ORIGINAL_ARTICLE
تحلیل پایداری معادلات سنتیک نقطهای نوترون با نه گروه فوتونوترون
روش نمای لیاپانوف یکی از بهترین ابزارها برای بررسی محدوده پایداری و رفتار گذار سیستمهای دینامیکی میباشد. در راکتورهای با کند کننده آب سنگین و بریلیوم، فوتونوترونها نقش مهمی را در رفتار دینامیکی راکتور ایفا میکنند. بنابراین تحلیل پایداری برای تغییرات پارامترهای کنترلی راکتور به منظور امنیت و کنترل راکتور حائز اهمیت است. در این کار محدوده پایداری به کمک روش نمای لیاپانوف در پاسخ به راکتیویتههای خارجی پلهای، خطی و سینوسی با در نظر گرفتن شش گروه نوترون تأخیری به علاوه نه گروه فوتونوترون بررسی شده است. نتایج کیفی با نتایج کمی کارهای دیگران همخوانی خوبی دارند
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1200_4531ec13261d0769e5c1ba0f102640b4.pdf
2019-11-26
33
40
10.18869/acadpub.ijpr.16.3.33
فوتونوترون
پارامتر کنترلی
نوترونهای تأخیری
نمای لیاپانوف
مسعود
صیدی
masoudseidi@yahoo.com
1
1. گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه ایلام، ایلام
LEAD_AUTHOR
رسول
خدابخش
2
1. گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه ایلام، ایلام
AUTHOR
سهراب
بهنیا
3
2. گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه ارومیه، ارومیه
AUTHOR
1. A N Abdallah, Nuc. Eng. Des. 238 (2008) 2648.
1
2. E A Ahmed, Nucl. Eng. Des. 224 (2003) 279.
2
3. D L Hetrick, “Dynamics of Nuclear Reactors”, American Nuclear Society, La Grange Park (1993).
3
4. G R Keepin, “Physics of Nuclear Kinetics”, Addison-Wesley Publishing Company, Inc., Massachusetts (1965).
4
5. E W Lynn, “Reactor Dynamics and Control”, American Elsevier Publishing Company, INC., New York (1968).
5
6. F Jatuff, A L Thi, M Murphy, T Williams, and R Chawla, Ann. Nucl. Energy 30 (2003) 1731.
6
7. A N Abdallah, Nucl. Eng. Des. 240 (2010) 1622.
7
8. F Y Li, Z Chen, and Y Liu, Prog. Nucl. Energy 67 (2013) 15.
8
9. L Z Fu, “Nuclear Reactor Kinetics”, Atomic Energy Press, Beijing (1988).
9
10. J D Lewins and E N Ngcobo, Ann. Nucl. Energy 23 (1996) 29.
10
11. J L Munoz-Cobo, C Garca, A Escriva, and J Melara, Ann. Nucl. Energy 35 (2008) 1185.
11
12. A Hainoun, I Khamis, and G Saba, Nucl. Eng. Des. 232 (2004) 19.
12
13. R Della, E Alhassan, N A Adoo, C Y Bansah, B J B Nyarko, and E H K Akaho, Energy Convers Manage 74 (2013) 587.
13
14. W Z Chen, B Kuang, and L F Guo, Nucl. Eng. Des. 236 (2006) 1326.
14
15. W K Ergen, H J Lipkin, and J A Nohel, Journal of Mathematics and Physics 36 (1957) 36.
15
16. T Suzudo, Prog. Nucl. Energy 43 (2003) 217.
16
17. R Khodabakhsh, S Behnia, and O Jahanbakhsh, Ann. Nucl. Energy 35 (2008) 1370.
17
18. M Shayesteh, S Behnia, and A Abdi Saray, Ann. of Nucl. Energy 43 (2012) 131.
18
19. S Glasstone and A Sesonske, “Nuclear Reactor Engineering”, Chapman & Hall Inc. (1981).
19
20. A Hainoun and I Khamis, Nucl. Eng. Des. 195 (2000) 299.
20
21. K Almenas and R Lee, “Nuclear Engineering an Introduction”, Springer, Berlin (1992).
21
22. T Sathiyasheela, Ann. of Nucl. Energy 36 (2009) 246.
22
23. J J Duderstadt and L J Hamilton, “Nuclear Reactor Analysis”, John Wiley and Sons, USA (1976).
23
24. W M Stacey, “Nuclear Reactor Physics”, John Wiley and Sons, Inc., USA, (2001).
24
25. E Ott, “Chaos in dynamical system”, Cambridge University Press, Canada (1993).
25
26. B J West, A L Goldberger, G Rouner, and V Bhar-gava, Physica D 17 (1985) 198.
26
27. A Wolf, J B Swift, H L Swinney, and J A Vastano, Physica D 16 (1985) 285.
27
28. R Hilborn, “Chaos and nonlinear dynamics”, Oxford University Press (2000).
28
29. J R Dorfman, “An Introduction to Chaos in Non-Equilibrium Statistical Mechanics”, Cambridge University Press, Cambridge (1999).
29
ORIGINAL_ARTICLE
نا پایداری کلوین - هلمهولتز در اسپیکولهای خورشیدی
امواج مگنتو هیدرودینامیکی که در اسپیکولها منتشر میشوند میتوانند ناپایدار شوند. نا پایداری قابل انتظار میتواند از نوع نا پایداری کلوین-هلمهولتز باشد. چنین نا پایداری میتواند منجر به آشوب گشته و باعث گرمایش پلاسما و شتابگیری ذرات شود. در مطالعه حاضر مدل دو بعدی دکارتی برای اسپیکولها در نظر گرفته شده است و اسپیکولها نسبت به محیط اطراف دارای چگالی و سرعت متفاوتی هستند. شبیه سازیهای ما شروع این نوع نا پایداری و آشوب را نشان میدهند. انتقال انرژی و تکانه، میرایی و آمیختگی سیالات از نتایج آن هستند. با تحول میدانهای مغناطیسی، امکان تقویت میدانها نیز وجود دارد.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1201_270fbd604e54dde24150aea7488397e3.pdf
2019-11-26
41
45
10.18869/acadpub.ijpr.16.3.41
خورشید
اسپیکول
امواج مگنتوهیدرودینامیکی (MHD)
ناپایداری کلوین - هلمهولتز
حسین
عبادی
hosseinebadi@tabrizu.ac.ir
1
1. گروه فیزیک نظری و اختر فیزیک، دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز 2. مرکز تحقیقات نجوم و اختر فیزیک مراغه، مراغه
