ORIGINAL_ARTICLE
نگاشت همدیس در طرحهای انگشتی سافمن- تیلور
انگشتهای وشکسان حاصل از ناپایداری سافمن - تیلور را که یک رشد لاپلاسی است با استفاده از نگاشت همدیس بررسی کردیم. انگشتهای وشکسان از بروز ناپایداری سافمن - تیلور در مرز مشترک بین دو سیال در سلول هل - شاو مستطیلی، هنگامی که سیال با وشکسانی کمتر سیال با وشکسانی بیشتر را میراند پدید میآید و به وسیله تکنیکهای نگاشت همدیس، معادله لاپلاس را با شرایط مرزی برای فصل مشترک دو سیال حل میکنیم، سپس آن را در محیط کامپیوتری به تصویر میکشیم و آثار کشش سطحی را در دینامیکهای رقابت طرحهای انگشتی در مسئله سافمن - تیلور با هندسه کانال بررسی میکنیم. اعمال کشش سطحی در معادلات، باعث شکافت نوک در انگشت بزرگتر (جلوتر) شد. در مرتبه صفرم اختلال انگشتها را با و بدون کشش سطحی معادل یکدیگر یافتیم. ولی در مرتبه اول اختلال، تفاوت مشاهده شد و در حلهای با کشش سطحی محدود در انگشت بزرگتر (جلوتر) تشکیل انگشت ثانویه را مشاهده کردیم، سپس با اعمال اختلال مربوط به رشد، تحول انگشت ثانویه در زمان و رشد آن را به دست آوردیم. در پایان تأثیر میزان پارامترهایی مانند وشکسانی وکشش سطحی را روی انگشتها بررسی کردیم. این نتیجه با مشاهدات تجربی در تطابق خوبی است.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1021_d454fd74a11b8663bffd7c4b19e2ebc3.pdf
2019-11-26
113
124
انگشتهای وشکسان
نگاشت همدیس
رشد لاپلاسی
سلول هل- شاو
معصومه
گودرزی
1
دانشگاه الزهرا
LEAD_AUTHOR
ناهید
ملکی جیرسرایی
maleki@alzahra.ac.ir
2
دانشگاه الزهرا
AUTHOR
ORIGINAL_ARTICLE
اثر ناهنجاریهای کوهن بر ترابرد فونونی یک زنجیره جرم- فنر
در این مقاله به کمک روش تابع گرین و تقریب هماهنگ، ضریب عبور فونونی یک زنجیره جرم - فنر متناهی را در حضور برهمکنش کوهن بررسی می کنیم. این سامانه به دو هادی ساده فونونی که در آنها هر جرم فقط با همسایه های اول خود برهمکنش دارد، متصل است. نتایج نشان می دهد برای موردی که در سامانه مرکزی نیز برهمکنش همسایه اول وجود دارد، حضور برهمکنش کوهن باعث تغییر ماهیت فیزیکی سامانه مرکزی از ماهیت فیزیکی هادی ها شده که این امر باعث ظهور قله ها و دره هایی در طیف ضریب عبور فونونی می گردد.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1022_1917cfde9bb39a6722ce9d72859bd5af.pdf
2019-11-26
125
129
ترابرد فونونی
ناهنجاری کوهن
تابع گرین
تقریب هماهنگ
حسن
ربانی
rabani-h@sci.sku.ac.ir
1
دانشگاه شهرکرد
LEAD_AUTHOR
محمد
مردانی
mohammad-m@sci.sku.ac.ir
2
دانشگاه شهرکرد
AUTHOR
محمد
مردانی
moh.mardaani@gmail.com
3
دانشگاه شهرکرد
AUTHOR
فاطمه
سلیمانی فرد
4
دانشگاه شهرکرد
AUTHOR
ORIGINAL_ARTICLE
بررسی تغییر رفتار گاف انرژی اپتیکی نانوذرات تیتانیا با افزودن زمینه سیلیکا
نانوپودرهای تیتانیا و نانوکامپوزیت های تیتانیا- سیلیکا با استفاده از روش سل- ژل تهیه شدند. اگر چه اندازه نانوبلورک ها و درصد وزنی فاز روتایل (پس از آغاز استحاله) با افزایش دمای تکلیس در دو نمونه افزایش یافت ولی اندازه آنها در نانوکامپوزیت های تیتانیا- سیلیکا کوچک تر از تیتانیای خالص بوده است. محاسبات گاف انرژی اپتیکی غیرمستقیم دو نمونه نشان داده که مقادیر آنها با افزایش دما تا نقطه شروع استحاله و نیز دماهای بالاتر از آن به طور مداوم افزایش یافته و در نتیجه طول موج متناظر با آنها کاهش پیدا نموده است. ولی در حدود نقطه شروع استحاله یک جابهجایی قرمز قابل توجه در گاف انرژی اپتیکی غیرمستقیم هر دو نمونه مشاهده شده است. همچنین مقدار این جابهجایی در نانوکامپوزیت سیلیکا-تیتانیا بیشتر می باشد. به علاوه در شرایط دمایی یکسان نانوکامپوزیت سیلیکا- تیتانیا، گاف انرژی غیرمستقیم کمتری نسبت به تیتانیای خالص داشته است.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1023_11c2c3d8b74f8b1c8d279743b717d7ef.pdf
