ORIGINAL_ARTICLE
مطالعة بنیادی برهمکنش گاز N2O بر روی سطوح حالتهای خالص و آلایش یافته با Si، Ga و SiGa نانولولة آرمچیر بور فسفید: به روش DFT
در این تحقیق با استفاده از نظریة تابعی چگالی، پارامترهای الکتریکی، ساختاری، کوانتومی و تشدید مغناطیس هستهای (NMR) مربوط به برهمکنش گاز N2O بر روی موقعیت اتمهای B و P حالتهای خالص و آلایش یافته با Si، Ga و SiGa نانولولۀ آرمچیر(4 و 4) بور فسفید(BPNTs) مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور هفت مدل جذبی را بر روی سطح خارجی نانولولة بور فسفید در نظر گرفته و سپس تمام ساختارهای مورد مطالعه را با استفاده از روش B3LYP و توابع بنیادی 6-31G(d) بهینه کردهایم . ساختارهای بهینه شده برای محاسبة پارامترهای الکتریکی، ساختاری، کوانتومی و NMR مورد استفاده قرار گرفتهاند. نتایج حاصل نشان میدهد که مقادیر انرژیهای جذب تمام مدلهای مورد مطالعه منفی بوده، گرماده و از نظر ترمودینامیکی مساعد هستند. هنگامی که گاز N2O از سر اکسیژن خود جذب اتم بور نانولوله شود، این گاز به اکسیژن اتمی و نیتروژن مولکولی تفکیک میشود. در این حالت انرژی جذب بیشتر از سایر مدلها بوده لذا از سایر مدلها نیز پایدارتر است. در مدلهای جذبی A ، B و C پارامتر سختی کروی نانولوله کاهش قابل توجهی را نسبت به حالت اولیه نشان میدهد که بیانگر افزایش واکنشپذیری و فعالیت نانولوله است. همچنین در این مدلها مقدار الکترونخواهی، پتانسیل شیمیایی، الکترونگاتیویته و پارامتر نرمی افزایش قابل ملاحظهای را نسبت به حالت اولیه نشان میدهند. نتایج حاصل از محاسبات NMR نشان میدهد مقادیرCSI در مدل C از سایر مدلها بیشتر است. نتایج این تحقیق نشان میدهد نانولولههای بور فسفید آلایش یافته با Si ، Gaو SiGaانتخاب مناسبی برای جذب و تهیه حسگر گاز N2O هستند.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1629_53f7ebe7ddfb77ec0508bfe9a92e1a2a.pdf
2020-11-21
39
49
10.47176/ijpr.20.3.20912
BPNTS
DFT
NMR
جذب N2O
آلایش یافته Ga
Si و SiGa
مهدی
رضایی صامتی
mrsameti@gmail.com
1
گروه شیمی فیزیک، دانشکدة علوم پایه، دانشگاه ملایر
LEAD_AUTHOR
خاطره
هادیان
2
گروه شیمی فیزیک، دانشکدة علوم پایه، دانشگاه ملایر
AUTHOR
A S Tarendash, Let's review: chemistry, the physical setting, Barron's Educational Series (2004).
1
M Iwamotoand H Hamada, Catal. Today 10 (1991) 57.
2
F Kaptein, J Rodriguez-Mirasol, and J A Moulijn, App. Cataly B 9 (1996) 25.
3
G Delahay, M Mauvezin, B Coq, and S Kieger, J. Cataly 202 (2001) 156.
4
B Coq, M Mauvezin, G Delahay, J B Butet, and S Kieger, App. Cataly B 27 (2000)193.
5
B Moden, P Da Costa, B Fonfe, D Ki Lee, and E Iglesia, J. Cataly 209 (2002) 75.
6
A Martinez, A Goursot, B Coq, and G Delahay, J. Phys. Chem. B 108 (2004) 8823.
7
A R Ravishankara, J S Daniel, and R W Portmann, Science 326 (2009) 23.
8
M T Baei, A Soltani, A V Moradi, and E Tazikeh Lemeski, Com. Theo. Chem. 970 (2011) 30.
9
10. M T Baei and A Soltani, A V Moradi, M Moghimi, Monatsh Chem. 142 (2011) 573.
10
11. A Soltani, M Ramezani Taghartapeh, E Tazikeh Lemeski, M Abroudi, and H Mig, Superlatt Microstruct 58 (2013)178.
11
12. X Solans-Monfort, M Sodupe, and V Branchadell, Chem. Phys. Lett. 368 (2003) 42.
12
13. M Mirzaei, Z Phys. Chem. 223 (2005) 815.
13
14. M T Baei, A Varasteh Moradi, P Torabi, and M Moghimi, Monatsh Chem. 142 (2011) 1097.
14
15. M T Baei, A Ahmadi Peyghan, and M Moghimi, Monatsh Chem. 143 (2012) 1627.
15
16. M T Baei, Monatsh Chem. 143 (2012) 881.
16
17. M Mirzaei, J. Mol. Model 17 (2011) 89.
17
18. A Ahmadi Peyghan M T, Baei, M Moghimi, and S Hashemian, J. Clust. Sci 24 (2013) 49.
18
19. M T Baei, A Varasteh Moradi, P Torabi, and M Moghimi, Monatsh Chem 143 (2012) 37.
19
20. K Li, W Wang, D Cao, Sens Actuat B Chem. 159 (2011)171.
20
21. M Rezaei-Sameti, Physica B 407 (2012)3717.
21
22. M Rezaei-Sameti, Physica E 44 (2012)1770.
22
23. M Rezaei-Sameti and S Yaghobi, Comp. Condense Matt. 3 (2015) 21.
23
24. M Rezaei-Sameti, Physica B 407 (2012) 22.
24
25. M Rezaei-Sameti, E A Dadfar, Iran. J. Phys. Res. 15 (2015) 41.
25
26. M J Frisch, et al., GAUSSIAN 03 (2003).
26
27. P K Chattaraj, U Sarkar, and D R Roy, Chem. Rev. 106 (2006) 2065.
27
28. K K Hazarika, N C Baruah, and R C Deka, Struct. Chem. 20 (2009)1079.
28
29. R G Parr, L Szentpaly, and S Liu, J. Am. Chem. Soc. 121(1999) 1922.
29
30. C Tabtimsai, S Keawwangchai, N Nunthaboot, V Ruangpornvisuti,and B Wanno, J Mol Model 18 (2012) 3941.
30
A E Reed, L A Curtiss, F Weinhold, Chem. Rev. 88 (1988) 899.
31
ORIGINAL_ARTICLE
یک روش جدید برای سنتز نانوذرات اکسید نیکل برای فعالیت ضد باکتریایی
در این کار، نانوذرات اکسید نیکل (NiO NP) از طریق پرتو افکنی نوری به عنوان یک روش جدید سنتز شدهاند. این یک روش ساده و مقرون به صرفه است. اندازة متوسط و ریخت شناسی ذرات توسطAFM ،TEM و SEM مورد بررسی قرار گرفت. تبلور با تجزیه و تحلیل XRD براورد شد و قدرت میدان مغناطیسی نمونهها با استفاده از دستگاه گوس متر اندازهگیری شد. مطالعات XRD تأیید کردند که نانوذرات اکسید نیکل درجة بالایی از تبلوردارند. اندازة ذرات اکسید نیکل در حدود 12 نانو متر بود. مقادیر ناحیة مهار نشان میدهد که نانوذرات نسبت به باکتریهای مختلف تأثیر دارند. بنابراین نتایج حاصل نشان داد که روش جدیدی برای سنتز نانوذرات NiO میتواند به عنوان عوامل ضد میکروبی علیه باکتریها نویدبخش باشد.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1630_50e56ee08bed1ec9b185c7fc0f629e5c.pdf
2020-11-21
51
55
10.47176/ijpr.20.3.38771
اکسید نیکل
پرتو افکنی نوری
ضد میکروب
Ahmed
Rheima
ahmed.rheima@yahoo.com
1
گروه شیمی، دانشکدة علوم، دانشگاه واسط، واسط، عراق
AUTHOR
Ahmed
Abed Anber
ahmedkrm88@gmail.com
2
گروه امور دانشجویی و ثبت نام، دانشگاه علوم الکرخه، بغداد، عراق
AUTHOR
Anfal
Shakir
anfal@gmail.com
3
گروه شیمی، دانشکدة بیوتکنولوژی، دانشگاه سبز القاسم، عراق
AUTHOR
Ammar
Salah Hammed
ammar.s@uokerbala.edu.iq
4
گروه فیزیک، دانشکدة علوم، دانشگاه کربلا، کربلا، عراق
LEAD_AUTHOR
Shahad
Hameed
shahad.hameed@yahoo.com
5
گروه شیمی، دانشکدة علوم، دانشگاه واسط، واسط، عراق1
AUTHOR
J W Costerton, Annu. Rev. Microbiol. 41, 1 (1987) 435.
1
H Pang, Bacterial biofilms Chem Comm. 48 (2009) 7542-754.
2
M Oussalah, Food control. 18, 5 (2007) 414.
3
P S Mead, Emerg Infect Dis. 5, 5 (1999) 607.
4
G A Burton, G Douglas, and R L Guy, Appl. Environ. Microbiol. 53, 4 (1987) 633.
5
A R Shahverdi, Biology and Medicine 3, 2 (2007) 168.
6
A Jokar and A Ramazani, Iran. J. Phys. Res. 18, 3 (2018) 401.
7
N Dharmaraj, Mater. Chem. phys. 87, 1 (2004) 5.
8
Y Changzhou, J. Mater. Chem. 19, 32 (2009) 5772.
9
10. W R Jarvis and J M William, Antimicrob. Chemother. Suppl.A 29 (1992) 19.
10
11. J W Chow, Annals of internal medicine. 115, 8 (1991) 585.
11
12. K K Lai,Medicine. 80, 2 (2001) 113.
12
13. A R Hoffmaster, Proc Natl AcadSci. 101, 22 (2004) 8449.
13
14. A M Rheima, et al., Journal of Southwest Jiaotong University 54, 5 (2019) 34.
14
15. D H Hussain, et al., Egyptian Journal of Chemistry 62, 11 (2019) 417.
15
16. X Song and G Lian, J. Phys. Chem. C. 112, 39 (2008) 15299.
16
17. S V Ganachari, Recent Res. Sci. Technol. 4, 4 (2012) 16.
17
18. B M Lund, Lancet. 336. 20 (1990) 982.
18
19. D A Wruck and M J Rubin, Electrochem. Soc. 140, 4 (1993) 1097.
19
20. S J Yamada, Appl. Phys. 63, 6 (1988) 2116.
20
21. K Yoshimura, M Takeshi, and T Sakae. Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 2440.
21
22. X Wang, Nanotechnology 6, 1 (2004) 37.
22
23. S D Sarker, L Nahar, and Y Kumarasamy. Methods 42 (2007) 321.
23
24. N Naz and M Z Iqbal. Sci. Int. (Lahore) 23 (2011) 27.
24
25. J Nathanael, J H Lee, D Mangalaraj, S I Hong, and Y H Rhee, Powder Technol 228 (2012) 410.
25
26. K Soo-Hwan, H S Lee, D S Ryu, S J Choi, D S Lee, J Microbial Biotechnol 39 (2011) 77.
26
Ali H. A. Jalaukan et. al., Iranian Journal of Materials Science & Engineering 16, 4 (2019) 53.
27
ORIGINAL_ARTICLE
بررسی تجربی رشد جزایر مغناطیسی در پلاسماهای توکامک با اعمال محدود کنندة یکطرفه گسیلنده و میدان تشدید مارپیچی
در عصر حاضر، محصورسازی گداخت مغناطیسی به عنوان راهی برای تولید انرژی در نظر گرفته میشود. در این تحقیق، یکی از محدودیتهای مگنتوهیدرودینامیکی یعنی جزایر مغناطیسی که به دلیل اثرات فشار ایجاد میشوند، مورد بحث قرار گرفت و لازم است به صورت سطوح مغناطیسی بسته، توسط یک جداگر که آنها را از سایر قسمتها جدا میکند، احاطه شوند. از میدانهای مغناطیسی خارجی، ضریب ایمنی و پروفایلهای فشار، برای کنترل جزایر مغناطیسی استفاده میشود. این امر از طریق یک محیط خارجی، منحصراً گرمایش سیکلوترونی الکترون و همچنین جریان راهانداز انجام میشود. مطالعة سطوح شار مغناطیسی و تأثیر اختلالات مغناطیسی بر روی پلاسماهای توکامک، ما را از تشکیل جزایر مغناطیسی و محل آنها آگاه میسازد. در این تحقیق، همراه با بررسی جامع جزایر مغناطیسی و اهمیت آنها، روشهای مرسوم برای بهبود محصورسازی مغناطیسی معرفی و مورد بحث قرار گرفتند. در این راستا، روش محدود کننده یکطرفه داغ و میدان تشدید مارپیچی که توسط سیم پیچهای مارپیچی خارجی تولید میشود، معرفی و مورد استفاده قرار گرفتند و جریان پلاسما، ولتاژ حلقه و نوسانات میرنوف برای حالتهای مختلف به دست آمدند. در نهایت، عرض جزایر مغناطیسی و نرخ رشد آنها محاسبه و با نتایج تجربی مقایسه شدند.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1639_68fa6883586d449987f00b9dccc85f58.pdf
2020-11-21
57
63
10.47176/ijpr.20.3.3424
توکامک
جزایر مغناطیسی
جداگر
محدود کنندة یکطرفه
میدان تشدید مارپیچی
اکبر
اصلانی
1
دانشکدة فیزیک، دانشگاه اصفهان، اصفهان
AUTHOR
مهدی
نصری نصرآبادی
mnnasrabadi@ast.ui.ac.ir
2
دانشکدة فیزیک، دانشگاه اصفهان، اصفهان
LEAD_AUTHOR
A Sykes and J A Wesson, Phys. Rev. Lett. 44 (1980) 1215.