LEAD_AUTHOR
1. B Edlen, Zeitschrift für Astrophysik 22 (1943) 30.
1
2. N Dadashi, H Safari, and S Nasiri, IJPR 9, 3 (2009) 227.
2
3. S Nasiri and L Yousefi, IJPR 5, 3 (2005)145.
3
4. A W Hood, D Gonzalez-Delgado, and J Ireland, A&A 324 (1997) 11.
4
5. R G Athay and T E Holzer, Astrophysical Journal 255 (1982) 743.
5
6. T V Zaqarashvili and R Erdelyi, Space. Sci. Rev. 149 (2009) 335.
6
7. J M Beckers, Sol. Phys. 3 (1968) 367.
7
8. A C Sterling, Sol. Phys. 196 (2000) 79.
8
9. V Kukhianidze, T V Zaqarashvili, and E Khutsishvili, Astronomy and Astrophysics, 449 (2006) 35.
9
10. T V Zaqarashvili, E Khutsishvili, V Kukhianidze, and G Ramishvili, A&A 474 (2007) 627.
10
11. H Ebadi, T V Zaqarashvili, and I Zhelyazkov, Astrophysics and Space Science 337 (2012) 33.
11
12. H Ebadi, Ap&SS 348 (2013) 11.
12
13. Z Fazel and H Ebadi, IJPR 14, 3 (2014) 73.
13
14. B De Pontieu, S W McIntosh, M Carlsson, et al., Science 318 (2007) 1574.
14
15. A Miura, Geophysics 89 (1984) 801.
15
16. A Frank, T W Jones, D Ryu, and J B Gaalaas, Astrophysical Journal 460 (1996) 777.
16
17. I Zhelyazkov, A&A 537 (2012) 124.
17
18. I Zhelyazkov and T V Zaqarashvili, A&A 547 (2012) 14.
18
19. T A Gardiner and J M Stone, J. Comput. Phys. 205 (2005) 509.
19
20. H Ebadi, M Hosseinpour and H Altafi-Mehrabani, Astrophysics and Space Science 340 (2012) 9.
20
21. H Cavus and D Kazkapan, New Astronomy 25 (2013) 89.
21
ORIGINAL_ARTICLE
تأثیر دمای بازپخت بر ویژگیهای اپتیکی و الکتروکرومیکی فیلمهای نازک اکسید تنگستن
فیلمهای نازک اکسید تنگستن با استفاده از محلول آبی پروکسوتنگستیک اسید از طریق تکنیک الکتروانباشت روی زیرلایه شیشه لایه نشانی شده با اکسید قلع لایه نشانی میشوند. فیلمها بر حسب تابعی از دمای بازپخت (°C60، °C100،°C250 و°C400)بررسی میشوند. فیلمها به وسیله میکروسکوپ الکترونی گسیل میدانی، چرخه ولتامتری واسپکترومتر UV-visible اندازگیری میشوند. فیلمها عبور بالایی در ناحیه مرئی از خود نشان دادند. ویژگیهای الکتروکرومیکی فیلمها با استفاده از اندازگیریهای عبور اپتیکی و چرخه ولتامتری، در الکترولیت لیتیم پرکلرات حل شده در پروپیلن کربنات بررسی شدند. مشاهده شد که با افزایش دمای بازپخت ویژگی های الکتروکرومیکی و اپتیکی فیلم های اکسید تنگستن کاهش پیدا خواهند کرد، زیرا با افزایش دمای بازپخت سایز دانهها افزایش مییابند. بنابراین فیلم اکسید تنگستن بازپخت شده در°C60، ویژگیهای الکتروکرومیکی قابل توجه همراه با تغییر عبور بالا و بازده رنگیcm2 C−164.1 را در طول موج 638 نانومتر از خود نشان داد.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1202_addc7f55f41f3f77aaf960211d8435d3.pdf
2019-11-26
47
54
10.18869/acadpub.ijpr.16.3.47
اکسید تنگستن
الکتروکرومیک
الکتروانباشت
چرخه ولتامتری
افسانه
ابارشی
abareshi.a66@gmail.com
1
دانشکده فیزیک، دانشگاه شاهرود، شاهرود
AUTHOR
حمید
هراتی زاده
hamha@shahrovdut.ac.ir
2
دانشکده فیزیک، دانشگاه شاهرود، شاهرود
LEAD_AUTHOR
1. S Green, J Backholm, P Georen, C G Granqvist, and G A Niklasson, Sol. Energy Mat. Sol. C 93 (2009) 2050.
1
2. L Yang, D Ge, J Zhao, Y Ding, X Kong, and Y Li, Sol. Energy Mat. Sol. C 100 (2012) 251.
2
3. A E Aliev and H W Shin, Displays 23 (2002) 239.
3
4. C G Granqvist, P C Lansaker, N R Mlyuka, G A Niklasson, and E Avendano, Sol. Energy Mat. Sol. C 93 (2009) 2032.
4
5. S N Alamri, Sol. Energy Mat. Sol. C 93 (2009)1657.
5
6. R Baetens, B P Jelle, and A Gustavsen, Sol. Energy Mat. Sol. C 94 (2010) 87.
6
7. H Huang, J Tian , W K Zhang, Y P Gan, X Y Tao, X H Xia, and J P Tu, Electrochim. Acta 56 ( 2011) 4281.
7
8. C G Granqvist, S Green, G A Niklasson, N R Mlyuka, S von Kraemer, and P Georen, Thin Solid Films 518 (2010) 3046.
8
9. J Zhang, X L Wang, Y Lu, Y Qiao, X H Xia, and J P Tu, J. Solid State Electr. 15 (2011) 2213.
9
10. K Tajima, Y Yamada, S H Bao, M Okada, and K Yoshimura, Vacuum 84 (2010) 1460.
10
11. K Hari Krishna, O M Hussain, and C M Julien, Appl. Phys. A 99 (2010) 921.
11
12. B Baloukas, J M Lamarre, and L Martinu, Sol. Energ. Mat. Sol. C 95 (2011) 807.
12
13. X H Xia, J P Tu, J Zhang, X L Wang, W K Zhang, and H Huang, ACS Appl. Mater. Interfaces 2 (2010) 186.
13
14. B Yang, P R F Barnes, W Bertram, and V Luca, J. Mater. Chem. 17 (2007) 2722.
14
15. M Deepa, A K Srivastava, S N Sharma, G Govind, and S M Shivaprasad, Appl. Surf. Sci. 254 (2008) 2342.
15
16. M Giannouli and G Leftheriotis, Sol. Energy Mat. Sol. C 95 (2011) 1932.
16
17. A H Yan, C S Xie, D W Zeng, S Z Cai, and H Y Li, J. Alloys Compd. 495 (2010) 88.
17
18. J Zhang, X L Wang, X H Xia, C D Gu, Z J Zhao, and J P Tu, Electrochim. Acta 55 (2010) 6953.
18
19. R Deshpande, S H Lee, A H Mahan, P A Parilla, K M Jones, A G Norman, B To, J L Blackburn, S Mitra, and A C Dillon, Solid State Ion. 178 (2007) 895.
