%0 Journal Article %T اندازه‌گیری نمای فراوانی فسفر کشت شده فراسطحی در سیلیسیوم %J مجلۀ پژوهش فیزیک ایران %I انجمن فیزیک ایران ناشر: دانشگاه صنعتی اصفهان %Z 1682-6957 %A محمد بلوریزاده, %A ایان میچل, %D 2019 %\ 11/26/2019 %V 4 %N 2 %P 109-116 %! اندازه‌گیری نمای فراوانی فسفر کشت شده فراسطحی در سیلیسیوم %K نمای فراوانی عمق %K کنش خودبه‌خودی %K فسفر %K ایندیوم %K سیلیسیم SIMS %K NRA %K RBS %R %X مطالعه ای را برای به دست آوردن نمای فراوانی فسفر(مقدار فسفر بر حسب عمق از سطح) فراسطحی و به منظور تکمیل مطالعات مشابه درمورد بر(B) شروع کرده‌ایم. کشت فراسطحی فسفر و بر, از نظر مطالعه, طراحی و ساخت تراشه های الکترونیک با چگالی زیاد اهمیت فراوان دارند. در این مقاله, گزارشی از چگونگی اندازه گیری نمای فراوانی فسفر با استفاده از ترکیب طیف نگاری جرمی, زمان پرواز یون ثانویه (TOF-SIMS) و تجزیه فرایند هسته ای 31P(?,P)34S تهیه شده است. با این که سطح مقطع این فرایند هسته ای کوچک است, امکان محسبه مقدار مطلق فسفر کشت شده در سیلیسیوم در عمق کمتر از nm 20 را ایجاد نموده ایم. به این منظور دو مجموعه از نمونه های سیلیسیوم را که درآن فسفر کشت شده بود تهیه کردیم. در یک مجموعه از نمونه ها, فسفر به مقدار 1´1014cm-2 تا 3´1015cm-2 با انرژی 8keV و در مجموعه نمونه دوم فسفر به مقدار 1´1013cm-2 تا 1´1015cm-2 با انرژی keV 1 تا keV 30 کشت شده است. در این مطالعه اثری از کنش خود به خودی دیده نشد. %U https://ijpr.iut.ac.ir/article_585_7bd4c5019f8066d530be38eb28d8810e.pdf