%0 Journal Article %T لایه‌نشانی نانوذرات کادمیوم تلوراید روی زیرلایه‌های رسانای شفاف به روش تبخیر حرارتی %J مجلۀ پژوهش فیزیک ایران %I انجمن فیزیک ایران ناشر: دانشگاه صنعتی اصفهان %Z 1682-6957 %A قلی زاده آرشتی, مریم %A بابازاده حبشی, لیدا %A کمالیان, منیر %A حسنی, ابراهیم %D 2022 %\ 05/22/2022 %V 22 %N 1 %P 71-78 %! لایه‌نشانی نانوذرات کادمیوم تلوراید روی زیرلایه‌های رسانای شفاف به روش تبخیر حرارتی %K کادمیوم تلوراید %K لایه‌نشانی تبخیر حرارتی %K گاف انرژی %K اندازۀ بلورینگی %K ضریب خاموشی %R 10.47176/ijpr.22.1.71278 %X نانوذرات کادمیوم تلوراید با روش تبخیر حرارتی در دمای زیرلایۀC °200 و فشار  بر روی زیرلایه­ های شیشه­ ای که با لایه­ های نازک شفاف و رسانای اکسید ایندیم آلاییده به قلع (ITO) و اکسید قلع آلاییده شده با فلورین (FTO) پوشش داده شده است، لایه نشانی شد. ضخامت لایه‌های تهیه شده حدود nm200 تعیین شد. ساختار، خواص اپتیکی، الکتریکی و ریخت‌شناسی سطح لایه ­ها به ترتیب توسط پراش پرتو ایکس (XRD)، طیف سنجی فرابنفش- مرئی (UV-Vis)، مشخصه ­یابی جریان-ولتاژ (I-V) و میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) تحلیل شدند. طیف­های XRD ساختار مکعبی لایۀ نازک کادمیوم تلوراید لایه ­نشانی شده بر روی هر دو زیرلایۀ ITO و FTO را نشان می­دهند. جهت­ گیری ترجیحی فیلم­های لایه ­نشانی شده نیز از راستای (۱۱۱) برای زیرلایۀ ITO به (220) برای زیرلایۀ FTO تغییر کرد. اندازۀ بلورینگی لایه ­ها روی ITO و FTO در این راستاها به ترتیب برابر با حدود 23/41 و 34/84 نانومتر به دست آمد. با استفاده از طیف سنجی UV-Vis در محدودۀ طول موج nm 200-1200 طیف­های عبور از لایه­ های نازک مشخص شد. گاف انرژی اپتیکی لایه های نازک روی زیرلایه ­های ITO و FTO به ترتیب eV 1/60 و  eV1/63 محاسبه شد. منحنی I-V رسانایی الکتریکی بیشتر لایۀ نازک کادمیوم تلوراید بر روی FTO را در مقایسه با ITO نشان می­دهد. تصاویر ریخت‌شناسی سطح، همگنی و یکنواختی سطح را نشان می­دهد‏. %U https://ijpr.iut.ac.ir/article_1765_1d65312560dd3b34108dd7c9112ee560.pdf