19
20. H S Shim, J W Kim, Y E Sung, and W B Kim, Sol. Energy Mat. Sol. C 93 (2009) 2062.
20
21. B B Cao, J J Chen, X J Tang, and W L Zhou, J. Mater. Chem. 19 (2009) 2323.
21
22. J Zhang, X L Wang, X H Xia, C D Gu, and J P Tu, Sol. Energy Mat. Sol. C 95 (2011) 2107.
22
23. Y S Lin, S S Wu, and T H Tsai, Sol. Energ. Mat. Sol. C 94 (2010) 2283.
23
24. W Cheng, E Baudrin, B Dunn, and J I Zink, J. Mater. Chem. 11 (2001) 92.
24
25. S Badilescu and P V Ashrit, Solid State Ionics 158 (2003) 187.
25
26. N Ozer, Thin Solid Films 304 (1997) 310.
26
27. P K Biswas, N C Pramanik, M K Mahapatra, and D Ganguli, J. Livage, Mater. Let. 57 (2003) 4429.
27
28. I Shiyanovskaya, M Hepel, and E Tewksburry, J. New Mat. Elect. Syst. 3 (2000) 241.
28
29. H Yang, F Shang, L Gao, and H Han, Appl. Surf. Sci. 253 (2007) 5553.
29
30. M Regragui, M Addou, B El Idrissi, J C Bernede, A Outzourhit, and E Ec chamikh, Mater. Chem. Phys. 70 (2001) 84.
30
31. M Deepa, R Sharma, A Basu, and S A Agnihotry, Electrochim. Acta 50 (2005) 3545.
31
32. J H Choy, Y I Kim, B W Kim, N G Park, G Campet, and J D Grenier, Chem. Mater. 12 (2000) 2950.
32
33. P V Ashrit, Thin Solid Films 385 (2001) 81.
33
34. T Pauporte, J. Electrochem. Soc. 149 (2002) C539.
34
35. T Brezesinki, D F Rohlfing, S Sallard, M Antonietti, and B M Smarsly, Small 2 (2006) 1203
35
ORIGINAL_ARTICLE
مطالعه رسانایی جریان مستقیم لایههای نازک P3HT آلاییده با نانو ذرات ZnS و Ag
در سالهای أخیر مطالعه در مورد نانو کامپوزیتهای P < /span>3HT: ZnS به دلیل قابلیت استفاده آنها به عنوان لایهای فعال در سلولهای خورشیدی ناهمگون حجمی با ولتاژ باز بالا گسترش یافته است. در این گونه سلولهای خورشیدی انتقال بار کارایی آنها را مشخص میکند. بنابراین، بررسی مکانیسم هدایت الکتریکی نانو کامپوزیتهای P < /span>3HT:ZnS به منظور بهبود کارایی این گونه سلولهای خورشیدی اهمیت به سزایی دارد. این مطالعه هم مکانیسم هدایت الکتریکی مدل آرنیوس (Arrhenius)و هم مدل جهشی با برد متغیر (VRH) را در مورد لایههای نانو کامپوزیت P < /span>3HT: ZnS مورد بررسی قرار میدهد. نتایج به دست آمده نشان داد که اضافه کردن نانو ذرات نیمرسانا تغییر قابل ملاحظهای در هدایت الکتریکی پلیمر P < /span>3HT در دمای اتاق ایجاد نمیکند. علاوه بر این، لایههای مورد مطالعه از نظر طیف جذبی، طیف نگار اشعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) پروفیلومتر غیر تماسی مورد مطالعه قرار گرفتند.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1203_61ab0efa3d7724909819fc3c3c28b4e7.pdf
2019-11-26
55
61
10.18869/acadpub.ijpr.16.3.55
P3HT:ZnS
هدایت الکتریکی جریان مستقیم
هدایت الکتریکی جهشی با برد متغیر (VRH)
مدل آرینوس
توتلی
عبدالکریم
abdulkareem.t@gmail.com
1
فیزیک تشعشع، دانشگاه کلکته، مالاپورام، کرالا، هند
LEAD_AUTHOR
1. D I Black, “Fabrication Of Hybrid Inorganic And Organic Photovoltaic Cells”, PhD thesis, Emerging Technologies Research Centre, De Montfort University, Leicester, London (2011).
1
2. H E Unalan, P Hiralal, D Kuo, B Parekh, G Amaratunga, and M Chhowalla, J. Mater. Chem. 18 (2008) 5909.
2
3. J U Lee, J W Jung, T Emrick, T P Russell , and W H Jo , J. Mater. Chem. 20 (2010) 3287.
3
4. G K Mor, K Shankar, M Paulose, O K Varghese, and C A Grimes, Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 152111.
4
5. J H Lee, J H Park, J S Kim, D Y Lee, and K Cho, Organic Electronics 10 (2009) 416.
5
6. M Bredol, K Matras, A Szatkowski, J Sanetra, and A P Schwa, Sol. Mat. Sol. C. 93 (2009) 662.
6
7. M Mall, P Kumar, S Chand, and L Kumar, Chem. Phys. Lett. 495 (2010) 236.
7
8. B R Saunders and M L Turner, Adv. Colloid Interfac. 138,1 (2008) 1.
8
9. A Kongkanand, K Tvrdy, K Takechi, M Kuno, and P V Kamat, J. Am. Chem. Soc. 130, 12 (2008) 4007.
9
10. W Martienssen and H Warlimont, "Springer Handbook of Condensed Matter and Materials Data" ed. 1, Springer, New York (2005).
10
11. Y Yang, S Xue, S Liu, J Huang, and J Shen, Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 377.
11
12. T Abdul kareem and A Anu kaliani, Arabian Journal of Chemistry 4 (2011) 325.
12
13. H Y Chen, M K F Lo, G Yang, H G Monbouquette, and Y Yang, Nature Nanotechnology 3 (2008) 543.
13
14. Y Ding , P Lu, and Q Chen, Proc. of SPIE Vol. 7099 (2008) 709919.
14
15. Y T Chang, S O L Hsu, M H Su, and K H Wei, Adv. Mater. 21 (2009) 2093.
15
16. Y Kim, S A Choulis, J Nelson J, D D C Bradley, S Cook, and J R Durrant, Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 063502.
16
17. J Lee, A Kim, S M Cho, and H Chae, Korean J. Chem. Eng. 29, 3 (2012) 337.
17
18. T W Yun and K Sulaiman, Sains Malaysiana 40, 1 (2011) 43.
18
19. Z Hu, T Daeri, M S Bonner, and A J Gesquiere, J. Lumin. 130, 5 (2010) 771.
19
20. Y Dong, J Lu, F Yan, and Q Xu, High Perform. Polym. 21 (2009) 48.
20
21. U Zhokhavets, T Erb, H Hoppe, G Gobsch, and N S Sariciftci, Thin Solid Films 496 (2006) 679.
21
22. J Guo, H Ohkita, H Benten, and S Ito, J. Am. Chem. Soc.132 (2010) 6154.
22
23. W H Lee, S Y Chuang, H L Chen, W F Su, and C H Lin, Thin Solid Films 518 (2010) 7450.
23
24. L E Greene, M Law, B D Yuhas, and P Yang, J. Phys. Chem. C 111, 50 (2007) 18451.
24
25. J U Lee , J W Jung, T Emrick, T P Russell, and W H Jo, Nanotechnology 21(2010) 105201.
25
26. M Khissi, M E Hasnaoui, J Belattar, M P F Graça, M E Achour, and L C Costa, J. Mater. Environ. Sci. 2, 3 (2011) 281.
26
27. D Choi, S Jin, Y Lee, S H Kim, D S Chung, K Hong, C Yang, J Jung, J K Kim, M Ree, and C E Park, Appl. Mater. Interfaces, 2, 1 (2010) 48.
