط تبخیر گرمایی بخار می‌شود و در حین تبخیر آن، زیر لایه با یون‌های اکسیژن که توسط یک منبع یون تولید شده‌اند بمباران می‌شود. ضریب شکست، ضریب خاموشی و ضخامت لایه به کمک حل عددی روابط عبور و بازتاب محاسبه شده‌اند. از میزان جابه‌جایی منحنی عبور مقدار نایکنواختی لایه محاسبه شده است. نتایج نشان می‌دهد که اگر مقدار جریان و انرژی یون‌های اکسیژن به طور مناسب انتخاب شوند، لایه SiO2 تولید شده در روش دوم، جذب ندارد. به علاوه لایه SiO2 تولید شده توسط روش دوم به مراتب یکنواخت‎تر از لایه تولید شده با روش اول می‌باشد. %U https://ijpr.iut.ac.ir/article_1299_b25657d368dfd8dc3ee41641a91abd2e.pdf