1
S V Mirnov and I B Semenov, Sovier Atomic Energy 30 (1971) 22.
2
S Von Goeler, W Stodiek, and N Sauthoff, Phys. Rev. Lett. 33 (1974) 1201.
3
F Karger, H Wobig, S Corti, J Gernhardt, O Kluber, G Lisitano, K Mccormick, D Meisel, and S Sesnic, 5th Conference Proceedings Tokyo, 11 (1974).
4
B V Waddell, B Carreras, H R Hicks, J A Holmes, and D K Lee, Phys. Rev. Lett. 41 (1978) 1386.
5
J J Ellis, A A Howling, A W Morris, and D C Robinson, 10th Int. Conf. on Plasma Physics and Controlled Nuclear Fusion, London, UK, 1 (1984) 363.
6
T C Hender, R Fitzpatrick, A W Morris, P G Carolan, R D Durst, T Edlington, J Ferreira, S J Fielding, P S Haynes, J Hugill, I J Jenkins, R J La Haye, B J Parham, D C Robinson, T N Todd, M Valovic, and G Vayakis, Nucl. Fusion 32 (1992) 2091.
7
M S T Araujo, A Vannucci, I L Caldas, and I L Nuovo Cimento D 18 (1996) 807.
8
E J Strait, E D Fredrickson, J M Moret, and M Takechi, Fusion Sci. Technol. 53 (2006) 304.
9
10. V S Mukhovatov and V D Shafranov, Nucl. Fusion 11 (1971) 605.
10
11. S H Seo, Phys. Plasmas 16 (2009) 032501.
11
12. H Noor Mohamadigh, A Salar Elahi, and M Ghoranneviss, Journal of Nuclear and Particle physics 4, 5 (2014) 142.
12
13. M Ghoranneviss, A Hogabri, and St Kuhn, Nucl. Fusion 43 (2003) 210.
13
ORIGINAL_ARTICLE
حد سرعت کوانتومی تولید درهمتنیدگی اتم- یون در اتصال جوزفسون
در این پژوهش به مطالعة تونلزنی یک اتم در داخل یک چاه پتانسیل دوتایی پرداختهایم. اتم در برهمکنش با یک یون است که در یک چاه هماهنگ ساده در مرکز چاه دوتایی قرار دارد. تونلزنی اتم را میتوان با استفاده از اسپین و یا حالتهای فضایی یون کنترل کرد. با در نظر گرفتن یک پتانسیل مدل نشان دادهایم که میتوان یک حالت درهمتنیده بین حالت فضایی یون و تابع موج اتم تولید کرد. با استفاده از روش کنترل بهینه به بررسی سریعترین فرایند ممکن برای دستیابی به این حالت درهمتنیده پرداختهایم. این دستگاه میتواند به عنوان کیوبیت در کامپیوترهای کوانتومی مورد استفاده قرار گیرد.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1631_6f14090447df827713e9eab80736387e.pdf
2020-11-21
401
409
10.47176/ijpr.20.3.38821
درهم تنیدگی اتم یون
الگوریتم پایههای تصادفی
کنترل بهینه
حد سرعت کوانتومی
شاهپور
سعیدیان
saeidian@iasbs.ac.ir
1
دانشکدة فیزیک، دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایة زنجان، زنجان مرکز پژوهشی اپتیک، دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایة زنجان، زنجان
AUTHOR
مصطفی
رجبی ابقا
mrebgha@iasbs.ac.ir
2
دانشکدة فیزیک، دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایة زنجان، زنجان
LEAD_AUTHOR
P Pfeifer, Phys. Rev. Lett. 70 (1993) 3365.
1
Bhattacharyya, K. J. Phys. A: Math. Gen. 16 (1983) 2993.
2
N Margolus and L B. Levitin, Physics D 120 (1998) 188.
3
S Deffner and S Camplell, Journal of Physics A: Mathematical and Theoretical 50 (2017) 453001.
4
S van Frank, A Negretti, T Berrada, R Bcker, S Montangero, J F Schaff, T Schumm, T Calarco, and J Schmiedmayer, Nature Communications 5 (2014) 4009.
5
S van Frank, M Bonneau, J Schmiedmayer, S Hild, C Gross, M Cheneau, I Bloch, T Pichler, A Negretti, T Calarco, and S Montangero, Scientific Reports 6 (2016) 34187.
6
D C Brody, Journal of Physics A: Mathematical and General 36 (2003) 5587.
7
V F Krotov, “Global Methods in Optimal Control Theory”, Mercel Dekker, New York (1996).
8
I Walmsley, and H Rabitz, Physics Today 56 (2003) 43.
9
10. I. Bloch, J. Dalibard, and S. Nascimbne, Nature Physics 8 (2012) 267.
10
11. M Lewenstein, A Sanpera, V Ahu_nger, B Damski, A Sen(De), and U Sen, Advances in Physics 56 (2007) 243.
11
12. N Goldman, G Juzelinas, P hberg, and I B Spielman, Reports on Progress in Physics 77 (2014) 126401.
12
13. D Leibfried, R Blatt, C Monroe, and D Wineland, Rev. Mod. Phys. 75 (2003) 281.
13
14. H Häffner, C Roos, and R Blatt, Physics Reports 469 (2008) 155.
14
15. R Blatt and C F Roos, Nature Physics 8 (2012) 277.
15
16. R Côfé, V. Kharchenko, and M. D. Lukin, Phys. Rev. Lett. 89 (2002) 093001.
16
17. R Côfé, Phys. Rev. Lett. 85 (2000) 5316.
17
18. R. Côfé and A. Dalgarno, Phys. Rev. A 62 (2000) 012709.
18
19. Z Idziaszek, T Calarco, and P Zoller, Phys. Rev. A 76 (2007) 033409.
19
20. J Bauer, C Salomon, and E Demler, Phys. Rev. Lett. 111 (2013) 215304.
20
21. J M Schurer, A Negretti, and P Schmelcher, New Journal of Physics 17 (2015) 083024.
21
22. W W Smith, O P Makarov, and J Lin, Journal of Modern Optics 52 (2005) 2253.
22
23. F H J Hall and S Willitsch, Phys. Rev. Lett. 109 (2012) 233202.
23
24. S Willitsch, M T Bell, A D Gingell, and T P Softley, Phys. Chem. Chem. Phys. 10 (2008) 7200.
24
25. K Ravi, S Lee, A Sharma, G Werth, and S Rangwala, Nature Communications 3 (2012) 1126.
25
26. C Zipkes, S Palzer, L Ratschbacher, C Sias, and M Kohl, Phys. Rev. Lett. 105 (2010) 133201.
26
27. F H J Hall, M Aymar, N Bouloufa-Maafa, O Dulieu, and S Willitsch, Phys. Rev. Lett. 107 (2011) 243202.
27
28. L Ratschbacher, C Zipkes, C Sias, and M Khl, Nature Physics 8 (2012) 649652.
28
29. A Rakshit and B Deb, Phys. Rev. A 83 (2011) 022703.
29
30. A Härter, A Krükow, A Brunner, W Schnitzler, S Schmid, and J H Denschlag, Phys. Rev. Lett. 109 (2012) 123201.
30
31. J Deiglmayr, A Göritz, T Best, M Weidemüller, and R Wester, Phys. Rev. A 86 (2012) 043438.
31
32. A T Grier, M Cetina, F Oručević, and V Vuletić, Phys. Rev. Lett. 102 (2009) 223201.
32
33. W W Smith, D S Goodman, I Sivarajah, J E Wells, S Banerjee, R Côté, H H Michels, J A Mongtomery, and F A Narducci, Applied Physics B 114 (2014) 75.