27
28. J C Nolasco, R Cabré, J Ferré-Borrull, L F Marsal, M Estrada, and J Pallarès, J. Appl. Phys.107 (2010) 044505.
28
29. J A Letizia, J Rivnay, A Facchetti, M A Ratner , and T J Marks, Adv. Funct. Mater. 20 (2010) 50.
29
30. Y Park, S Noh, D Lee, J Y Kim and C Lee C., J. Korean Phys. Soc. 59, 2 (2011) 362.
30
31. R K Singh, J Kumar, R Singh, R Kant, R C Rastogi, S Chand, and V Kumar, New J. Phys. 8 (2006) 112.
31
32. N Othman, Z A Talib, A Kassim, A H Shaari, and J Y C Liew, Journal of Fundamental Sciences 5 (2009) 29.
32
33. A A Hendi, Life Sci. J. 8 (2011) 3.
33
34. M Taunk, A Kapil and S Chand, The Open Macromolecules Journal 2 (2008) 74
34
ORIGINAL_ARTICLE
پیاده سازی مدولاتور الکترو اپتیکی دامنه در کاواک خارجی لیزر نیمرسانا برای تولید حالتهای پریودیک و کنترل ناپایداری
در این مقاله با قرار دادن مدولاتور الکترو اپتیکی در کاواک خارجی یک لیزر نیمرسانا و مدوله کردن پسخوراند اپتیکی، تغییرات دینامیک شدت خروجی لیزر مورد مطالعه قرار گرفته است. این امر به وسیله نمودارهای دوشاخه شدگی و تحول زمانی نسبت به پارامترهای ضریب دامنه مدولاسیون اعمال شده و فرکانس ولتاژ مدولاسیون مربوط به مدولاتور الکترو اپتیکی به صورت عددی مورد آنالیز قرار گرفته است. در این مطالعه نشان دادیم که با مدولاسیون دامنه پرتوی اپتیکی پسخوراند یافته، تغییرات متنوعی در نوع دینامیک قابل مشاهده بوده و میتوان حالتهای پریودیک متنوعی را تولید نمود. این امر، این امکان را فراهم میآورد تا بدون تغییر در پارامترهای اصلی لیزر نیمرسانا، دینامیک مورد نظر را از لیزر دریافت نمود. همچنین روشی برای کنترل ناپایداری بر اساس مدولاسیون الکترو اپتیکی در کاواک خارجی لیزر ارائه کردهایم. نتایج به دست آمده تایید میکند که بر اساس این روش دینامیک آشوبناک میتواند به دینامیک پریود اول کنترل گردد.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1204_a88580d917c577b878cb43802902598f.pdf
2019-11-26
63
74
10.18869/acadpub.ijpr.16.3.63
لیزر نیمرسانا
مدولاتور الکترو اپتیکی
کاواک خارجی
کنترل ناپایداری
خسرو
مبهوتی
1
پیاده سازی مدولاتور الکترو اپتیکی دامنه در کاواک خارجی لیزر نیمرسانا برای تولید حالتهای پریودیک و کنترل ناپایداری
AUTHOR
اکبر
جعفری
2
پیاده سازی مدولاتور الکترو اپتیکی دامنه در کاواک خارجی لیزر نیمرسانا برای تولید حالتهای پریودیک و کنترل ناپایداری
LEAD_AUTHOR
1. B Liu, Y Braiman, N Nair, Y Lu, Y Guo, P Colet, and M Wardlaw, Opt. Commun. 324 (2014) 301.
1
2. P Bhattacharyya, Opt. Commun. 319 (2014) 188.
2
3. W Jia-Gui, X Guang-Qiong, C Liang-Ping, and W Zheng-Mao, Opt. Commun. 282 (2009) 3153.
3
4. S Banerjee, L Rondoni, S Mukhopadhyay, and A P Misra, Opt. Commun. 284 (2011) 2278.
4
5. S Banerjee, L Rondoni, and S Mukhopadhyay, Opt. Commun. 284 (2011) 4623.
5
6. J Mørk, B Tromborg, and J Mark, IEEE J. Quant Electron. 28 (1992) 93.
6
7. J. Ohtsubo, “Semiconductor Lasers Stability, Instability and Chaos”, 3nd ed., Springer Verlag, Berlin, chapter 7 (2013).
7
8. S Wieczorek, B Krauskopf, and D Lenstra, Opt. Commun. 172 (1999) 279.
8
9. J Sacher, D Baums, P Panknin, W Elsässer, and E O Göbel, Phys. Rev. A 45 (1992) 1893.
9
10. T Heil, I Fisher, and W Elsäßer, Phys. Rev. Lett. 87 (2001) .
10
11. R Vicente, J Daudén, P Colet, and R Toral, IEEE Quantum Electron. 41 (2005) 541.
11
12. J P Eckmann, and D Ruelle, Rev. Mod. Phys. 55 (1985) 617.
12
13. E Ott, C Grebogi, and J A York, Phys. Rev. Lett. 64 (1990) 1196.
13
14. K Su and C Li, Optik 125 (2014) 3693.
14
15. C Han and S Yu, Optik 125 (2014) 3491.
15
16. A Uchida, Phys. Rev. E 58 (1998) 7249.
16
17. L Wu and S Q Zhu, Chin. Phys. 12 (2003) 300.
17
18. S L Yan, Chin. Optics Lett. 3 (2005) 283.
18
19. S L Yan, Comm. Theor. Phys. 47 (2007) 491.
19
20. S Rajesh and V M Nandakumaran, Physica D 213 (2006) 113.
20
21. A Ahlborn and U Parlit, Phys. Rev. Lett. 96 (2006).
21
22. G Jiang, J Zhang, Y Fu, and W Wang, Optik 123 (2012) 2140.
22
23. A Naumenko, N Loiko, S Turovets, P Spencer, and K Shore, J. Opt. Soc. Am. B 15 (1998) 551.
23
24. S Turovets, J Dellunde, and K Shore, J. Opt. Soc. Am. B 14 (1997) 200-208.
24
25. F Ruiz-Oliveras and A Pisarchik, Opt. Express 14 (2006) 128596.
25
26. A Uchida, T Sato, T Ogawa, F Kannari, IEEE J. Quantum Electron. 35 (1999) 1371.
26
27. M Ahmed and A Bakry, Opt. Commun. 360 (2016) 52.
27
28. A Nabih and Z Rashed, Opt. Commun. 294 (2013) 49.
28
29. D Samanta and S Mukhopadhyay, Optik 121 (2010) 1129.
29
30. J A Ibarra Fuste and M C Santos Blanco, Opt. Laser Technol. 49 (2013) 296.
30
31. A Yariv and P Yeh, “Optical Waves in Crystals”, Wiley, New York (1984).
31
32. M Bass, C MacDonald, G Li, C M DeCusatis, and V N Mahajan, “Handbook Of Optics”, 3nd ed., The McGraw Hill, New York , Vol. 5, chapter 7 (2010).
32
33. G P Agrawal, “Fiber-Optic Communication Systems”, 4nd ed., Wiley, New York (2010).
33
34. F Bachmann, P Loosen, and R Poprawe, “High Power Diode Lasers: Technology and Applications”, Springer, New York (2010).
