%0 Journal Article %T مطالعه خواص کشسانی و پیزوالکتریکی مواد دوبعدی شش گوشی ترکیبات دوتایی عناصر گروه III-V بر اساس محاسبات اصول اولیه %J مجلۀ پژوهش فیزیک ایران %I انجمن فیزیک ایران ناشر: دانشگاه صنعتی اصفهان %Z 1682-6957 %A نوروزی, صادق %A شاه طهماسبی, ناصر %A بهدانی, محمد %A رضائی رکن آباد, محمود %D 2019 %\ 11/26/2019 %V 19 %N 1 %P 89-100 %! مطالعه خواص کشسانی و پیزوالکتریکی مواد دوبعدی شش گوشی ترکیبات دوتایی عناصر گروه III-V بر اساس محاسبات اصول اولیه %K پیزوالکتریسیته %K مواد دوبعدی %K ترکیبات دوتایی III–V %K نظریه تابعی چگالی اختلالی %R 10.29252/ijpr.19.1.10 %X در این پژوهش، با استفاده از روش امواج تخت در چارچوب نظریه تابعی چگالی، ضرایب مستقل کشسانی، تنش و کرنش پیزوالکتریک در دو حالت یون منجمد و یون واهلش برای هفت مورد از ترکیبات دو بعدی پایدار XY (X:B,Al,Ga,In ; Y:N,P,As,Sb) با ساختار شش گوشی محاسبه شده‎اند. محاسبات ضرایب از روش‎های نظریه تابعی چگالی اختلالی(DFPT)  و تغییرات معین (FD) با توافق بسیار خوب صورت گرفته است. در نتایج نشان داده شده است که هفت ترکیب GaN, AlN, BSb, BAs, BP, BN و InN ساختاری لانه زنبوری و قطبیده دارند و این دسته از مواد به دلیل تقارن سه گانه فقط دارای دو ضریب مستقل کشسانی و یک ضریب مستقل تنش یا کرنش پیزوالکتریک می‎باشند. از میان هفت مورد، بیشترین ضرایب کرنش پیزوالکتریک در حالت یون واهلش برای  AlN با ضریب d11=3.05 pm/V و InN با ضریب d11=7.01 pm/V برآورد شده است. این گروه از مواد دوبعدی قطبیده که به طور همزمان دارای خاصیت نیمرسانایی و پیزوالکتریکی هستند، کاندیدای خوبی برای کاربرد در شاخه جدید نانوتکنولوژی به نام نانوپیزوترونیک می باشند. %U https://ijpr.iut.ac.ir/article_1417_5b306a2dd571a492286db666434d0c20.pdf