33
34. S Schmid, A Harter, and J H Denschlag, Phys. Rev. Lett. 105 (2010) 133202.
34
35. C Zipkes, L Ratschbacher, S Palzer, C Sias, and M Khl, Journal of Physics: Conference Series 264 (2011) 012019.
35
36. S Haze, S Hata, M Fujinaga, and T Mukaiyama, Phys. Rev. A 87 (2013) 052715.
36
37. R Gerritsma, A Negretti, H Doerk, Z Idziaszek, T Calarco, and F Schmidt-Kaler, Phys. Rev. Lett. 109 (2012) 080402.
37
38. J Joger, A Negretti, and R Gerritsma, Phys. Rev. A 89 (2014) 063621.
38
39. B D Josephson, Physics Letters 1 (1962) 251.
39
40. B D Josephson, Reviews of Modern Physics 36 (1964) 216.
40
41. M H Devoret, and J M Martinis, Quantum Information Processing 3 (2004) 163.
41
42. P Krantz, M Kyaergaard, F Yan, T P Orlanb, S Gustavsson, and W D Oliver, Applied Physics 6 (2019) 021318.
42
43. T Schweigler, et al., Nature 545 (2017) 323.
43
44. G Valtolina, et al., Science 350 (2015) 1505.
44
45. A Burchianti, et al., Phys. Rev. Lett. 120 (2018) 025302.
45
46. M Pigneur, et al., Phys. Rev. Lett. 120 (2018) 173601.
46
47. G Niccoli and J Teschner, Journal of Statistical Mechanics: Theory and Experiment (2010) 09014.
47
48. J M. Schurer, R Gerritsma, P Schmelcher, and A Negretti, Phys. Rev. A 93 (2016) 063602.
48
49. A Smerzi, S Fantoni, S Giovanazzi, and S R Shenoy, Phys. Rev. Lett. 79 (1997) 4950.
49
50. H Doerk, Z Idziaszek, and T Calarco, Phys. Rev. A 81 (2010) 012708.
50
51. T Secker, R Gerritsma, A W. Glaetzle, and A Negretti, Phys. Rev. A 94 (2016) 013420.
51
52. U Bissbort, et al., Phys. Rev. Lett. 111 (2013) 080501.
52
53. A Negretti, R Gerritsma, Z Idziaszek, F Schmidt-Kaler, and T Calarco, Phys. Rev. B 90 (2014) 155426.
53
54. D González-Cuadra, P R Grzybowski, A Dauphin, and M Lewenstein, Phys. Rev. Lett. 121 (2018) 090402.
54
55. A S Dehkharghani, E Rico, N T Zinner, and A Negretti, Phys. Rev. A 96 (2017) 043611.
55
56. M R Ebgha, S Saeidian, P Schmelcher, and A Negreti, Phys. Rev. A 100 (2019) 033616.
56
57. B R Johnson, J. Chem. Phys. 69 (1987) 4687 .
57
58. M J Seaton, Rep. Prog. Phys. 46 (1983) 167.
58
59. J M Schurer, P. Schmelcher, and A. Negretti, Phys. Rev. A 90 (2014) 033601.
59
60. S Lloyd, and S Montangero, Phys. Rev. Lett. 113 (2014) 010502.
60
61. M Albiez, R Gati, J F ̈olling, S Hunsmann, M Cristiani, and M K Oberthaler, Phys. Rev. Lett. 95 (2005) 010402 .
61
62. R Gati and M K Oberthaler, J. Phys. B 40 (2007) R61.
62
63. S Levy, E Lahoud, I Shomroni, and J Steinhauer, Nature, 449 (2007) 579 .
63
64. Atom Chips, edited by J. Reichel and V. Vuletić Wiley-VCH, Weinheim, (2011).
64
65. C Schneider, M Enderlein, T Huber, and T Schaetz, Nature Photonics 4 (2010) 772 .
65
66. M Enderlein, T Huber, C Schneider, and T Schaetz, Phys. Rev. Lett. 109 (2012) 233004 .
66
ORIGINAL_ARTICLE
ناهمسانگردی مغناطیسی در لایههای نازک کبالت- پالادیوم CoxPd100-x روی زیرلایۀ SiO2 آمورف
لایههای نازک کبالت - پالادیوم با نسبتهای مختلف، (CoxPd100-x(x=23,36,43 ، به روش لیزر پالسی روی زیرلایه فیوز سیلیکا (SiO2 آمورف) رشد داده شدند. بهمنظور مشخصهیابی ساختاری نمونهها از تحلیلهای بازتابش پرتو ایکس (XRR) و پراش پرتو ایکس (XRD) و برای بررسی ویژگیهای مغناطیسی از دستگاه اندازهگیری ویژگیهای فیزیکی (PPMS) استفاده شد. نتایج نشان میدهند که لایهها ضخامتی در محدوده 16 تا 20 نانومتر دارند و ساختار بلوری آنها مکعبی مرکز حجمی (FCC) است. همچنین لایهها دارای رشد مرجح در راستای [111]هستند. بررسی ویژگیهای مغناطیسی این لایهها نشان میدهد که با افزایش نسبت پالادیوم به کبالت، ناهمسانگردی مغناطیسی متمایل به جهت عمود بر لایه میشود که این اثر به تقویت برهمکنش اسپین - مدار ارتباط داده شده است. همچنین در این پژوهش اثر ضخامت بر ناهمسانگردی مغناطیسی موردبررسی قرار گرفته است.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1632_ea6b7e7d6625a49dea1c3c1946f1840a.pdf
2020-11-21
411
416
10.47176/ijpr.20.3.25661
لایهنازک
لایهنشانی لیزر پالسی
کبالت - پالادیوم
ناهمسانگردی مغناطیسی
مهران
سدرپوشان
mehran.sedrpooshan@gmail.com
1
دانشکدة فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان
AUTHOR
حسین
احمدوند
ahmadvand@iut.ac.ir
2
دانشکدة فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان
LEAD_AUTHOR
E S Leva, R Valente, F M Tabares, M V Mansilla, S Roshdestwensky, and A Butera, Physical Review B 82 (2010)144410.
1
M Mulazzi, A Chainani, Y Takata, Y Tanaka, Y Nishino, K Tamasaku, et al., Physical Review B 77 (2008) 224425.
2
M Ohtake, S Ouchi, F Kirino, and M Futamoto, Journal of Applied Physics 111 (2012) 07A708.
3
M Sedrpooshan, H Ahmadvand, D L González, and S van Dijken, Physical Review B 98 (2018) 214444.
4
D Weller, H Brändle, and C Chappert, Journal of magnetism and magnetic materials 121 (1993) 461.
5
S Hashimoto, Y Ochiai, and K Aso, Japanese journal of applied physics 28 (1989) 1596.
6
B Clark, A Natarajarathinam, Z Tadisina, P Chen, R Shull, and S Gupta, Journal of Magnetism and Magnetic Materials 436 (2017) 113.
7
M Sedrpooshan, H Ahmadvand, M Ranjbar, and H Salamati, Physica C: Superconductivity and its Applications 549 (2018) 122.
8
C Shen, P Yeh, F Yuan, H Chang, M Lee, D Lin, et al., Surface and Coatings Technology 350 (2018) 795.
9
G C Hermosa and A C Sun, AIP Advances 10 (2020) 015132.
10
J Childress, J Duvail, S Jasmin, A Barthelemy, A Fert, A Schuhl, et al., Journal of Applied Physics 75 (1994) 6412.
11
V R Mudinepalli, Y C Chen, P C Chang, C C Hsu, C Y Tsai, H C Chiu, et al., Journal of Alloys and Compounds 695 (2017) 2365.
12
M Björck and G Andersson, Journal of Applied Crystallography 40 (2007) 1174.
13
C Morgan, K Schmalbuch, F García-Sánchez, C M Schneider, and C Meyer, Journal of Magnetism and Magnetic Materials 325 (2013) 112.
14
X Ma, P He, L Ma, G Guo, H Zhao, S Zhou, et al., Applied Physics Letters 104 (2014) 192402.
15
W Fan, Z Shi, F Chen, and S Zhou, "Tuning Effects of Spin–Orbit Coupling in L10 Ordered and Disordered FePdPt Films", Spin (2015) 1530004.
16
A P Guimarães and A P Guimaraes, “Principles of nanomagnetism” Springer (2009).
17
A Vlachos, S Pappas, V Kapaklis, V Karoutsos, A Kordatos, F Wilhelm, et al., Journal of nanoscience and nanotechnology 12 (2012) 6240.
18
A Bollero, V Baltz, L Buda-Prejbeanu, B Rodmacq, and B Dieny, Physical Review B 84 (2011) 094423.
19
H Hu, H Chen, S Yu, L Chen, J Chen, and G Wu, Journal of magnetism and magnetic materials 299 (2006) 170.
20
ORIGINAL_ARTICLE
مطالعة جبهۀ تهاجم در محیطهای ناهمگن در راستای بررسی هندسۀ مرز تومور
ما مدلی برای بررسی وابستگی ساختار مرز تهاجم در محیط دوبعدی به مؤلفههای مختلف یک محیط سلولی طراحی کردیم. به این منظور ما از معادلة غیرخطی واکنش- پخش، موسوم به معادلة فیشر برای توصیف تحول جمعیت سلولهای تومور استفاده کردیم. ما تلاش کردیم تا نقش افت و خیز در سختی محیط و همبستگیهای فضایی میان این افتوخیزها را که در مطالعات تجربی مشاهده شدهاند بر مرز مطالعه کنیم. نتایج ما نشان دادند که سه مؤلفۀ اساسی ساختار مرز را کنترل میکنند: شدت افت و خیزها، همبستگیهای فضایی میان آنها و R/D که در آن R آهنگ تکثیر و D ضریب پخش سلولها است. ما همچنین با تحلیل مقیاسی مرز تهاجم در معادلۀ فیشر نشان دادیم که بر خلاف مطالعات گذشته، مرز تهاجم تومورها و کلونیهای سلولهای سرطانی از مدلهای شناخته شدة رشد سطح مانند کاردر- پاریزی-ژانگ پیروی نمیکنند.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1633_f32fff06c047198cd70aa0421f165b01.pdf
2020-11-21
417
424
DOI:10.47176/ijpr.20.3.38242
جبهة تهاجم
معادلة فیشر تصادفی
سختی بافت
تومور
یونس
عظیم زاده
y_azimzade@ut.ac.ir
1
دانشکدة فیزیک، دانشگاه تهران
LEAD_AUTHOR
عباس علی
صابری
2
دانشکدة فیزیک، دانشگاه تهران
AUTHOR
K S Korolev, J B Xavier, and J Gore, Nature Reviews Cancer 14, 5 (2014) 371.
1
J D Murray, “Mathematical biology: I. An introduction” Springer Science & Business Media. (2007).
2
D L DeAngelis and V Grimm, “Individual-based models in ecology after four decades.” F1000prime reports 6 (2014)
3
A Morozov and J C Poggiale, Ecological Complexity 10 (2012) 1.
4
R A Fisher, 1937. Annals of eugenics 7, 4 (1937) 355.
5
G Birzu, O Hallatschek, and K S Korolev, Proceedings of the National Academy of Sciences 115, 16 (2018) E3645.
6
Y Azimzade, M Sasar, and V M P García, “Environmental Disorder Regulation of Invasion and Genetic Loss”. arXiv preprint arXiv:1908.02532, (2019).
7
K M A Yong, Z Li, S D Merajver, and J Fu, Scientific reports 7, 1 (2017) 1.
8
A Brú, S Albertos, J L Subiza, J L García-Asenjo, and I Brú, Biophysical journal 85, 5 (2003) 2948.
9
M A C Huergo, M A Pasquale, A E Bolzán, A J Arvia, and P H González, Phys. Rev. E 82 (2010) 031903 .
10
J Pérez-Beteta, D Molina-García, A Martínez-González, A Henares-Molina, M Amo, B Luque, E Arregui, M Calvo, J M Borrás, J Martino, et al., European Radiology (2018) 1.
11
D Wirtz, K Konstantopoulos, and P C Searson, Nature Reviews Cancer 11, 7 (2011) 512.
12
M Plodinec, M Loparic, C A Monnier, E C Obermann, R Zanetti-Dallenbach, P Oertle, J T Hyotyla, U Aebi, M Bentires-Alj, R Y Lim, et al., Nature Nanotechnology 7, 11 (2012) 757.
13
S Kondo and T Miura, science 329, 5999 (2010) 1616.
14
A A Anderson, Math.Med. Biol. 22 (2005) 163.
15
P Haridas, C J Penington, J A McGovern, D S McElwain, and M J Simpson, J. Theor. Biol. 423 (2017) 13.
16
T H Keitt, Landscape Ecology 15, 5 (2000) 479.
17
Y. Azimzade, A A. Saberi, and M Sahimi,. 2018. Scientific reports 8, 1 (2018) 1.
18
ORIGINAL_ARTICLE
افزایش جذب نوری تکلایة WS2 با استفاده از لایة میانی و لایة پلاسمونیک نقره
از میان نانومواد دو بعدی، تکلایة WS2 با گاف نواری مستقیم و جذب تیز در طول موج 619 نانومتر، افق جدیدی برای کاربری در فوتونیک و الکترواپتیک ایجاد کرده است. در این مقاله در راستای افزایش جذب، به بررسی اثر لایة نازک نقره به عنوان لایة پلاسمونیک روی زیرلایه و اثر لایة میانی و لایة پوشاننده به صورت نظری پرداخته شده است. ویژگی اپتیکی ساختارها با روش ماتریس انتقال، TMM، در ناحیة طول موج مرئی مورد بررسی قرار گرفته است. در طراحی این ساختارها با قرارگیری لایة میانی و لایة نقره در ساختار شامل تکلایة WS2، میزان جذب نسبت به حالت معلق از 17% به 57% افزایش یافته است. با تغییرزاویة فرود در طیف وسیعی از زاویۀ جذب بالای 40% دیده میشود که چشمانداز خوبی برای تحقق کاربریهای مبتنی بر تکلایة WS2 است.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1634_4d911f4835eaa2e77ba89ba200280ce9.pdf
2020-11-21
425
431
10.47176/ijpr.20.3.40121
تکلایة WS2
پلاسمونیک
طیف جذب
لایة میانی
لایة پوشاننده
نرگس
انصاری
n.ansari@alzahra.ac.ir
1
دانشکدة فیزیک- شیمی، دانشگاه الزهرا، تهران
LEAD_AUTHOR
انسیه
محبی
e.mohebi@student.alzahra.ac.ir
2
دانشکدة فیزیک- شیمی، دانشگاه الزهرا، تهران
AUTHOR
فاطمه
غلامی
fateme.gh182@gmail.com
3
دانشکدة فیزیک- شیمی، دانشگاه الزهرا، تهران
AUTHOR
مریم
عنافچه
m.anafcheh@alzahra.ac.ir
4
دانشکدة فیزیک- شیمی، دانشگاه الزهرا، تهران
AUTHOR
N Huo, J Kang, Z Wei, S S Li, J Li, and S Wei, Advanced Functional Materials 24 (2014) 7025.
1
Z Yin, H Li, H Li, L Jiang, Y Shi, Y Sun, G Lu, Q Zhang, X Chen, and H Zhang, ACS nano 6 (2011) 74.
2
D Regatos, B Sepulveda, D Farina, L G Carrascosa, and L M Lechuga, Optics express 19 (2011) 8336.
3
A Akbari, R N Tait, and P Berini, Optics express 18 (2010) 8505.
4
O Lopez-Sanchez, D Lembke, M Kayci, A Radenovic, and A Kis, Nature nanotechnology 8 (2013) 497.
5
N Ansari, and F Ghorbani. JOSA B 35 (2018) 1179.
6
N Ansari, E Mohebbi, and F Gholami, Journal of Applied Physics 127 (2020) 063101.
7
N Ansari, E Mohebbi, and F Gholami, Applied Physics B 126 (2020) 3.
8
W Xiaoyu, J Wang, Z Hu, T Sang, and Y Feng, Applied Physics Express11 (2018) 062601.
9
10. L Hua, X Gan, D Mao, Y Fan, D Yang, and J Zhao, Optics express25 (2017) 21630.
10
11. Y Long, H Deng, H Xu, L Shen, W Guo, C Liu, W Huang, W Peng, L Li, H Lin, and C Guo, Optical Materials Express 7 (2017) 100.