34
35. R Lang and K Kobayashi, IEEE Quantum Electron. 16 (1980) 347.
35
36. T Erneux, Phys. Rev. E 69 (2004) 036210.
36
37. Yu Kuznetsov, “Elements of Applied Bifurcation Theory”, Springer, Berlin (2005).
37
38. T Heil, I Fischer, W Elsäßer, J Mulet, and C R Mirasso, Opt. Lett. 24 (1999) 1275.
38
39. D W Sukow, T Heil, I Fischer, A Gavrielides, A H AbiChedid, and W Elsäßer, Phys. Rev. A 60 (1999) 667.
39
40. G Vaschenko, M Guidici, J J Rocca, C S Menoni, J R Tredicce, and S Balle, Phys. Rev. Lett. 81 (1998) 5536.
40
41. A Uchida, Y Liu, I Fischer, P Davis, and T Aida, Phys. Rev. A 64 (2001) 023801.
41
42. M. Pan, B. Shi, and G.R. Gray, Opt. Lett. 22 (1997) 166.
42
43. T Heil, I Fischer, W Elsäßer, B Krauskopf, K Green, and A Gavrielides, Phys. Rev. E 67, (2003) 0662141.
43
44. D M Kane, K A Shore, “Unlocking Dynamical Diversity: Optical Feedback Effects on Semiconductor Lasers”, Wiley, Chichester (2005).
44
45. K. Green, Phys. Rev. E 79 (2009) 036210.
45
46. A Jafari, H Sedghi, Kh Mabhouti, and S. Behnia, Opt. Commun. 284 (2011) 3018.
46
47. D J Gauthier, D W Sukow, H M Concannon, and E S Socolar, Phys. Rev. E 50 (1994) 2343.
47
48. A Jafari, Kh Mabhouti, S Afrang, and A Siahcheshm, Opt. Laser Technol. 44 (2012) 1398.
48
49. R Tkach and A Chraplyvy, J. Lightwave Technol. 4 (1986) 1655.
49
50. S Rajesh and V M Nandakumaran, Physica D 213 (2006) 113.
50
51. G Jiang, J Zhang, Y Fu, and W Wang, Optik 123 (2012) 2140.
51
ORIGINAL_ARTICLE
مطالعه بنیادی برهم کنش گاز N2O بر روی سطوح حالتهای خالص و آلایش یافته با Si، Ga و SiGa نانو لوله آرمچیر بور فسفید: به روش DFT
در این تحقیق با استفاده از نظریه تابع چگالی، پارامترهای الکتریکی، ساختاری، کوانتومی و تشدید مغناطیس هستهای(NMR) مربوط به برهمکنش گاز N2O بر روی وضعیت اتمهای B و P < span dir="RTL"> حالتهای خالص و آلایش یافته با Si، Ga و SiGa نانولوله آرمچیر(4 و4) بور فسفید(BPNTs) مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور هفت مدل جذبی را بر روی سطح خارجی نانو لوله بور فسفید در نظر گرفته و سپس تمام ساختارهای مورد مطالعه را با استفاده از روش B3LYP < span dir="RTL"> و توابع بنیادی(d) G 31-6 بهینه نمودهایم. ساختارهای بهینه شده برای محاسبه پارامترهای الکتریکی، ساختاری، کوانتومی و NMR مورد استفاده قرار گرفتهاند. نتایج حاصل نشان میدهد که مقادیر انرژیهای جذب تمام مدلهای مورد مطالعه منفی بوده، گرماده هستند و از نظر ترمودینامیکی مساعد میباشند. هنگامی که گاز N2O از سر اکسیژن خود جذب اتم بور نانولوله گردد، این گاز به اکسیژن اتمی و نیتروژن مولکولی تفکیک میشود، در این حالت انرژی جذب بیشتر از سایر مدلها بوده لذا از سایر مدلها نیز پایدارتر است. در مدلهای جذبیA ، B و C پارامتر سختی کروی نانولوله کاهش قابل توجهی را نسبت به حالت اولیه نشان میدهد که بیانگر افزایش واکنش پذیری و فعالیت نانو لوله است. همچنین در این مدلها مقدار الکترونخواهی، پتانسیل شیمیایی، الکترونگاتیویته و پارامتر نرمی افزایش قابل ملاحظهای را نسبت به حالت اولیه نشان میدهند. نتایج حاصل از محاسبات NMR نشان میدهد مقادیرCSI در مدل C از سایر مدلها بیشتر است. نتایج این تحقیق نشان می دهد نانولولههای بور فسفید آلایش یافته با Si ، Ga و SiGa انتخاب مناسبی برای جذب و تهیه حسگر گاز N2O میباشند
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1205_fdec0c12842513fefe8c445580586f11.pdf