2019-11-26
131
139
نانوذرات تیتانیا
گاف انرژی اپتیکی
سیلیکا
استحاله فاز
شهروز
نصیریان
1
دانشگاه مازندران
LEAD_AUTHOR
حسین
میلانی مقدم
milani@umz.ac.ir
2
دانشگاه مازندران
AUTHOR
ORIGINAL_ARTICLE
محاسبه تابع ترکش مزون B با در نظر گرفتن اثر جرم مزون
امروزه مزونها و باریونهای سنگین به وفور در برخورد دهنده بزرگ هادرونی LHC) ) تولید و واپاشیده می شوند. این فرآیندهای واپاشی منابع خوبی برای مطالعه نظریه QCD ، به خصوص بررسی ساختار هادرونها هستند. بنابراین پدیده شناسی تابع ترکش هادرونهای سنگین یکی از مباحث مهم و بنیادی در دانش فیزیک ذرات بنیادی به حساب می آید. در این تحقیق با محاسبه تابع ترکش مزونهای سنگین B-(-S0) ، ابتدا نتایج را با مدلهای شناخته شده پدیده شناسی مقایسه کرده، آنگاه برای اولین بار اثر جرم هادرون را در محاسبات وارد خواهیم کرد. نشان خواهیم داد اثرات جرمی نه تنها موجب افزایش تابع ترکش به ازای مقادیر خاص از سنجه ترکش خواهد شد، بلکه آستانه ای برای تولید مزون سنگین ارائه خواهد کرد.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1024_b6875e457a1e5c7622f6672e6c94c90d.pdf
2019-11-26
141
148
تابع ترکش
مزونهای سنگین
مدل های پدیده شناسی
سیدمحمد
موسوی نژاد
mmoosavi@yazduni.ac.ir
1
دانشگاه یزد
LEAD_AUTHOR
آیدا
آرمات
2
دانشگاه یزد
AUTHOR
ORIGINAL_ARTICLE
گذار نیمهلپتونی B در فضا - زمان ناجابهجایی
در این مقاله اثر ناجابه جایی بر گذار نیمهلپتونی B Ò Dlv بررسی می شود. معادل رأس برهمکنش ضعیف با بوزون های w در فضای ناجابهجایی را جایگزین رأس ضعیف این گذار می کنیم. خواهیم دید، که عامل های ساختار بیشتری برای توصیف قسمت هادرونی نیاز است. این عامل های ساختار را با قانون جمع QCD و تا پایین ترین مرتبه اختلالی و غیر اختلالی همراه با تصحیحات ناجابهجایی محاسبه می کنیم. همچنین تصحیحات نرخ واپاشی را به دست می آوریم و در پایان با توجه به مقدار آزمایشگاهی نسبت انشعابی B Ò Dlv=(5.5 ± 0.5) × 10-2 روی مقیاس ناجابهجایی Λ NC حدی از مرتبه GeV 4 به دست می آید.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1025_7040803c815ec2d385cf832ac50932ee.pdf
2019-11-26
149
161
گذار نیمه لپتونی
فضای ناجابهجایی
عامل ساختار
نرخ واپاشی
محسن
غلامی
gholami.mohsen@ph.iut.ac.ir
1
دانشگاه صنعتی اصفهان
LEAD_AUTHOR
منصور
حقیقت
2
دانشگاه صنعتی اصفهان
AUTHOR
غلامرضا
خسروی
3
دانشگاه صنعتی اصفهان
AUTHOR
ORIGINAL_ARTICLE
آستانه پخش شایعه در شبکههای همگن اجتماعی
در سالهای اخیر مطالعه مدلهای پخش همگانی بسیار مورد توجه قرار گرفته است. یکی از مدلهای مورد علاقه و جذاب، مدل پخش شایعه در جامعه میباشد. در این مقاله با مرور مختصر مدل استاندارد پخش شایعه، مدل تعمیم یافته پخش شایعه در شبکههای همگن معرفی شده است. با استفاده از مفاهیم نظری سیستمهای تحولی (پایداری نقاط تعادل سیستم) آستانه پخش همگانی شایعه برای مدل تعمیم یافته محاسبه شده است. در پایان برخی نتایج حل عددی مدل تعمیم یافته برای بررسی اعتبار مدل نظری معرفی شده، آورده شده است.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1026_136c9b4ba7f8af40da4e446493545953.pdf