11
12. L Long, Y Yang, H Ye, and L Wang, Journal of Quantitative Spectroscopy and Radiative Transfer 200 (2017) 198.
12
13. J T Liu, T B Wang, X J Li, and N H Liu, Physical Chemistry Chemical Physics 115 (2014) 193511.
13
14. G Yi Jia, Q Zhang, Z X Huang, S Bin Huang, and J Xu, Physical Chemistry Chemical Physics 7, 23 (2017) 109.
14
15. S Jinlin, L Lu, C Qiang, and L Zixue, Journal of Quantitative Spectroscopy & Radiation, 211 (2018) 138.
15
16. L Jiang-Tao, T Wang, X Li, and N Liu, Journal of Applied Physics 115 (2014) 193511.
16
17. L Hongju, M Qin, L Wang, X Zhai, R Ren, and J Hu, Optic. Express 25 (2017) 31612.
17
18. X Jiang, T Wang, S Xiao, X Yan, L Cheng, and Q Zhong, Nanotechnology 29 (2018) 335205.
18
19. C Jintao, J Wang, G Yang, Y Lu, R Sun, P Yan, and S Gao, Superlattices and Microstructures 110 (2017) 26.
19
20. J T Liu, N H Liu, J Li, X J Li, and J H Huang, Applied Physics Letter 101 (2012) 052104.
20
21. G Ghosh, Optics communications 163 (1999) 95.
21
22. N Sultanova, S Kasarova, and I Nikolov, Acta Physica Polonica A116 (2009) 585.
22
23. P B Johnson and R W Christy, Phys. Rev. B 6 (1972) 4370.
23
ORIGINAL_ARTICLE
جفتشدگی سهگانة ناهنجار بوزونهای پیمانهای در پراکندگی فوتون- فوتون در آزمایش ال.اچ.سی
در این مقاله، با در نظرگرفتن فرایند تولید انحصار مرکزی pp→pWWγp ، برهمکنش سهگانة ناهنجار بوزونهای پیمانهایرا در برخوردهای پروتون- پروتون در ال.اچ.سی در فاز اجرایی درخشندگی بالا با انرژی مرکز جرم چهارده تراالکترونولت و درخشندگی جمع شدة سه بر اتوبارن مطالعه میکنیم. در این مطالعه برای کاهش فرایندهای زمینه، واپاشی لپتونی بوزونهای W درنظر گرفته شده است. به منظور تمایز این فرایند از فرایندهای معمول در برخورد پروتونها، بایستی پروتونهای نهایی آشکارسازی شوند. بدین منظور از ویژگی آشکارسازهای پیشانی تعبیه شده در فاصلة طولی حدود دویست متری در دو سمت نقطه برهمکنش پروتونها و فاصلۀ عرضی چند میلیمتری از باریکة پروتونی، استفاده میکنیم. با استفاده از سینماتیک ذرات تولید شده در آشکارساز مرکزی و وابستگی آن به سینماتیک پروتونهای متلاشی نشده در ناحیة پیشانی، برشهای مناسبی انتخاب کرده و حدهای انتظاری بر جفتشدگیهای ناهنجار سهگانة بوزونهای پیمانهای را به دست آوردیم. مقایسة نتایج به دست آمده با حدهای آزمایشگاهی موجود، نشان میدهد این فرایند میتواند به عنوان یک فرایند مکمل برای مطالعه این جفتشدگیها در نظر گرفته شده و حدهای موجود برجفتشدگی λγ را بهبود ببخشد.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1635_5524a13a2f09b5768020f853f46365ba.pdf
2020-11-21
433
444
10.47176/ijpr.20.3.31016
پراکندگی انحصاری مرکزی
آشکارسازهای پیشانی
جفتشدگی ناهنجار بوزونهای پیمانهای
صدیقه
تیزچنگ
s.tizchang@ipm.ir
1
پژوهشکدة ذرات و شتابگرها، پژوهشگاه دانشهای بنیادی، تهران
LEAD_AUTHOR
سید محسن
اعتصامی
sm.etesami@ipm.ir
2
پژوهشکدة ذرات و شتابگرها، پژوهشگاه دانشهای بنیادی، تهران
AUTHOR
S Schael et al., Phys. Rept. 532 (2013) 119.
1
T Aaltonen et al.. Phys. Rev. D 86 (2012) 031104.
2
M Aaboud et al., Eur. Phys. J. C 77, 8 (2017) 563.
3
A M Sirunyan et al.. JHEP 1904 (2019) 122.
4
S Chatrchyan et al., Eur. Phys. J. C 73 (2013) 2610,
5
A M Sirunyan et al. JHEP 1912 (2019) 062.
6
CMS. Collaboration, JHEP 08 (2016) 119.
7
S Tizchang and S M Etesami, [arXiv:2004,12203[hep-ph]]
8
K Hagiwara, R D Peccei, and D Zeppenfeld, Nucl. Phys. B 282 (1987) 253.
9
10. K Hagiwara, J Woodside, and D Zeppenfeld, Phys. Rev. D 41 (1990) 2113.
10
11. C F von Weizsacker, Z. Phys. 88 (1934) 612.
11
12. E Fermi, Nuovo Cim 2 (1925) 143.
12
13. E Chapon, C Royon and O Kepka, Phys. Rev. Phys. Rev. D 81, (2010) 074003
13
14. CMS and TOTEM Collaboration, CERN-LHCC-(2014) 021.
14
15. C Royon and N Cartiglia, Int. J. Mod. Phys. A 29 (2014) 1446017.
15
16. J Alwall et al , JHEP 07 (2014) 079.
16
17. D Ball et al., Nucl. Phys. B 867 (2013) 244
17
18. T Sjostrand, S Mrenna and P Z Skands, Comput. Phys. Commun. 178 (2008) 852.
18
19. J de Favereau et al., JHEP 1402 (2014) 057.
19
20. Adamczyk et al., CERN-LHCC-(2015) 009. ATLAS-TDR-024
20
21. G Ingelman and P E Schlein, Phys. Lett. B 152 (1985) 256.
21
22. M Boonekamp, A Dechambre, V Juranek, O Kepka, M Rangel, C Royon, and R Staszewski, [arXiv:1102.2531 [hep-ph]
22
23. CMS Collaboration Phys. Rev. D 89 (2014) 092005.
23
24. ATLAS Collaboration, Phys. Rev. D 87, 11 (2013) 112003.
24
25. S Chatrchyan et al., Eur. Phys. J. C 73, 10 (2013) 2610
25
26. G Aad et al., JHEP 1501 (2015) 049.
26
27. G Aad, et al, JHEP 1609 (2016) 029.
27
28. V M. Abazov et al., Phys. Lett. B 718 (2012) 451.
28
S Schael et al., Phys. Rept. 532 (2013) 119.
29
ORIGINAL_ARTICLE
سنتز نانو ذرات هیدروکسی آپاتیت به روش سل- ژل، بررسی ریخت شناسی و مقایسة ساختار آن با دندان سالم
در این تحقیق، نانو ذرات هیدروکسی آپاتیت با استفاده از مواد اولیة کلسیم نیترات چهارآبه (Ca(NO3)2.4H2O) و پنتا اکسید دی فسفر (p 2O5) و به کارگیری روش سل- ژل، در دمای محیط ساخته شد. به منظور بررسی ساختار و شناسایی پیوندهای شیمیایی ایجاد شده و مقایسۀ آنها با دندان سالم به ترتیب از تحلیل پراش پرتو ایکس (XRD) و طیف فرو قرمز فوریه (FT-IR) استفاده شد. همچنین، ریز ساختار و ریخت شناسی پودر HAP سنتز شده و دندان سالم توسط مطالعات میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مورد ارزیابی قرار گرفت. نتایجی که ازتحلیل پراش پرتو ایکس و طیففرو قرمز فوریه به دست آمد، نشان میدهد که پودر تولید شده، هیدروکسی آپاتیت خالص است و هیچ گونه ناخالصی در نمونه یافت نشد. ساختار بلوری هیدروکسی آپاتیت سنتز شده با تقریب خوبی منطبق با ساختار بلوری دندان بوده و پیوندهای شیمیایی موجود در دندان سالم در هیدروکسی آپاتیت نیز دیده میشود. همچنین، نمونۀ سنتز شده از درجۀ بلورینگی بالایی برخوردار است. بررسی تصاویر SEM نیز نشان میدهد که ریختشناسی هیدروکسی آپاتیت سنتز شده و دندان سالم در ابعاد نانو با متوسط توزیع اندازۀ ذرات به ترتیب 69/25 و 15/23 نانومتر، تقریباً کروی شکل است که تأیید دیگری بر نزدیکی ساختار نانو ذرات سنتز شده با دندان سالم است. در این تصاویر آثار کلوخهشدگی در نانو ذرات سنتز شده نیز مشاهده میشود. استحکام فشاری نمونه سنتز شده برابر با MPa 5/5 به دست آمد که با تقریب خوبی در حد مقاومت فشاری استخوان اسفنجی است.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1636_a26c400c95ed6a6b45edb8bfb9538798.pdf
2020-11-21
445
453
10.47176/ijpr.20.3.31022
هیدروکسی آپاتیت
دندان
سل- ژل
نانو ذره
ریز ساختار
ساجده
محمدی عارف
aref1234@gmail.com
1
دانشکدة فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز
LEAD_AUTHOR
میثم
صفری گزاز
meysam.safari71@yahoo.com
2
دانشکدة فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز
AUTHOR
معصومه
خاتمیان
mkhatamian@yahoo.com
3
دانشکدة شیمی، دانشگاه تبریز، تبریز
AUTHOR
B H Fellah, N Josselin, D Chappard, P Weiss, and P Layrolle, J. Mater. Sci. Mater. Med. 18 (2007) 287.
1
M. safari Gezaz, S. Mohammadi Aref, and M. Khatamian, Mater. Chem. Phys. 226 (2019) 169.
2
H Badran, I S Yahia, M S Hamdy, and N S Awwad, Radiat. Phys. Chem. 130 (2017) 85.
3
Kh R Mohamed, H H Beherei, G T El Bassyouni, and N El Mahallawy, Mater. Sci. Eng. C. 33 (2013) 4126.
4
A Biancoa, I Cacciottia, M Lombardib, L Montanarob, E Bemporadc, and M Sebastianic, Ceram. Int. 36 (2010) 313.
5
T Guo, W Kang, D Xiao, R Duan, W Zhi, and J Weng, Molecules. 19 (2014) 149.
6
7. M R Saeri, A Afshar, M Ghorbani, N Ehsani, and C C Sorrell, Mater. Lett. 57 (2003) 4064.
7
Y. Sun, G. Guo, D. Tao, and Z. Wang, J. Phys. Chem. Solids. 68 (2007) 373.
8
M Toriyama, A Ravaglioli, A Krajewski, G Celotti, and A Piancastelli, J. Eur. Ceram. Soc. 16 (1996) 429.
9
10. C C Silva, A G Pinheiro, R S Deoliveira, J C Goes, N Aranha, L R Deoliveira. and A S B Sombra, Mater. Sci. Eng. C. 24 (2004).
10
11. L Yuncao, C Bozhang, and J F Hung, Ceram. Int. 31 (2005) 1041.
11
12. I S Kim and P N Kumta, Mater. Sci. Eng. B. 111 (2004) 232.
12
13. D M Liu, Q Yang, T Troczynski, and W J Tseng, Biomaterials 23 (2002) 1679.
13
14. S Salehi and M H. Fathi, Ceram. Int. 36 (2010) 1659.
14
15. M Mazaheri, M Haghighatzadeh, A M Zahedi, and S K Sadrnezhaad, J. Alloy. Comp. 471 (2009) 180.
15
16. M Eilbagi, R Emadi, K Raeissi, M Kharaziha, and A Valiani, Mater. Sci. Eng. C. 68 (2016) 603.
16
17. M Akao, H Aoki, and K Kato, J. Mater. Sci. 16 (1981) 809.
17
18. E Landi, A Tampieri, G Celotti, and S Sprio, J. Eur. Ceram. Soc. 20 (2000) 2377.
18
19. L Pierre, A Ito, and T Tateishi, J. Am. Ceram. Soc. 81 (1998) 1421.
19
م ر فروغی، س کرباسی، و م ع س سجادی، نشریة علم مواد 21 (1389) 36.
20
م کلانتر، م مجاهدیان، و ن و مهرجردی، نشریة مهندسی متالوژی و مواد 27، 2 (1395) 83.