2019-11-26
75
86
10.18869/acadpub.ijpr.16.3.75
BPNTS
DFT
NMR
جذب N2O
آلایش یافتهGa
Si وSiGa
مهدی
رضایی صامتی
mrsameti@maleru.ac.ir
1
گروه شیمی فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه ملایر، ملایر
LEAD_AUTHOR
خاطره
هادیان
2
گروه شیمی فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه ملایر، ملایر
AUTHOR
1. A S Tarendash, “Let's Review: Chemistry, the Physical Setting”, Barron's Educational Series (2004).
1
2. M Iwamoto and H Hamada, Catal. Today 10 (1991) 57.
2
3. F Kaptein, J Rodriguez-Mirasol, and J A Moulijn, App. Catal. B 9 (1996) 25.
3
4. G Delahay, M Mauvezin, B Coq, and S Kieger, J Catal. 202 (2001) 156.
4
5. B Coq, M Mauvezin, G Delahay, J B Butet, and S Kieger, App. Catal. B 27 (2000)193.
5
6. B Moden, P Da Costa, B Fonfe, D Ki Lee, and E Iglesia, J. Catal. 209 (2002) 75.
6
7. A Martinez, A Goursot, B Coq, and G Delahay, J. Phys. Chem. B 108 (2004) 8823.
7
8. A R Ravishankara, J S Daniel, and R W Portmann, Science 326 (2009) 23.
8
9. M T Baei, A Soltani, A V Moradi, and E Tazikeh Lemeski, Com. Theo. Chem. 970 (2011) 30.
9
10. M T Baei, A Soltani, A V Moradi, and M Moghimi, Monatsh. Chem. 142 (2011) 573.
10
11. A Soltani, M Ramezani Taghartapeh, E Tazikeh Lemeski, M Abroudi, and H Mig, Superlattic Microst. 58 (2013)178.
11
12. X Solans-Monfort, M Sodupe, and V Branchadell, Chem. Phys. Lett. 368 (2003) 42.
12
13. M Mirzaei, Z Phys. Chem. 223 (2005) 815.
13
14. M T Baei, A Varasteh Moradi, P Torabi, and M Moghimi, Monatsh. Chem. 142 (2011) 1097.
14
15. M T Baei, A Ahmadi Peyghan, and M Moghimi, Monatsh. Chem. 143 (2012) 1627.
15
16. M T Baei, Monatsh. Chem. 143 (2012) 881.
16
17. M Mirzaei, J. Mol. Model 17 (2011) 89.
17
18. A Ahmadi Peyghan M T, Baei, M Moghimi, and S Hashemian, J. Clust. Sci. 24 (2013) 49.
18
19. M T Baei, A Varasteh Moradi, P Torabi, and M Moghimi, Monatsh. Chem. 143 (2012) 37.
19
20. K Li, W Wang, and D Cao, Sensor Actuat. B Chem. 159 (2011)171.
20
21. M Rezaei-Sameti, Physica B 407 (2012)3717.
21
22. M Rezaei-Sameti, Physica E 44 (2012)1770.
22
23. M Rezaei-Sameti, and S Yaghobi, Comp. Condense Matt. 3 (2015) 21.
23
24. M Rezaei-Sameti, Physica B 407 (2012) 22.
24
25. M Rezaei-Sameti, and E A Dadfar, Iranian J. Phys. Res. 15 (2015) 41.
25
26. M J Frisch, et al., Gaussian 03, Inc., Pittsburgh (2003).
26
27. P K Chattaraj, U Sarkar, and D R Roy, Chem. Rev. 106 (2006) 2065.
27
28. K K Hazarika, N C Baruah, and R C Deka, Struct. Chem. 20 (2009)1079.
28
29. R G Parr, L Szentpaly, and S Liu, J. Am. Chem. Soc. 121(1999) 1922.
29
30. C Tabtimsai, S Keawwangchai, N Nunthaboot, V Ruangpornvisuti, and B Wanno, J. Mol. Model. 18 (2012) 3941.
30
31. A E Reed, L A Curtiss, and F Weinhold, Chem. Rev. 88 (1988) 899
31
ORIGINAL_ARTICLE
کوکپذیری نور کند در بلور فوتونیکی با لایههای نقص
در این مقاله تاثیر ضخامت و مقدار ضریب شکست مؤثر نقص بر روی سرعت نور در بلور فوتونیک یک بعدی بررسی شده است. نتایج محاسبات نشان میهد افزایش ضریب شکست، تعداد نقصها و ضخامت آن منجر به کاهش سرعت نور در بلور میشود. با بهرهگیری از نتایج به دست آمده روش نوینی برای کوکپذیری بلور فوتونیکی مطرح شده است
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1206_9d60d1ecf274acf21051be40ddf12905.pdf
2019-11-26
87
90
10.18869/acadpub.ijpr.16.3.87
بلور فوتونیکی
موج کند
کوک پذیری
علیرضا
بنانج
1
پژوهشکده لیزرو اپتیک، پژوهشگاه علوم و فنون هستهای ، سازمان انرژی اتمی، تهران
AUTHOR
مرضیه
اسدنیا فرد جهرمی
kh.asadnia@gmail.com
2
پژوهشکده لیزرو اپتیک، پژوهشگاه علوم و فنون هستهای ، سازمان انرژی اتمی، تهران
LEAD_AUTHOR
1. M L Povinelli, S G Johnson, and J D Joannopoulous, Opt. Express 13 (2005) 7145.
1
2. T. Baba, Nature Photonics 2 (2008) 465.
2
3. C Li, Z Dutton, C Behroozi, and L Hau, Nature 409 (2001), 490 .
3
4. M Settle, R Engelen, M Salib, A Michaeli, L Kuipers, and T Krauss, Opt. Express 15 (2007) 219.
4
5. A Yariv, Y Xu, R K Lee, and A Scherer, Opt. Lett. 24 (1999) 711.
5
6. Y A Vlasov, M O’Boyle, H F Hamann, and S J McNab, Nature 438, (2005) 65 .
6
7. T Baba, T Kawasaki, H Sasaki, J Adachi, and D Mori, Opt. Express 16 (2008) 9245.
7
8. A Bananej, S M Hamidi, W. Li, C. Li, and M M Tehranchi, Opt. Mater. 30, 12 (2008) 1822.
8
9. A Taflove, S G Johnson, and A Oskooi, “Advances in FDTD Computational Electrodynamics: Photonics and Nanotechnology,” Artech House, Norwood, MA (2013).
9
10. H Tian and Y Ji, Mod. Phys. Lett. B 23, 8 (2009) 1053.
10
11. S Rawal, K Sinha, and M De La Rue, Opt. Express 17 (2009) 552
11
ORIGINAL_ARTICLE
سالیتونهای متراکم و رقیق غبار یون- آکوستیک در پلاسمای کوانتومی چهار مؤلفهای
در این مقاله انتشار امواج غیر خطی کوانتومی سولیتاری یون- آکوستیک غباری در پلاسمای کوانتومی غیر مغناطیده که از الکترونها ویونهای بدون اینرسی کوانتومی، یونهای سرد کلاسیکی و دانههای غبار منفی ساکن تشکیل شده و با استفاده از روش اختلال کاهشی، معادله کورت وگ د وریس در آن به دست آمده، مورد مطالعه قرار گرفته است. از معادلات هیدرو دینامیک کوانتومی که تصحیحات آمار کوانتومی و پراکندگی کوانتومی در آن لحاظ شده استفاده شده است. نشان داده شده که بسته به مقدار بحرانی چگالی ذرات غبار، که خود وابسته به پارامتر کوانتومی است، امکان انتشار هر دو نوع سالیتون فشرده و رقیق در پلاسمای ذکر شده وجود دارد. به علاوه، دامنه و پهنای هر دو نوع سالیتون با افزایش غلظت ذرات غبار افزایش می یابد. همچنین با افزایش پارامتر پراکندگی کوانتومی، پهنای سالیتون فشرده کاهش و پهنای سالیتون رقیق افزایش مییابد و دامنه هر دو نوع سالیتون مستقل از پارامتر کوانتومی است. نتایج این مقاله میتواند در تحقیقات مربوط به پلاسماهای کیهانی و همچنین وسایل الکترونیکی در ابعاد میکرو و نانو مفید باشد
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1207_7ceb6a77083c48fe4c3cacbb4ebee20b.pdf