2019-11-26
163
168
پخش اطلاعات
شبکههای پیچیده
فریناز
روشنی
farinaz@ipm.ir
1
دانشگاه الزهرا
LEAD_AUTHOR
یعقوب
نعیمی
2
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات
AUTHOR
ORIGINAL_ARTICLE
اثر ناخالصی اتمی بر خواص الکترونی ابرشبکههایی از نانولوله کربنی
در این مقاله، به بررسی ساختار نواری و چگالی حالات الکترونی ابرشبکه های نانولوله کربنی تک دیواره n(12,0)/m(6,6) و n(12,0)/m(11,0) می پردازیم که از اتصال نانولولههای زیگزاگ و دسته صندلی (آرمچیر) ایجاد می شوند. در ناحیه فصل مشترک، نقص های توپولوژیکی جفت پنج- هفت ضلعی در شبکه شش گوشی کربن ظاهر می شوند. این نقص ها باعث بر هم زدن تقارن سیستم شده و در نتیجه منجر به تغییر خواص الکتریکی ابرشبکه ها می شوند. محاسبات شامل دو بخش می شوند: بررسی ساختارهای مورد نظر در حضور و در غیاب اتم ناخالصی که بر مبنای تقریب بستگی قوی با نزدیک ترین همسایه انجام گرفته اند. تحت چنین شرایطی انرژی فرمی تغییر کرده و سیستم خاصیت فلزی و یا نیم رسانا پیدا می کند. نتایج محاسبات ممکن است در طراحی ادوات نانوالکترونیکی مبتنی بر نانولوله های کربنی مفید باشد.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1027_5554375a2fccb7d5b703b27fc3a41f78.pdf
2019-11-26
169
176
ابرشبکه های نانولولههای کربنی
تقریب بستگی قوی
ساختار نوار الکترونی
نقص های توپولوژیکی
اثر ناخالصی
علی اصغر
شکری
aashokri@tpnu.ac.ir
1
دانشگاه پیام نور تهران
LEAD_AUTHOR
زهرا
کریمی
2
دانشگاه آزاد اسلامی تهران شمال
AUTHOR
ORIGINAL_ARTICLE
شبیهسازی رآکتورهای هستهای نوع بستر توپکی با کد MCNP: رآکتور 10HTR- چین
از آنجا که رآکتورهای نسل چهارم از نوع گاز- گرافیت اخیرا بار دیگر مورد توجه قرار گرفتهاند، آژانس انرژی اتمی کوشید تا با طرح مسئلههای استاندارد به راه حلهایی جهت شبیه سازی این نوع رآکتورها دست یابد. در این مقاله مدلی جهت شبیه سازی و انجام محاسبات اولین بحرانیت رآکتور 1 0 HTR- با استفاده از کد C 4 MCNP- ارائه شده است. در مدل معرفی شده با توجه به ضریب تراکم سوخت و ساختارهای ممکن و در نظر گرفتن مسائلی نظیر میزان نشت، ساختاری که تطابق بهتری با شرایط مسئله داشته انتخاب شده و شبیه سازی انجام گردیده است. نتایج حاصل برای مسایل استاندارد مورد نظر آژانس تطابق خوبی با کارهای انجام شده توسط دیگر کدها و پژوهشگران داشته و به درستی روش صحه میگذارد.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1028_935d6c9a0c077e74dcf01ed1aaad5fee.pdf
2019-11-26
177
182
رآکتورهای PBM
بحرانیت
ضریب تکثیر
10HTR-
سیدعلی
حسینی
hosseiniabhari@ut.ac.ir
1
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد ابهر
LEAD_AUTHOR
میترا
اطهری علاف
2
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات
AUTHOR
ORIGINAL_ARTICLE
بررسی اثر دمای بازپخت در نانوساختار 2SnO-2TiO ساخته شده به روش باریکه الکترونی بر روی زیر لایههای شیشه و آلومینیوم/ شیشه