21
22. M H Fathi and A Hanifi, Mater. Lett. 61 (2007) 3978.
22
ORIGINAL_ARTICLE
به کارگیری تقریب مرتبة اول بورن- فدیف در کانال یونش
در کار حاضر سطح مقطعهای جزئی سهگانه و دوگانة یونش اتم هیدروژن در برخورد با پروتون در محدودۀ انرژیهای میانی و بالا محاسبه شده است. پتانسیلهای برهمکنش بهصورت کولنی در نظر گرفته شده و محاسبات سطح مقطع جزئی سهگانه با استفاده از تقریب مرتبۀ اول بورن- فدیف به صورت کاملاً تحلیلی انجام شده است. سطح مقطعهای جزئی سهگانه در انرژیهای فرودی و اندازه حرکتهای انتقالی مختلف با یکدیگر و با نتایج تقریب مرتبة اول بورن مقایسه شده است. در نهایت نتایج سطح مقطع جزئی دوگانه به دست آمده در این تقریب با نتایج تجربی و سایر نظریههای در دسترس مقایسه شده است.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1637_c3d9515ea94b5967fa686a09735913cf.pdf
2020-11-21
455
461
10.47176/ijpr.20.3.31015
یونش
تقریب بورن- فدیف
سطح مقطع جزئی سهگانه (کامل)
رضا
فتحی
rfathi@uk.ac.ir
1
دانشکدة فیزیک، دانشگاه شهید باهنرکرمان، کرمان
LEAD_AUTHOR
سعیده
امیری بیدوری
amiri.1388@yahoo.com
2
دانشکدة فیزیک، دانشگاه شهید باهنرکرمان، کرمان
AUTHOR
D Tseliakhovich, C M. Hirata and, K Heng, Mon. Not. R. Astron .Soc 422 (2012) 2357.
1
S Sen, P Mandal, P K Mukherjee, Eur. Phys. J. D 62 (2011) 379.
2
G De Lellis et al., Nuclear Physics A 853 (2011) 124.
3
A Simonin, New J. Phys 18 (2016) 125005.
4
J Ullrich and et al., Rep. Prog. Phys 66 (2003) 1463.
5
M Schulz et al., Nature (London) 422 (2003) 48.
6
A Laforge et al., Phys. Rev. Lett. 103 (2009) 053201.
7
H Gassert et al., Phys. Rev. Lett. 116 (2016) 073201
8
M Schulz et al., Phys. Rev. A 81 (2010) 052705.
9
P D Fainstein and L Gulyas, J Phys. B: At. Mol. Opt. Phys 38 (2005) 317.
10
Y H Duan, S Y Sun and X F Jia, EPL 110 (2015) 13001.
11
O Chuluunbaatar et al., Phys. Rev. A 96 (2017) 042716.
12
I B Aburakhmanov et al., Phys. Rev. A 100 (2019) 062708.
13
R T Pedlow, S F. C O’Rourke, and D S F Crothers, Phys. Rev. A 72 (2005) 062719.
14
س امیری بیدوری و ر فتحی، ب چابکی، مجلة پژوهش فیزیک ایران 19، 3 (1398) 559.
15
15. S Amiri Bidveri, R Fathi, B Chaboki, Iran, J. Phys, Res. 19, 3 (2019) 559.
16
S Amiri Bidvari and R Fathi, Eur. Phys. J. D 74, 1 (2020) 55.
17
S. Alston, Phys. Rev. A 42 (1989) 331.
18
ر فتحی، مجلة پژوهش فیزیک ایران 14، 2 (1393) 123.
19
18. R Fathi, Iran, J. Phys, Res. 14, 3 (2014) 123.
20
I B Abdurakhmanov, J J Bailey, A S Kadyrov, and I Bray, Phys. Rev. A 97 (2018) 032707.
21
G W Kerby et al., Phys. Rev. A 51 (1995) 2256.
22
ORIGINAL_ARTICLE
کاتالیز مغناطیسی در یک نظریة هولوگرافی محبوس
در این مقاله ناپایداری نظریة پیمانهای شبه محبوس (D3+D(-1)) را در اثر اعمال همزمان میدان الکتریکی و مغناطیسی ثابت مورد بررسی قرار میدهیم. طبق دوگانی پیمانهای- گرانشی، نرخ واپاشی ناشی از میدانهای خارجی را میتوان با استفاده از قسمت موهومی کنش DBI محاسبه کرد. به علت محبوس بودن کوارکها در نظریة تحت مطالعه، نرخ واپاشی کوارکها حتی کوارکهای بدون جرم، تنها به ازای میدان الکتریکی بزرگتر از یک مقدار آستانه که همان میدان الکتریکی بحرانی نظریه است، غیر صفر است. همچنین مشاهده میکنیم که اعمال همزمان یک میدان مغناطیسی ثابت هم راستا با (در راستای عمود بر) میدان الکتریکی، نرخ واپاشی را افزایش (کاهش) میدهد. از طرفی، تابعیت میدان الکتریکی بحرانی از میدان مغناطیسی، نشان دهندة کاتالیز مغناطیسی است؛ یعنی اعمال میدان مغناطیسی مقدار میدان الکتریکی بحرانی را، که بالای آن اثر شوئینگر رخ میدهد، افزایش میدهد
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1638_3a4b1645761e5a268fa1bc0e28b54eea.pdf
2020-11-21
463
470
10.47176/ijpr.20.3.39131
دوگانی AdS/CFT
پیچیدگی کوانتومی
سیاه چاله
لیلا
شاه کرمی
l.shahkarami@du.ac.ir
1
دانشکدة فیزیک، دانشگاه دامغان، دامغان
LEAD_AUTHOR
J S Schwinger, Phys. Rev. 82 (1951) 664.
1
I K Affleck, O Alvarez, and, N S Manton, Nucl. Phys. B 197 (1982) 509.
2
D E Kharzeev, L D McLerran, and H J Warringa, Nucl. Phys. A 803 (2008) 227.
3
W T Deng and X G Huang, Phys. Rev. C 85 (2012) 044907.
4
D She, S Q Feng, Y Zhong, and Z B Yin, Eur. Phys. J. A 54 (2018) 48.
5
E S Fradkin and A A Tseytlin, Nucl. Phys. B 261 (1985) 1.
6
C Bachas and M Porrati, Phys. Lett. B 296 (1992) 77.
7
J M Maldacena, Adv. Theor. Math. Phys. 2 (1998) 231. Int. J. Theor. Phys. 38 (1999) 1113.
8
G W Semenoff and K Zarembo, Phys. Rev. Lett. 107 (2011) 171601.
9
Y Sato and K Yoshida, JHEP 08 (2013) 002.
10
D Kawai, Y Sato, and K Yoshida, Int. J. Mod. Phys. A 30 (2015) 1530026.
11
K Hashimoto and T Oka, JHEP 10 (2013) 116.
12
K Hashimoto, T Oka, and A Sonoda, JHEP 06 (2014) 085.
13
K Hashimoto, T Oka, and A Sonoda, JHEP 06 (2015) 001.
14
H Liu and A A Tseytlin, Nucl. Phys. 553 (1999) 231.
15
K Ghoroku, T Sakaguchi, N Uekusa, and M Yahiro, Phys. Rev. D 71 (2005) 106002.
16
K Ghoroku, M Ishihara, and T Taminato, Phys. Rev. D 81 (2010) 026001.
17
L Shahkarami and F Charmchi, Eur. Phys. J. C 79 (2019) 343.
18
L Shahkarami, M Dehghani, and P Dehghani, Phys. Rev. D 97 (2018) 046013.
19
B Gwak, M Kim, B H. Lee, Y Seo, and S J Sin, Phys. Rev. D 86 (2012) 026010.
20
ORIGINAL_ARTICLE
جوابهای اینستنتونی در مدلی از تناظر AdS4/CFT3
از خمش (پاد)غشاءهای-M ابرگرانش ١١- بعدی با هندسۀ روی فضای داخلی همراه با جواب آزمایشی برای ٤- فرم قدرت- میدان، از حل معادلات و اتحادهای مربوطه، معادلات دیفرانسیل اسکالر را در فضای پاددوسیتۀ ٤- بعدی اقلیدسی به دست میآوریم. البته توجه داریم که جواب و سازوکار حجمی مربوطه، تمام ابرتقارن، پاریته و ناوردایی مقیاس را میشکنند و پتانسیل (شبه) اسکالر منتجه که هیگز گونه است با دو خلأ نسبتاً تبهگن، گذار فاز مرتبۀ اول و تونل زنی از خلأ کاذب به صحیح را نیز مجاز میدارد. در اینجا با تمرکز به سه مد (شبه) اسکالر که قابل تحقق در زمینۀ غشاءهای- ویک- چرخیده و یا تغییر جهت داده، هستند، از روشهای تقریبی و به ویژه روش تجزیة آدومیان برای حل معادلات دیفرانسیل مرتبة دوم غیر خطی منتجه که در حد کاوشی معتبرند، با شرط مرزی دیریکله یا دادة اولیه از یک جواب پایۀ دقیق، جوابهای تقریبی را به صورت بسط سری در نزدیک مرز، در مراتب مختلف بسط اختلالی به دست میآوریم. سپس، با استفاده از اصول و قواعد تناظر AdS4/CFT3،پس از تبادل سه نمایش بنیادی برای گراویتینو، عملگرهای تکتایۀ دوگان را از میدانهای (اسکالر، فرمیون و پیمانهای) در مدلی از نظریة میدان پیمانهای چرن- سایمون- مادة مرزی ٣- بعدی که روی پادغشاءهای- حاصل زندگی میکند، میسازیم. سپس با تغییر کنشهای مرزی متناظر با عملگرها، جوابهایناوردایی با کنش متناهی غیر صفر را به دست میآوریم که در واقع اینستنتونهای کوچک واقع در مرکز یک ٣-کره در بینهایت میباشند که سبب ناپایداری و واسطه واپاشی خلأ کاذب میشوند. به عبارتی دیگر، پتانسیلهای مرزی نامقید از زیر، دوگان رمبش حبابهای خلأ (دیوار نازک) حجمی و تکینگیهای نابودی بزرگ هستند.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1640_f14c499bf5bf525d1c3d4b328079da1b.pdf
2020-11-21
471
486
10.47176/ijpr.20.3.51063
تناظر AdS4/CFT3
معادلات (شبه) اسکالر
روش تجزیة آدومیان
عملگرهای دوگان
جوابهای اینستنتونی
محمد
نقدی
naghdi.m@gmail.com
1
گروه فیزیک، دانشکدة علوم پایه، دانشگاه ایلام، ایلام
LEAD_AUTHOR
J Maldacena, Adv. Theor. Math. Phys. 2 (1998) 231.
1
I R Klebanov and E. Witten, Nucl. Phys. B 556 (1999) 89.
2
O Aharony, O Bergman, D L Jafferis, and J Maldacena, JHEP 0810 (2008) 091.
3
M Naghdi, Int. J. Mod. Phys. A 26 (2011) 3259.
4
M Naghdi, Phys. Rev. D 88 (2013) 026013.
5
M Naghdi, Class. Quant. Grav. 32 (2015) 215018.
6
S Vandoren and P Nieuwenhuizen, [arXiv:0802.1862 [hep-th]].
7
M Naghdi, Fortschr. Phys. 67 (2018) 1800044.
8
M Naghdi, [arXiv:2002.06547 [hep-th]].
9
10. T Hertog and G T Horowitz, JHEP 04 (2005) 005 .
10
11. M Smolkin and N Turok, [arXiv:1211.1322 [hep-th]].
11
12. M Naghdi, [arXiv:2005.00358 [hep-th]].
12
13. S R Coleman and F. De Luccia, Phys. Rev. D 21 (1980) 3305.
13
14. M Naghdi, Eur. Phys. J. Plus 133 (2018) 307.
14
15. G Adomian, "Solving frontier problems of physics: The decomposition method", Springer, 1st Edition (1994).
15
16. E Witten, Adv. Theor. Math. Phys. 2 (1998) 253.
16
17. I Papadimitriou, JHEP 0705 (2007) 075.
17
18. A Imaanpur and M Naghdi, Phys. Rev. D 83 (2011) 085025.
18
19. M Naghdi, Class. Quant. Grav. 33 (2016) 115005.
19
20. O Hrycyna, Phys. Lett. B 768 (2017) 218.
20
21. E Bergshoeff, M de Roo, E Eyras, B Janssen, and J P van der Schaar, Nucl. Phys. B 494 (1997) 119.
21
22. M J Duff, B E W Nilsson and C N Pope, Nucl. Phys. B 233 (1984) 433.
22
23. S Fubini, Nuovo Cim. A 34 (1976) 521.
23
24. F Loran, Mod. Phys. Lett. A 22 (2007) 2217.
24
25. B E W Nilsson and C N Pope, Class. Quant. Grav. 1 (1984) 499.
25
26. M Bianchi, R Poghossian and M Samsonyan, JHEP 1010 (2010) 021.
26
27. X Chu, H Nastase, B Nilsson, and C Papageorgakis, JHEP 1104 (2011) 040.
27
28. I Bena, Phys. Rev. D 62 (2000) 126006.
28
29. O Aharony, O Bergman, D L Jafferis, JHEP 0811 (2008) 043.
29
30. V Balasubramanian, P Kraus and A Lawrence, Phys. Rev. D 59 (1999) 046003.
30
31. P Breitenlohner and D Z Freedman, Phys. Lett. B 115 (1982) 197.
31
32. S Terashima, JHEP 0808 (2008) 080.
32
33. B Craps, T Hertog and N Turok, Phys. Rev. D 80 (2009) 086007,
33
34. W A Bardeen, M Moshe and M Bander, Rev. Lett. 52 (1984) 1188.
34
35. S Elitzur, A Giveon, M Porrati and E Rabinovici, JHEP 0602 (2006) 006.
35
36. E Rabinovici and M Smolkin, JHEP 1107 (2011) 040.
36
37. I R Klebanov and A M Polyakov, Phys. Lett. B 550 (2002) 213.
37
38. E Sezgin and P Sundell, Nucl. Phys. B 644 (2002) 303. [arXiv:hep-th/0205131], Erratum: Nucl. Phys. B 660, 403 (2003).