2019-11-26
91
96
10.18869/acadpub.ijpr.16.3.91
پتانسیل بوهم
معادله کورت وگ د وریس
پلاسمای کوانتومی
سالیتون رقیق و متراکم
محمودرضا
روحانی
rouhanik@yahoo.com
1
گروه فیزیک دانشگاه الزهرا، تهران
LEAD_AUTHOR
امینه
اکبریان
2
گروه فیزیک دانشگاه الزهرا، تهران
AUTHOR
زهره
محمدی
3
گروه فیزیک دانشگاه الزهرا، تهران
AUTHOR
1. G Manfredi and F Haas, Phys. Rev. B 64 (2001) 075316.
1
2. F Haas et al., Phys. Plasmas 10 (2003) 3858.
2
3. Y D Jung, Phys. Plasmas 8 (2001) 3842.
3
4. D Kremp, Th Bornath, M Bonitz, and M Schlanges, Phys. Rev. E 60 (1999) 4725.
4
5. A V Andreev, Journal of Experimental and theoretical letters. 72 (2000) 238.
5
6. M Marklund and P K Shukla, Rev. Mod. Phys. 78 (2006) 591.
6
7. P A Markowich, C A Ringhofer, and C Schmeiser, "Semiconductor Equations," Springer-Verlag, New York (1990).
7
8. G V Shpatakovskaya, J. Exp. Theor. Phys. 102 (2006) 466.
8
9. L Wei and Y Wang, Phys. Rev. B 75 (2007) 193407.
9
10. L K Ang, T J T Kwan, and Y Y Lau, Phys. Rev. Lett. 91 (2003) 208303.
10
11. T C Killian, Nature 441 (2006) 298.
11
12. K Becker, K Koutsospyros, and S M. Yin et al., Plasma Phys. Control. Fusion B 47 (2005) 513.
12
13. F Hass et al. Phys. Plasmas 10 (2003) 3858.
13
14. S A Khan and A Mushtaq Phys. Plasmas 14 (2007).
14
15. S A Khan et al., Phys. Lett. A 372 (2008) 148.
15
16. G Das and J Sarma, Phys. Plasmas 6 (1999) 4394.
16
17. D A Mendis, Plasma Sources Sci. Technol. A 11 (2002) 219.
17
18. W Moslem, Phys. Lett. A 351 (2006) 290.
18
19. B Tian and Y T Gao, Phys. Lett. A 340 (2005) 449.
19
20. E Tandberg-Hansena and A G Emsile, "The Physics of Solar Flares," Cambridge University Press, Cambridge (1988).
20
21. S A Khan and Q Haque, Chin. Phys. Lett. 25, 12 (2008) 4329.
21
22. S Ali, W M Moslem, P K Shukla, and R Schlickeiser, Phys. Plasmas 14 (2007) 082307.
22
23. H Washimi and T Taniuti, Phys. Rev. Lett. 17 (1966) 996.
23
24. A Mushtaq and S A Khan, Phys. Plasmas 14 (2007) 052308
24
ORIGINAL_ARTICLE
مقایسه گسیل یونی و پرتوی ایکس سخت بین نیتروژن و آرگون در دستگاه پلاسمای کانونی نوع مدر
در این مطالعه، برخی از مشخصههای دستگاه پلاسمای کانونی نوع مدر نظیر جریان تخلیه، زمان پینچ، شار یون و شدت پرتو ایکس سخت به طور همزمان برای گازهای آرگون و نیتروژن در شرایط مختلف فشار گاز و ولتاژ بانک خازنی بررسی شده است. مشاهدات نشان داد که پدیده پینچ در جریان تخلیه و نیز شدت یون و پرتو ایکس سخت گسیلی وابسته به انرژی و فشار گاز است. فشار بهینه با بیشترین شار یون گسیلی و بالاترین شدت پرتوی ایکس سخت، تقریباً وابستگی خطی به ولتاژ شارژ دستگاه دارد. بیشینه شار یونی هر دو گاز در حدود 1018 یون بر استرادیان برآورد گردید. گسیل پرتو ایکس سخت اندکی پس از سیگنال فنجان فارادی ثبت شد. همچنین فشار بهینه با بیشترین شار یون با بالاترین شدت گسیل پرتو ایکس سخت در یک زمان نبود. شدت پرتو ایکس سخت در فشارهای بالاتری به بیشینه مقدار خود رسید.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1208_ebaaae55bab90a6ba80ac5bd3186b83c.pdf
2019-11-26
97
101
10.18869/acadpub.ijpr.16.3.97
پلاسمای کانونی(PF)
زمان پینچ
شار یون
فنجان فارادی (FC)
اشعه ایکس سخت
صالح
پقه
1
1. گروه مهندسی هستهای، دانشکده علوم و فناوریهای نوین، دانشگاه اصفهان، اصفهان
AUTHOR
محمد رضا
عبدی
r.abdi@phys.ui.ac.ir
2
. گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه اصفهان، اصفهان
LEAD_AUTHOR
بابک
شیرانی
3
1. گروه مهندسی هستهای، دانشکده علوم و فناوریهای نوین، دانشگاه اصفهان، اصفهان
AUTHOR
1. J W Mather, Phys. of Fluids 8 (1965) 366.
1
2. N V Filippov et al., Nucl. Fus. Suppl. 2 (1962) 577.
2
3. K Takao et al., Japan. J. Appl. Phys. 40 (2001) 1013.
3
4. M J Bernstein, Phys. Fluids 13 (1970) 2858.
4
5. M Mohammadnejad et al., Rev. Sci. Instrum. 84 (2013) 073505 .
5
6. M J Bernstein and G G Comisar, Phys. Fluids 15 (1972) 700.
6
7. T Katsouleas and J M Dawson, Phys. Rev. Lett. 51 (1983) 392.
7
8. M G Heines, Nucl. Inst. and Methods 207 (1983) 179.
8
9. H R Yousefi et al., Phys. Plasmas 13 (2006) 114506.
9
10. S P Gary and F Hohl, Phys. Fluids 16 (1973) 997.
10
11. S P Gray, Phys. Fluids, 17 (1974) 2135.
11
12. Y Mizuguchi et al., Phys. Plasmas 14 (2007) 032704.
12
13. T Haruki et al., Phys. Plasmas 13 (2006) 082106.
13
14. R Deutcch and W Kies, Plasma Phys. Control. Fusion 30 (1988) 263.
14
15. R A Behbahani and F M Aghamir, Phys. Plasmas 18 (2011) 103302.
15
16. R A Behbahani and F M Aghamir, J. Appl. Phys.111 (2012) 043304.
16
17. J N Feugeas et al., Rad. Eff. Def. Solids 128 (1994) 267.
17
18. M Zakaullah et al., Phys. Plasmas 6 (1999) 3188.
18
19. V N Pimenov et al., Nukleonika 51,1 (2006) 71.
19
20. R S Rawat et al., Mat. Res. Bull. 35 (2000) 477.
20
21. R S Rawat et al., Surf. Coat. Tech. 138 (2001) 159 .
21
22. H Kelly et al., Plasma Sources Sci. Technol. 5 (1996) 1.
22
23. M T Hosseinnejad et al., J. Fusion Energy 30 (2011) 516.
23
24. M Shafiq et al., Chin. Phys. B 19, 1 (2010) 012801.
24
25. S J Pestehe, et al., Phys. Plasmas 21 (2014) 033504.
25
26. M Hassan et al., J. Phys. D: Appl. Phys. 40 (2007) 769.
26
27. H Kelly et al., IEEE. Trans. Plasma Sci. 26, 1 (1998) 113.
27
28. G R Etaati, et al., J. Fusion Energy. 30 (2010) 121.
28
29. M Bhouyan et al., Physics of Plasmas, 18 (2011) 033101.
29
30. T Yamamoto et al., Japan. J. Appl. Phys. 23 (1984) 242.
30
31. H Heo and D K Park, Phys. Scr. 65 (2002) 350.
31
32. S Lee, IEEE Trans. on Plasma Sc. 19 (1991) 912
32
ORIGINAL_ARTICLE
پنهان سازی اجسام در ناحیه LWIR با استفاده از یک پیکسل مادون قرمز با کارایی بالا
این مقاله به معرفی یک پیکسل جدید که قابلیت گسیل امواج مادون قرمز از سطح خود را دارا میباشد و میتواند به منظور پنهان سازی اجسام از دوربینهای حرارتی مورد استفاده قرار گیرد میپردازد. این پیکسل قابلیت شبیه سازی دماهای بین صفر تا 100 درجه سانتیگراد که امواج مادون قرمزی در ناحیه
( LWIR (12-8
میکرومتر گسیل میکند را دارا میباشد. در ساختمان این پیکسل از مواد نانوکامپوزیت استفاده شده که قابلیتهای آن مانند فاکتور
ZT
را 40 تا 50 درصد نسبت به مواد تجاری شبیه
Bi2Te3
افزایش داده است. جنبههای فنی این پیکسل شبیه طول موجهای گسیلی، نرخ تغییر دما، کنتراست دمایی، فاکتور
ZT
و موارد دیگر که با استفاده از روشهای ترموگرافی، دماسنجی غیرتماسی، رادیومتری، روش چهار پراب
ac
و تفاضل دمایی به دست آمده نیز بحث شدهاند
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1209_afd812a9abcf314f95ddc331695fb7d1.pdf