لایه های نانوساختار 2 SnO -2 TiO به روش باریکه الکترونی روی زیرلایه هایی از جنس شیشه و آلومینیوم/شیشه لایه نشانی شدند. خلأ موردنیاز در فرآیند لایه نشانی 5 - 10 × 5 / 1 تور در نظرگرفته شد، سپس لایه ها تحت عملیات بازپخت در دماهای 450 ، 500 و 550 درجه سانتیگراد قرار گرفتند. ساختار بلوری و مورفولوژی لایه ها توسط آنالیزهای XRD و SEM بررسی گردید. خواص الکتریکی ( I-V ) و اپتیکی لایه ها نیز توسط سیستم نگهدارنده دو سوزنی و طیف سنج UV/Vis/IR مطالعه شد. نتایج نشان داد که تحت دمای بازپخت 550 درجه سانتیگراد لایه ها بلورینگی بهتری داشتند. ضخامت و ابعاد دانه در هر دو نمونه به ترتیب حدود 35 و 48 نانومتر گزارش شد. رسانش الکتریکی در نمونه هایی با زیرلایه آلومینیوم/شیشه تحت بازپخت 550 درجه سانتیگراد نسبت به دیگر لایه ها بهتر بود. گاف انرژی نیز با افزایش دما از 4.05 به 4.03 الکترون ولت برای حالت مستقیم کاهش یافت.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1029_a47efa2eae5c85dac8e84dcaf16be91c.pdf
2019-11-26
183
190
لایه نازک
باریکه الکترونی
زیر لایه
فرآیند بازپخت
نرگس
بیگ محمدی
nbeigmohammadi@aeoi.org.ir
1
سازمان انرژی اتمی ایران
LEAD_AUTHOR
محمدهادی
ملکی
2
سازمان انرژی اتمی ایران
AUTHOR
ORIGINAL_ARTICLE
تأثیر گاف نوار فوتونی بر انتشار پالس بازتابی از بره آلاییده شده توسط اتمهای دو ترازی و سه ترازی
در این مقاله تاثیر گاف نوار فوتونی بر سرعت انتشار پالس انعکاسی از یک بره دی الکتریک آلاییده شده با اتمهای دو ترازی یا سهترازی مطالعه میشود. فرض میشود بره دی الکتریک میان یک محیط یکنواخت (مانند خلاء) و یک بلور فوتونی یک بعدی قرار دارد. نشان داده میشود که اگر فرکانس حامل پالس گوسی فرودی به بره در ناحیه گاف نوار فوتونی قرار بگیرد انتشار پالس انعکاسی از بره آلاییده شده توسط اتمهای دوترازی (سه ترازی) فرانوری (فرونوری) خواهد بود، اما در وضیعیتی که فرکانس حامل پالس انعکاسی در لبه نوار فوتونی باشد، برای بره آلاییده توسط اتمهای دوترازی (سه ترازی) پالس انعکاسی فرونوری (فرانوری) خواهد بود.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1030_c1e690174dfefbd547fbc4100a5d0ead.pdf
2019-11-26
191
195
گاف نوار فوتونی
فرونوری
فرانوری
پالس انعکاسی
صمد
روشن انتظار
s-roshan@tabrizu.ac.ir
1
دانشگاه تبریز
LEAD_AUTHOR
مریم
نیکخو
2
دانشگاه تبریز
AUTHOR
ORIGINAL_ARTICLE
اثر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص ها روی رسانش وابسته به اسپین یک نانو سیم فرومغناطیس
در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تأثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که در سیم مغناطیسی، مستقل از وجود یا عدم وجود نقص، بازه مجاز انرژی نسبت به حالت غیرمغناطیسی به اندازه پارامتر وارونگی اسپینی جا به جا می شود. با ایجاد نقص و افزایش تعداد آن در یک سیم فرومغناطیسی رسانش بدون (همراه با) وارون شدن اسپین الکترون، کاهش (افزایش) مییابد. همچنین رسانش شدیداً به چرخش گشتاور مغناطیسی نقص وابسته است و با افزایش تعداد نقص این وابستگی محسوس تر می گردد.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1031_c8701b415ab9c4cb8f8b4eb7027fbaaf.pdf
2019-11-26
197
202
نانو سیم فرومغناطیس
نقص
تابع گرین
رسانش وابسته به اسپین
محمد
مردانی
mohammad-m@sci.sku.ac.ir
1
دانشگاه شهرکرد
LEAD_AUTHOR
حسن
ربانی
2
دانشگاه شهرکرد
AUTHOR
زهرا
بهارلو
3
دانشگاه شهرکرد
AUTHOR