38
39. E Sezgin and P Sundell, JHEP 0507 (2005) 044.
39
40. S Choudhury, A Dey, I Halder, S Jain, L Janagal, Sh Minwalla, and N Prabhakar, JHEP 1811(2018) 177.
40
41. O Aharony, S Jain and Sh Minwalla, JHEP 1812 (2018) 058.
41
42. D Gaiotto and X Yin, JHEP 0708 (2007) 056.
42
43. O Aharony, G G Ari and R Yacoby, JHEP 1203 (2012) 037.
43
44. I Affleck, Nucl. Phys. B 191 (1981) 429.
44
45. J Zinn-Justin, "The principles of instanton calculus: A few applications", Recent Advances in Field Theory, Les Houches, Session XXXIX, edited by J.-B. Zuber and R. Stora (North Holland, Amsterdam), (1982) .
45
46. K G Akdeniz and A Smailagić, Nuovo Cim. A 51 (1979) 345.
46
47. A A Belavin, A M Polyakov, A S Shvarts and Yu S Tyupkin, Phys. Lett. B 59 (1975) 85.
47
48. L N Lipatov, Sov. Phys. JETP 45 (1977) 216, Zh. Eksp. Teor. Fiz. 72 (1977) 411.
48
49. S Coleman, V Glaser and A Martin, Commun. Math. Phys. 58 (1978) 211.
49
50. J L F Abbott and S Coleman, Nucl. Phys. B 259 (1985) 4170.
50
51. H Widyan, A Mukherjee, N Panchapakesan, and R P Saxena, Phys. Rev. D 59 (1999) 045003.
51
52. B H Lee, Ch H Lee, W Lee and Ch Oh, Phys. Rev. D 82 (2010) 024019.
52
53. J Maldacena, [arXiv:1012.0274 [hep-th]].
53
54. J L F Barbon and E Rabinovici, JHEP 1104 (2011) 044.
54
55. L H Ooguri and C Vafa, Adv. Theor. Math. Phys. 21 (2017) 1787.
55
ORIGINAL_ARTICLE
تحول یک قرص پیشسیارهای در حضور باد مغناطیده
مطالعات نظری و شبیهسازیهای عددی قرصهای پیشسیارهای حکایت از آن دارند که ناپایداری مغناطودورانی سازوکار اصلی برافزایش است. با این حال، شواهد اخیر رصدی نشان میدهند که در چنین سامانههایی بادهای مغناطیده نیز حضور دارند. پرتاب چنین بادهایی به از دست دادنِ تکانة زاویهای و آهنگ برافزایشِ جرم بیشتر میانجامد. شبیهسازیهای عددی غیر آرمانی نیز نشان میدهند که بین ناپایداری مغناطو دورانی و پرتاب باد مغناطیده همبستگی وجود دارد. در نتیجه مطالعة ساختار قرصهای پیشسیارهای در حضور باد مغناطیده از اهمیت بسزایی برخوردار است. جوابهایی کاملاً تحلیلی برای تحول زمانی یک قرص پیشسیارهای در حضور باد مغناطیده ارائه میکنیم. مؤلفههای تانسور تنش برای تلاطمِ درونِ قرص و باد مغناطیده را بر اساس رابطههایی مبتنی بر شبیهسازیهای عددی به کار میگیریم. این مؤلفهها بر حسب نسبت فشار گاز به فشار مغناطیده نوشته میشوند و در حالتی که میدان مغناطیسی قوی باشد، نقش باد مغناطیده در از دست دادنِ تکانۀ زاویهای غالب است. نشان میدهیم که در مراحل آغازین تحول، کاهش جرم قرص چندان چشمگیر نیست. اما پس از سپری شدنِ زمانی مشخص، این فرایند کاهش جرم به شدت تقویت میشود. به نظر میرسد نقش باد مغناطیده در قرصهای پیشسیارهای که جوان نیستند اهمیت بیشتری دارد. همچنین نشان میدهیم این الگوی دو مرحلهای تحول قرص در حضور باد مغناطیده تقریباً از نحوة توزیع شعاعی دمای قرص مستقل است. .
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1641_002882e682181a4f5ad532b527187eb4.pdf
2020-11-21
487
494
10.47176/ijpr.20.3.51052
قرصهای برافزایشی
قرصهای پیشسیارهای
شکلگیری سیارات
محسن
شادمهری
m.shadmehri@gu.ac.ir
1
گروه فیزیک، دانشکدة علوم، دانشگاه گلستان، گرگان
LEAD_AUTHOR
P J Armitage, Annual Review of Astronomy and Astrophysics49 (2011) 195.
1
J Frank, A King, and D Raine, “Accretion Power in Astrophysics” Cambridge University Press (2002).
2
M Ansdell, J P Williams, C F Manara, A Miotello, S Facchini et al.,, AJ. 153 (2017) 240.
3
L Wang and J J Goodman, ApJ. 835 (2017) 59.
4
J R Najita and E A Bergin, ApJ. 864 (2018) 168.
5
K M Kratter, G Lodato, Annual Review of Astronomy and Astrophysics 54 (2016) 271
6
S A Balbusand J F Hawley, ApJ. 376 (1991) 214.
7
X. N Bai and J M Stone, ApJ. 769 (2013) 76.
8
W K M Rice, P J Armitage, M R Bate, I A Bonnell, MNRAS 339 (2003) 1025.
9
10. W K M Rice, G Lodato, P J Armitage, MNRAS 364 (2005) L56.
10
11. R R Rafikov, ApJ. 704 (2009) 281.
11
12. R R Rafikov, ApJ. 804 (2015) 62.
12
13. R R Rafikov, ApJ. 837 (2017) 163.
13
14. M Shadmehri, S M Ghoreyshi, MNRAS, 488 20194623
14
15. F Khajenabi, M Shadmehri, M E Pessah, R G Martin, MNRAS 475 (2018) 5059
15
16. T K Suzuki, T Muto, S I Inutsuka, ApJ. 718 (2010) 1289.
16
17. J B Simon, X N Bai, P J Armitage, J MStone, K Beckwith, ApJ 775 (2013) 73..
17
ORIGINAL_ARTICLE
اثر تاریکی لبة ستارة چشمه در رصد ریزهمگرایی گرانشی در فیلترهای مختلف
کروی بودن ستارهها باعث میشود که شار دریافتی از نقاط مختلف سطح آنها یکنواخت نباشد و در لبهها کمتر از مرکز آن باشد. بدین ترتیب لبهها تاریکتر از مرکز ستاره دیده میشود که به آن اثر تاریکی لبه میگویند. مقدار اثر تاریکی لبه به مشخصات اتمسفری ستاره، دما، گرانش سطحی و فلزیت آن بستگی دارد. در این مقاله، ما یک راهکار برای شناسایی بهتر ستارههای چشمه در رویدادهای ریزهمگرایی گرانشی با تقویت نور بالا ارائه میکنیم. در این رویدادها که عدسی از مقابل سطح ستارة چشمه عبور میکند، وجود تابع تقویت نور ناشی از همگرایی گرانشی که تابعی از مکان است و همچنین نایکنواختی شار دریافتی از نقاط مختلف سطح ستاره به دلیل اثر تاریکی لبه، باعث میشود در حین گذر عدسی از سطح ستارة چشمه، رنگ ستاره با زمان تغییر کند. اندازهگیری تغییر رنگ در این رویدادها کمک میکند تا بتوانیم وابستگی پارامترهای تاریکی لبه به طول موج و در نتیجه پارامترهای اتمسفر ستارة چشمه و پارامترهای خود ستارة چشمه را تعیین کنیم.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1642_1f7c026d2e25ad66341a27ba5b584712.pdf
2020-11-21
495
500
10.47176/ijpr.20.3.71096
ریزهمگرایی گرانشی
اثر تاریکی لبه
اتمسفر ستارة چشمه
پریسا
سنگتراش
p.sangtarash@outlook.com
1
دانشکدة فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان
LEAD_AUTHOR
صدیقه
سجادیان
s.sajadian@iut.ac.ir
2
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان
AUTHOR
B aczynski, ApJ. 301 (1986) 503.
1
I Soszynski, A Udalski, M K Szymanski, and et al., AcA. 60 (2010) 165.
2
I A Bond, F Abe, R J Dodd, and et al., MNRAS 327 (2001) 868.
3
S L Kim, C U Lee, B Park, and et al., JKAS 49 (2016) 37.
4
S Rahvar, International Journal of Modern Physics D 24 (2015) 1530020.
5
B S Gaudi, ARA&A 50 (2012) 411.
6
G Kim and N Safizadeh, ApJ. 500 (1998) 37.
7
M Dominik, Gen Relativ Gravit 43 (2011) 989.
8
D Hestroffer and C Magnan, A&A 333 (1998) 338.
9
10. J P Harrington, Ap&SS 8 (1970) 227.
10
11. H J Witt, S Mao, ApJ. 430 (1994) 505.
11
12. M Penney, B S Gaudi, E Kerins, and et al., ApJS 241 (2019) 3.
12
13. B Gustafsson, B Edvardsson, K Eriksson, and et al., A&A, 486 (2008) 951.
13
14. T Lanz and I Hubeny, ApJS 146 (2003) 417.
14
ORIGINAL_ARTICLE
اثر آلایندة Si روی خواص الکترونی و اپتیکی نانو ساختارهای گالیم آرسنید
در سالهای اخیر با پیشرفتهای به دست آمده در رشد مواد، علاقة قابل ملاحظهای در زمینة نیمرساناهای مرکب گروه (III-V) به ویژه GaAs به وجود آمده است. سیلیکون مناسبترین ماده برای آلاییدگی نوع n گالیم آرسنید است. در این پژوهش خواص الکترونی نانوبلورهای Ga6As4H10 و Ga6As3SiH10، با استفاده از روش شبه پتانسیل و فرمولبندی نظریة تابعی چگالی (DFT) و با تقریب LDA در بستة نرمافزاری کوانتوم اسپرسو مورد بررسی قرار میگیرند. نتایج حاصل از محاسبات نشان میدهند که هرچه اندازة نانوبلور بزرگتر شود مقدار گاف نواری کاهش مییابد. با جایگزینی اتم ناخالصی Si بهجای اتم As در نانوبلور Ga6As4H10، گاف انرژی نسبت به حالت غیر آلاییده کوچکتر و تراز فرمی به لبۀنوار رسانش نزدیک میشود که در این حالت نانوبلور Ga6As3SiH10یک نیمرسانای نوع n خواهد بود. پربند چگالی بار الکتریکی در اطراف اتمها نشان دهندة پیوند یونی- کووالانسی بین اتمهای Si و Ga است. در این پژوهش به بررسی ویژگیهای اپتیکی نانوبلورهای گالیم آرسنید نیز پرداخته شده که محاسبات با تقریب تک ذرهای انجام شدهاند. همچنین، از نرمافزار گوسین برای به دست آوردن طیف اپتیکی نانوبلورها استفاده شده است. محاسبات طیف اپتیکی برای نانوبلورهای گالیم آرسنید انتقال به آبی را نشان میدهند.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1643_c14961b434f69bbf481feda67b83ab25.pdf
2020-11-21
501
513
10.47176/ijpr.20.3.37611
ناخالصی نوع n
نانوبلور گالیم آرسنید
نظریة تابعی چگالی
کوانتوم اسپرسو
خواص الکترونی
تقریب چگالی موضعی
انرژی جذب
محبوبه
بیگمرادی
mahbubeh.bigmoradi@gmail.com
1
گروه فیزیک، دانشکدة علوم، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان
LEAD_AUTHOR
حیدرعلی
شفیعی گل
shafiei@phys.usb.ac.ir
2
گروه فیزیک، دانشکدة علوم، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان
AUTHOR
R H Thomas, DAGSI ,"Optical properties of Ge, GaAs, GaSb, InAs, and InP at elevated temperatures" Theses and Dissertations 2169 (2010) 47.