2019-11-26
103
106
10.18869/acadpub.ijpr.16.3.103
مادون قرمز
پیکسل
پنهان سازی
نانوکامپوزیت
LWIR
علی
عرب
1
گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر
AUTHOR
حمیدرضا
بهزادی
ir.optic@yahoo.com
2
گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر
LEAD_AUTHOR
محمد
یوسفی
3
گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، شاهین شهر
AUTHOR
1. E L Dereniak and G D Boreman, “Inferared Detectors and Systems”, John Wiley & sons, Inc. (1996).
1
2. P W Kruse, Semiconduct. Semimet. 47 (1997) 17.
2
3. A Rogalski, Prog. Quantum Electron. 27 (2003) 59.
3
4. J D Vincent, “Fundamental of Inferared Detector Operation and Testings”, Wiley (1990).
4
5. R G Driggers, P Cox, and T Edwards, “Introduction to Inferared and Electro-Optical Systems”, Artech House, INC, Boston (1998).
5
6. J W Bos, “Thermoelectric materials: efficiencies found in nanocomposites, education in chemistry”, Royal Society of Chemistry (2012).
6
7. J Jiang, L Chen, Q Yao, S Bai, and Q Wang, Materials Chemistry and Physics, 92, 1 (2005) 39.
7
8. B Poudel, Q Hao, and Y Ma et al., Science, 320, 5876 (2008) 634.
8
9. Y Q Cao, X B Zhao, T J Zhu, X B Zhang, and J P Tu, Applied Physics Letters, 92 (2008) 14.
9
10. M Salavati-Niasari, M Bazarganipour, and F Davar, Journal of Alloys and Compounds, 489, 2 (2010) 530.
10
11. X Tang, W Xie, H Li, W Zhao, Q Zhang, and M Niino, Applied Physics Letters, 90, 1(2007) 5.
11
12. W Xie, X Tang, Y Yan, Q Zhang, and T M. Tritt, Applied Physics Letters, 94, 10 (2009) 4.
12
13. L D Zhao, B P Zhang, J F Li, M Zhou, W S Liu, and J Liu, Journal of Alloys and Compounds, 455, 1-2 (2008) 259.
13
14. G S Nolas, J Sharp, and H J Goldsmid, "Thermoelectrics: Basic Principles and New Materials Developments," Springer, New York, USA (2001).
14
ORIGINAL_ARTICLE
اثرات کوانتومی خلأ برای یک ریسمان بوزونی جرمدار در حضور میدان پسزمینه
ما در این مقاله اثر کازیمیر را برای مدل ریسمان بوزونی جرم دار کشیده شده میان دو غشا در فضای تخت و در حضور یک میدان پس زمینه پاد متقارن بررسی خواهیم کرد. این مدل، تعمیمی است از مسئله ریسمان بی جرم در میدان پس زمینه، که مدلی شناخته شده در چارچوب نظریه ریسمان است. برای یافتن انرژی کازیمیر، هامیلتونی کانونی ریسمان را به صورت یک برهم نهی از مدهای نوسانگر هماهنگ ساده به دست خواهیم آورد. پس از کوانتش، این مدهای نوسانی را میتوان با نوسانگرهای هماهنگ کوانتومی هم ارز دانست. در نتیجه میتوان انرژی حالت پایه کوانتومی (خلا) ریسمان را به صورت جمعی از انرژیهای تراز صفر کوانتومی این نوسانگرهای هماهنگ نمایش داد. بدین سان انرژی خلا به صورت یک جمع نامتناهی به دست خواهد آمد که با منظم سازی آن، انرژی کازیمیر را به صورت تابعی از میدان پس زمینه و پارامتر جرمی ریسمان خواهیم یافت. با تعبیر این انرژی کازیمیر به عنوان جرم حالت پایه ریسمان، جمله تصحیحی وابسته به میدان پس زمینه، برای حالت پایه ریسمان خواهیم یافت و نشان خواهیم داد که برای میدانهای زمینه بزرگ، حالت پایه ریسمان حاوی ذراتی حقیقی (ناتکیونی) خواهد بود.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1210_6ab05ca4a8897660f041892def7ebc29.pdf
2019-11-26
107
110
10.18869/acadpub.ijpr.16.3.107
انرژی کازیمیر
ریسمان بوزونی
میدان پسزمینه
تصحیحات وابسته به میدان پس زمینه برای جرم ریسمان
یوسف
کوهساریان
yo.koohsarian@stu-mail.um.ac.ir
1
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه فردوسی مشهد، مشهد
LEAD_AUTHOR
احمد
شیرزاد
2
پژوهشگاه دانشهای بنیادی (IPM)، تهران
AUTHOR
1. H B G Casimir, Proc. K. Ned. Akad. Wet 51 (1948) 793.
1
2. V M Mostepanenko and N N Turnov, “The Casimir effect and its applications,” Oxford University Press, Oxford (1997).
2
3. M Bordag, G L Klimchitskaya, U Mohideen, and V M Mostepanenko, “Advances in the CasimirEffect,” Oxford Science Publications (2009).
3
4. I Brevik and H B Nielsen, Phys. Rev. D 41 (1990)1185; 51 (1995) 1869.
4
5. M Fabinger and P Horava, Nucl. Phys. B 580 (2000) 243.
5
6. H Gies, K Langfeld, and L Moyaerts, JHEP 18 (2003) 306.
6
7. X Li, X Shi, and J Zhang, Phys. Rev. D 44 (1991)560.
7
8. I Brevik and E Elizalde, Phys. Rev. D 49 (1994) 5319.
8
9. M H Berntsen, I Brevik, and S D Odintsov, Ann. Phys. 257 (1997) 84.
9
10. L Hadasz, G Lambiase, and V V Nesterenko, Phys. Rev. D 62 (2000) 025011.
10
11. E D'Hoker and P Sikivie, Phys. Rev. Lett. 71 (1993) 1136.
11
12. E D'Hoker, P Sikivie, and Y Kanev, Phys. Lett. B 347 (1995) 56.
12
13. C S Cho and P M Ho, Nucl. Phys. B 636 (2002) 141.
13
14. N Seiberg and E Witten, JHEP 9 (1999) 32.
14
15. C S Cho and P M Ho, Nucl. Phys. B 550 (1999) 151.
15
16. F Ardalan, H Arfaei, M M Sheikh-Jabbari, JHEP 16 (1999) 9902.
16
17. R Gopakumar, S Minwalla, and A Strominger, JHEP 18 (2001) 104.
17
18. A Sen, JHEP 48 (2002) 204.
18
19. D Kutasov, M Marino, and G Moore, JHEP 10 (2000) 45.
19
20. L Rastelli, A Sen, and B Zwiebach, Adv. Theor. Math. Phys. 5 (2002) 353.
20
21. A Shirzad, A Bakhshi, and Y Koohsarian, Mod. Phy. Lett. A 27 (2012) 1250073.
21
22. M Bordag, U Mohideen, and V M Mostepanenko, Phys. Rep. 353 (2001) 1205.
22