1
T Chavanapvanee, " Impurity doping effect in compound semiconductors", Waseda University Graduate School of Science (2007) 645.
2
J I Pankove, " Optical Processes in Semiconductors", New York, (1971) 456.
3
A D Becke, phys. Rev. A 38 (1998) 3098.
4
J Kohanoff, School of Mathematics and Physics, Queens University Belfast (2006) 351.
5
O.Auciello, J F Scott, R Ramesh, "Simulation of photonic bandgap", Northren optics conference proceedings (1998) 51.
6
N N, Anua, R Ahmed, M A Saeed, A Shaari and, B U Haq," DFT investigations of structural and electronic properties of gallium arsenide (GaAs)", AIP Conference Proceedings 1482 (2012) 64.
7
A D Becke, phys. Rev A 38 (1998) 3098.
8
I D Yacouba, D T Sibiri, M Yuriy, K Bethuel, F Lashounda, and B Diola",Accurate Electronic, Transport, and Bulk Properties of Gallium Arsenide (GaAs)" NSF (2010-2015) 34.
9
10. H A ShafieiGol and H A Najari, JNS 4 (2014) 325.
10
11. M I Ziane, Z Bensaad, B Labdelli, and H Bennacer,"First-principles study of structural, electronic and optical properties of III-arsenide binary GaAs and InAs, and III-nitrides binary GaN and InN: Improved density-functional-theory Study", Sensors & Transducers (2014) 374.
11
12. F Iori and S Ossicini, Physica E 41 (2009) 939.
12
13. V Igor, O Serdar and, R Ch, James," Ab initio absorption spectra of gallium arsenide clusters", Department of Chemical Engineering and Material Science, Minnesota Supercomputing Institute, University of Minnesota, Minneapolis, Minnesota (1999) 54.
13
14. D L Hansen, O,Hemmers, H Wang, D W Linde, P Focke, I A Sellin, C Heske, H S Chakraborty, P C Deshmukh and S T Manson, The American Physical Societ (1999) 756.
14
15. J E Sipe, The American Physical Society (1993) 705.
15
16. D J Cioslowski, Gaussian 09, Revision A.02, Gaussian, Inc, Wallingford CT (2009).
16
17. R Habibpour, R Vaziri, " Computational and theoretical study of electronic, spectroscopic and chemical properties of (ZnO)n (n≤4) nanoclusters" Technology (IROST), P.O. Box 33535111, Tehran, Iran (2015) 212.
17
ORIGINAL_ARTICLE
همبستگی رئولوژی انبساطی سطح و فراوری بلورهای مایع مواد دو بعدی: بررسی موردی فازهای مختلف بلور مایع اکسید گرافن
نانوشارههای حاوی صفحات دو بعدی اکسید گرافن (GO) بر پایة آب به دلیل نسبت منظری بالا، به طور ذاتی امکان تشکیل فاز نماتیک-که یکی از فازهای سامانههای بلور مایع است- را دارا هستند. در این مطالعه نشان داده شده است که خواص ویسکوالاستیک منحصر به فرد اکسید گرافن، آن را در دستهای جدید از مواد نرم قرار میدهد. بر اساس یافتههای بنیادی حاصل از این پژوهش، میتوان راهبردهایی جدید برای توسعة پروتکلهای ساخت مواد نرم دو بعدی به صورت کاربردی با استفاده از تکنیکهای فراوری مرسوم تدوین کرد. محدودههای غلظتی مربوط به فازهای همسانگرد، دو فازی و ناهمسانگرد (نماتیک) بر اساس نتایج تصویربرداری با نور قطبیده تعیین شد. استفاده از صفحات دو بعدی با نسبت منظری بالا (بالاتر از ۳۵۰۰۰) منجر به کاهش غلظت شروع منطقة دوفازی یعنی 05/0 گرم بر لیتر و منطقه کاملاً نماتیک به غلظت 25/0 گرم بر لیتر شد. رئولوژی برشی و انبساطی سطح نشان داد که با تشکیل فاز بلور مایع، میزان مدول در نواحی با بسامد کم، جهش چشمگیری داشته و با تشکیل فازکاملاً نماتیک میزان مدول در این ناحیه مستقل از بسامد بوده که بیان کننده رفتار جامدگونه است. نتایج به دست آمده نشان داد که ترکیب غلظت کم صفحات دو بعدی درمحیط پشتیبان به همراه مدول بالا، امکان استفاده از تکنیکهای مختلف فراوری مانند ترریسی، الکترواسپری و چاپگرهای دو بعدی و سه بعدی را برای فرمولاسیونهای بر پایة اکسید گرافن فراهم میسازد.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1644_a0e1215f71fe9b43611fcd1bc786038e.pdf
2020-11-21
515
524
10.47176/ijpr.20.3.91124
مواد دو بعدی
بلورمایع
اکسید گرافن
ساخت افزایشی
رئولوژی انبساطی سطح
محمدعلی
سنجری شهرضائی
ali.sanjari@aut.ac.ir
1
مؤسسه رهیافتهای نوآور برتر پاسارگاد، تهران
AUTHOR
سید محمد رضا
طاهری
m_taheri@ipm.ir
2
آزمایشگاه ملی ماده چگال، پژوهشگاه دانشهای بنیادی، تهران پژوهشکده علوم نانو، پژوهشگاه دانشهای بنیادی، تهران
AUTHOR
سید حامد
ابوطالبی
sha942@uowmail.edu.au
3
مؤسسه رهیافتهای نوآور برتر پاسارگاد، تهران آزمایشگاه ملی ماده چگال، پژوهشگاه دانشهای بنیادی، تهران پژوهشکده علوم نانو، پژوهشگاه دانشهای بنیادی، تهران
LEAD_AUTHOR
S H Aboutalebi, et al., ACS Nano 8, 3 (2014) 2456.
1
Expanding our 2D vision. Nature Reviews Materials 1, 11 (2016) 16089.
2
X Liu, et al., Nature Nanotechnology 15, 4 (2020) 307.
3
X Liu and M C Hersam, Nature Reviews Materials 4, 10 (2019) 669.
4
S H Aboutalebi, Processing graphene oxide and carbon nanotubes: routes to self-assembly of designed architectures for energy storage applications (2014).
5
Y Zhang, L Zhang, and C Zhou, Accounts of Chemical Research 46, 10 (2013) 2329.
6
K S Novoselov, et al., Science 306, 5696 (2004) 666.
7
S Yang, et al., Advanced Materials 32, 10 (2020) 1907857.
8
J N Coleman, et al., Science 331, 6017 (2011) 568.
9
S H Aboutalebi, et al., Advanced Functional Materials, 21, 15 (2011) 2978.
10
M M Gudarzi, S H Aboutalebi, and F Sharif, “Graphene oxide-based composite materials”, Wiley (2016) 314.
11
S Padmajan Sasikala, et al., Chemical Society Reviews 47, 16 (2018) 6013.
12
M J Abedin, et al., ACS Nano 13, 8 (2019) 8957.
13
S Naficy, et al., Materials Horizons 1, 3 (2014) 326.
14
R Jalili, et al., Advanced Functional Materials 23, 43 (2013) 5345.
15
F Ravera, G. Loglio, and V I Kovalchuk, Current Opinion in Colloid & Interface Science 15, 4 (2010) 217.
16
S H Aboutalebi, et al., Energy & Environmental Science 4, 5 (2011) 1855.
17
S H Aboutalebi, et al., Advanced Energy Materials 2, 12 (2012) 1439.
18
J Schindelin, et al., Nature Methods 9, 7 (2012) 676.
19
ORIGINAL_ARTICLE
آشکارسازی میونهای ناشی از تابشهای کیهانی با استفاده آشکارساز سوسوزن پلاستیک
در این تحقیق به آشکارسازی میونهای ناشی از تابشهای کیهانی در پژوهشکدة ذرات و شتابگر، پژوهشگاه دانشهای بنیادی، پرداخته شده است. اندازهگیری سرعت و طول عمر میونها توسط آشکارساز سوسوزن پلاستیک و لامپ تکثیرکنندة نوری انجام شده است. در این تحقیق از دستگاه دیجیتال، به دلیل مزایایی همچون قابلیت اطمینان و سرعت عملکرد بالا، حجم کوچک و پاسخ دقیقتر، نسبت به دستگاه آنالوگ، به منظور دادهبرداری استفاده شده است. بر اساس نتایج تجربی حاصل از این تحقیق، میانگین سرعت میونها حدوداً 108 ×) 0394/0 ± 831/2) متر بر ثانیه (0131/0 ± 944/0 β =) و و طول عمر میون حدود ) 177/0 ± 033/2) میکروثانیه به دست آمده که با نتایج مطالعات تئوری منطبق است. در این مطالعه از تجهیزات موجود در پژوهشکدة ذرات و شتابگرها در پژوهشگاه دانشهای بنیادی استفاده شده است.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1645_8136b7b72663d3368216d2fff097fd6d.pdf
2020-11-21
525
529
10.47176/ijpr.20.3.51053
تابشهای کیهانی
آشکارساز سوسوزن پلاستیک
لامپ تکثیر کنندة فوتونی
سرعت و طول عمر میون
محسن
خاکزاد
mohsen@ipm.ir
1
پژوهشکدة ذرات و شتابگرها، پژوهشگاه دانشهای بنیادی، تهران
LEAD_AUTHOR
مریم
قهرمانیگل
2
پژوهشکدة ذرات و شتابگرها، پژوهشگاه دانشهای بنیادی، تهران
LEAD_AUTHOR
C Grupen, “Astroparticle Physics”, Springer-Verlag. (2005) 456.
1
K F Peter Grieder, “Cosmic Rays At Earth: researcher’s reference manual and data book”, 1th edition, Elsevier (2001) 1117.
2
A Bachri, P Grant, and A Goldschmidt, Journal of the Arkansa Academy of Science 64 (2010) 27.
3
C Grupen, B A Shwartz, “Particle Detectors”, Cambridge University Press. 2th edition (2008) 676.
4
S Hohara, F Saiho, J Tanaka, S Aoki, Y Uozumi, and M Matoba, IEEE 48, 4 (2001) 1172.
5
G F Knoll, “Radiation Detection and Measurement”, Jon Wiley and Sons, Inc. 3th edition (1999) 796.
6
https://code.visualstudio.com/docs/languages/csharp.
7
K S Krane, “Introductory Nuclear Physics”, 3th edition, Wiely (1987) 845.
8
B Rossi, “High Energy Particles”, Prentice Hall )1952).
9
10. National Inst. of Standards and Technology. Online Database, http://physics.nist.gov )2007.(
10
ORIGINAL_ARTICLE
رابطة بین پوشیدگیهای شیمیایی و مغناطیسپذیری در نانولولۀ کربنی تک جدارۀ زیگزاگ (5,0) تغلیظ شده با پتاسیم
در این تحقیق، ارتباط بین پوشیدگی دیامغناطیسی (σd)، پوشیدگی پارامغناطیسی کل (sp+s´p) و پوشیدگی همسانگرد شیمیایی 13C(σiso) با بارهای اتمی مولیکن ، NBO و QTAIM و نیز ارتباط پوشیدگی های شیمیایی با مغناطیسپذیریها در نانولوله کربنی تک جدارۀزیگزاگ (5,0) با تغلیظ پتاسیم و بدون پتاسیم، با استفاده از نظریة تابعی چگالی، تحت شرط مرزی دورهای(PBC) در سطح محاسباتی PBEPBE/6-31G(d) بررسی شده است. نتایج نشان میدهد که نانولولة کربنی زیگزاگ (5,0) با تغلیظ پتاسیم، به نانولوله کربنی پایدارتر نوع N تبدیل میشود. رابطة خطی بین بار های اتمی مولیکن ، NBO و QTAIM با پوشیدگی همسانگرد شیمیایی13C (σiso) و پوشیدگی دیامغناطیسیσd در ساختارهای با پتاسیم و بدون پتاسیم، وجود دارد. پوشیدگی پارامغناطیسی کل (σp + σ´p) با هیچ یک از بارها در ساختارهای با تغلیظ پتاسیم، ارتباط خطی ندارد. بین مغناطیسپذیری کل اتمی(c (Ω)) با پوشیدگی همسانگرد شیمیایی13C (σiso) ارتباط کاملاً خطی در هر دو ساختار با پتاسیم و بدون پتاسیم برقرار است.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1646_0f96480440114ada7fd8ae63ba8f965a.pdf
2020-11-21
531
545
10.47176/ijpr.20.3.39761
نانو لولة کربنی زیگزاگ (5
0)، تغلیظ پتاسیم، پوشیدگی مغناطیسی، بار اتمی مولیکن، بار اتمی NBO، بار اتمی QTAIM، مغناطیسپذیری
جمشید
نجف پور
j.najafpour@gmail.com
1
گروه شیمی، دانشکدة علوم پایه، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران
LEAD_AUTHOR
فرّخ رؤیا
نیکمرام
nikmaram95@gmail.com
2
گروه شیمی، دانشکدة علوم پایه، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران
AUTHOR
رسول
نجفلو
najafloo.rasoul6565@gmail.com
3
گروه شیمی، دانشکدة علوم پایه، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران
AUTHOR
R F W. Bader and T A Keith, J. Chem. Phys. 99 (1993) 3683.
1
T A Keith and R F W Bader, Can. J. Chem.74 (1996) 185.
2
T A Keith and R F W Bader, Chemical Physics Letters194 (1992) 1.
3
T A Keith and R F W Bader, Chem. Phys. Lett. 210 (1993) 223.
4
R Chauvin, C Lepetit, B Silvi, and E Alikhani, “Applications of Topological Methods in Molecular Chemistry (Challenges and Advances in Computational Chemistry and Physics)” Springer.1st ed. Edition (2016)
5
R F W Bader and T A Keith, Int. J. Quantom Chem. 60,1 (1996) 373.
6
C Foroutan Nejad, J. Phys. Chem. A115, 45 (2011) 12555.
7
C Foroutan Nejad, Phys. Chem. Chem. Phys.14, 27 (2012) 9738.
8
M Monajjemi, J Najafpour, F Mollaamin, Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures. 21, 3 (2012) 213.
9
10. M Monajjemi and J Najafpour, Fullerenes, Nanotubes, and Carbon Nanostructures, 22, (2014) 575.
10
11. J Najafpour, M Monajjemi, H Aghaie, and K Zare, Fullerenes, Nanotubes and Carbon Nanostructures 23, 3 (2014) 218.
11
12. J Najafpour, M Monajjemi, and H Aghaie, J. Comput. Theor. Nanosci. 11, 9 (2013) 2005.
12
13. K Y Chun, S K Choi, H J Kang, C Y Park, and Ch J Lee, Carbon (2006) 1491.
13
14. M Salvato, M Lucci, I Ottaviani, M Cirillo, E Tamburri, I Cianchetta, V Guglielmotti, S Orlanducci, M L Terranova, and M Pasquali. Phys. Rev. B 84 (2011) 233406.
14
15. S Melchor and J A Dobado, Journal of Chemical Information and Computer Sciences 44 (2004) 1639.
15
16. M J Frisch, G W Trucks, and H B Schlegal, “Gaussian 09”, Gaussian, Inc., Waallingford CT (2009).
16
17. F Biegler and D Bayles, J. Comp. Chem. 22, 5 (2001) 545.
17
18. R F W Bader, J. Phys. Chem. A 111, 32 (2007) 7966.
18
19. M Monajjemi, V S Lee, M Khaleghian, B Honarparvar, and F Mollaamin, J. Phys. Chem. C 114, 36 (2010) 15315.
19
ORIGINAL_ARTICLE
تحول بُعد فراکتالی تعمیم یافتة میدان چگالی مادۀ تاریک در شبیهسازی ایلاستریس
مطالعة ساختارهای بزرگ مقیاس کیهانی، از رهیافت میدانهای تصادفی اطلاعات مهمی در خصوص شرایط اولیه و تحول آنها فراهم میکند. در این مقاله با تکیه بر ویژگیهای مقیاسی میدانهای تصادفی، خواص هندسی میدان چگالی مادۀ تاریک را در شبیهسازیهایN -ذرهای بررسی میکنیم. برای این منظور خاصیت مقیاسی مربوط به خطوط همچگال در میدانهای (2+1)بُعدی بریده شده از میدان (3+1)بُعدی، شبیهسازیهای N-ذرهای مادۀ تاریک را که توسط بُعد فراکتالی تعمیم یافته Dq قابل کمّی شدن است، بررسی میکنیم. خاصیت مقیاسی برای میدان مذکور در تمام انتقال به سرخهای موجود در شبیهسازی، برقرار است. کل کانتورهای همتراز چگالی در بزرگترین انتقال به سرخ قابل دسترس، ماهیت یک شکل هندسی منتظم دارند اما با کاهش انتقال به سرخ، میدان مذکور خاصیت چندفراکتالی پیدا میکند. با توجه به ناگوسیت میدان در انتقال به سرخ کم، منشأ این چند فراکتالی غالباً همین انحراف تابع توزیع از حالت گوسی است. تحول نمای مقیاسی Dq بر حسب انتقال به سرخ نشان میدهد که به ازایq های مثبت، ماهیت تکفراکتالی تقریباً حفظ میشود و این در حالی است که این نما برایq های منفی به شدت به انتقال به سرخ وابسته است و از این رو میتواند به عنوان معیاری حساس به منظور یافتن تمایز بین مدلهای مختلف تشکیل ساختارهای بزرگ مقیاس کیهانی، مورد توجه قرار گیرد.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1647_db70cea69547bd4087eab3b33af55346.pdf
2020-11-21
547
556
10.47176/ijpr.20.3.61074
میدان تصادفی
خواص مقیاسی
شبیهسازیN-ذرهای مادة تاریک
مهدی
یوسف زاده
mah.yousefzadeh@mail.sbu.ac.ir
1
دانشکدة فیزیک، دانشگاه شهید بهشتی، 1983969411، تهران
AUTHOR
سیدمحمدصادق
موحد
m.s.movahed@ipm.ir
2
دانشکدة فیزیک، دانشگاه شهید بهشتی، 1983969411، تهران
LEAD_AUTHOR
V J Martinez and E Saar, "Statistics of the galaxy distribution", CRC press (2001).
1
J Einasto and E Saar, "Superclusters of galaxies", in IAU Symposium, 124 (1987).
2
https://www.euclid-ec.org/
3
V Desjacques, J Donghui, and S Fabian, Physics reports 733 (2018) 1.
4
T Matsubara, The Astrophysical Journal 584, 2,1 (2003) 33.
5
W Fang, B Li, and G B Zhao, Physical review letters 118, 18 (2017) 181301.
6
http://facultymembers.sbu.ac.ir/movahed/index.php/courses/132-advanced-course-on-computational-physics
7
R H Landau and J P Manuel "Computational physics: problem solving with computers". Wiley (2007).
8
Gouyet, Jean-François, "Physics and fractal structures", Paris/New York: Masson Springer, ISBN 978-0-387-94153-0 (1996).
9
ب خاقانی. رساله کارشناسی ارشد، دانشگاه شهید، تهران.
10
Lorensen, William and Harvey E. Cline. Marching Cubes: A High Resolution 3D Surface Construction Algorithm. Computer Graphics (SIGGRAPH 87 Proceedings) 21(4) July 1987, p. 163-170)
11
http://sina.sharif.edu/rahvar/statistics
12
White, Simon DM. arXiv preprint astro-ph/9410043 (1994).
13
C M Baugh, E Gaztanaga, and G Efstathiou; Mon. Not. Roy. Astron. Soc. 274 (1995) 1049.
14
Nelson, Dylan, et al; Astronomy and Computing 13 (2015) 12.
15
Springel, Volker. Monthly Notices of the Royal Astronomical Society 401, 2 (2010) 791.
16
R colistete , J C Fabris, S V B Goncalves and P E de Souza, Int. J. Mod. Phys. D 13 (2004) 669.
17
G Hinshaw, D Larson, E Komatsu, et al. Astrophys. J. Suppl (2013),., 208, 19.18. Jr.
18
A Banihashemi, N Khosravi, and A H Shirazi. Physical Review D 99, 8 (2019) 083509.
19
N Khosravi, et al. Physical Review D 99, 10 (2019): 103526.
20
I Eghdami, H Panahi, and S M S Movahed. The Astrophysical Journal 864, 2 (2018) 162.
21
ORIGINAL_ARTICLE
ارزیابی قابلیتهای حفاظتی برخی از شیشههای اکسید فلزی در برابر تابش چشمههای رادیوایزوتوپی گاما
در این پژوهش، مشخصههای حفاظتی شیشههای اکسید فلزی تلوریت مانند TPZ، TNS، TBN، TSW، TBB و نوعی از بتن (SSC) در برابر تابش 10 چشمه رادیوایزوتوپی گاما مورد بررسی قرار گرفتند. بدین منظور، از کد MCNPX در شبیهسازی ترابرد فوتون در نمونهها و از پایگاه داده سطح مقطع XCOM برای محاسبة ضریب تضعیف جرمی استفاده شد. برای حفاظهای ذکر شده عدد اتمی مؤثر، ضریب تضعیف خطی و ضریب انباشت شار در برابر تابش چشمههای رادیوایزوتوپی گاما محاسبه شدند. نتایج نشان میدهند که در نظر گرفتن انرژی میانگین در محاسبات حفاظت در برابر پرتوها برای یک چشمۀ گسیلنده چند انرژی گاما نمیتواند ملاکی مناسب برای آن چشمه باشد و در محاسبات بایستی تمام طیف انرژی چشمه لحاظ شود. شیشه TBB بهترین تضعیف کنندة فوتون نسبت به سایر شیشههای اکسید فلزی تلوریت بود، زیرا برای تمام چشمههای رادیوایزوتوپی گاما، بیشترین عدد اتمی مؤثر، ضریب تضعیف خطی و کمترین ضرایب انباشت شار را داشت.
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1648_4a9b2a72ccdfaae181314028ecf922e5.pdf
2020-11-21
557
565
10.47176/ijpr.20.3.33052
شیشههای اکسید فلزی
عدد اتمی مؤثر
ضریب تضعیف خطی
ضریب انباشت شار
شبیهسازی مونت کارلو
فائزه
محمدرفیعی
faezehmohammadrafei921@gmail.com
1
گروه فیزیک، دانشکدة علوم، دانشگاه گلستان، گرگان
AUTHOR
رحیم
خباز
r.khabaz@gu.ac.ir
2
گروه فیزیک، دانشکدة علوم، دانشگاه گلستان، گرگان
LEAD_AUTHOR
R Khabaz and F Yaghobi, Radiation Physics and Chemistry 108 (2015) 18.
1
R Khabaz, Applied Radiation and Isotopes 139 (2018) 40.
2
3. م رئیسی و ا شهریاری، مجلة پژوهش فیزیک ایران 14، 4 (1393) 261.
3
M Raeisi and E Shahriari, Iran. J. Phys. Res. 14, 4 (2015) 261.
4
4. س محمدی، مجله پژوهش فیزیک ایران 9، 2 (1388) 215.
5
S Mohammadi, Iran. J. Phys. Res. 9, 2 (2009) 215.
6
A M A Mostafa, A M Issa Shams, and M I Sayyed. Journal of Alloys and Compounds 708 (2017) 294.
7
M Ersundu Çelikbilek, et al., Journal of Alloys and Compounds 714 (2017) 278.
8
7. م ح علامتساز و ا شیرانی، مجله پژوهش فیزیک ایران 3، 1 (1380) 27.
9
M H Alamatsaz and A Shirini, Iran. J. Phys. Res. 3, 1 (2002) 27.
10
H R Vega-Carrillo, et al., Annals of Nuclear Energy 112 (2018) 411.
11
D Sardari, et al., Applied Radiation and Isotopes 67, 7-8 (2009) 1438.
12
10. S R Manohara, et al., Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms 266, 18 (2008) 3906.
13
11. D B Pelowitz,. “MCNPX-A general Monte-Carlo N-particle transport code”, Version 2.6, LANL Report, LA-CP-07-1473, Los Alamos; (2008).
14
12. R Khabaz and H R Vega-Carrillo, Radiation Physics and Chemistry 173 (2020) 108875.
15
13. R L Heath, “Sintilation spectrometry gamma-ray spectrum Catalogue”; 2nd edn. Idaho National Laboratory, Idaho (1997).
16
14. R Khabaz, Radiation Physics and Chemistry 151 (2018) 53.
17
15. N Tsoulfanidis, “Measurement and detection of radiation”, CRC press (2010) 150.
18
16. M XCOM: Photon Cross Sections Database, version1.5,[Online].<http://physics.nist.gov/pml/data/xcom/data/xcom/index.cfm>.Gaithersburg MD, USA (2015)..
19