انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
14
2
2019
11
26
محاسبه سطح مقطع جزئی و کل در تقریب مرتبه دوم بورن- فادیف در برخورد پوزیترون با اتم هیدروژن در کانال تهییج
123
132
FA
رضا
فتحی
دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید باهنر کرمان، کرمان
rfatahi@uk.ac.ir
در کار حاضر از فرمولبندی برخورد سه جسمی در کانال تهییج در برخورد پوزیترون با اتم هیدروژن استفاده شده است. در محاسبات پتانسیلهای برهمکنش جایگزین ماتریس گذار گردیدهاند. سطح مقطع جزئی و کل با در نظر گرفتن جملات مرتبه اول و دوم سری فادیف-لاولیس- واتسون در گذار اتم هیدروژن از حالت پایه به اولین حالت برانگیخته محاسبه شده است. محدوده انرژی برخورد تا و زاویه پراکندگی پوزیترون درجه انتخاب گردیده است. در نهایت نتایج بهدست آمده با سایر نتایج موجود در دسترس از نظریههای قبلی مقایسه شده است
برخورد سه جسمی,سطح مقطع جزئی برخورد,پوزیترون,کانال تهییج,فادیف
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1073.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1073_c63c62ac30a9eb6d78fd85e8ea6fed22.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
14
2
2019
11
26
حساسیت طیفی بالا به روش حسگری چندمدی در حسگر تشدید پلاسمون سطحی و استفاده از آن جهت اندازهگیری ضخامت لایه جاذب با ضریب شکست مشخص
133
138
FA
حکیمه
محمدحسینی
. دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران
hakimeh.mohammadhosseini15@gmail.com
امیرحسین
احمدخان کردبچه
. دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران
مجید
قناعت شعار
. پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، تهران
در این مقاله حسگر تشدید پلاسمون سطحی را با در نظر گرفتن دو فلز، یکبار فلز طلا و در حالت بعدی فلز نقره مطالعه کرده و با استفاده از روش حسگری چند مدی امکان دسترسی به حساسیت طیفی بالا را در آنها مورد بررسی قرار میدهیم. نشان میدهیم که حساسیت طیفی قابل توجه حسگر تشدید پلاسمون سطحی، اندازهگیری ضخامت لایه جاذب را امکانپذیر میسازد
حساسیت طیفی,حسگر تشدید پلاسمون سطحی,روش حسگری چندمدی
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1074.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1074_878f4351e455c9b65d2b1ebd02c7bc3d.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
14
2
2019
11
26
مهندسی گاف نوار فوتونی در بلورهای فوتونی یک بعدی با استفاده از ضرایب فرنل و مقایسه آن با نتایج روش ماتریس انتقال
139
146
FA
عبدالله
رحمت نظامآباد
دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز
rahmatnezamabad@gmail.com
صمد
روشن انتظار
دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز
s-roshan@tabrizu.ac.ir
حسین
افخمی
گروه فیزیک، دانشگاه شهید مدنی آذربایجان، تبریز
باقر
رحمت نظامآباد
گروه فیزیک، دانشگاه محقق اردبیلی، اردبیل
در این مقاله گاف نوارهای بلور فوتونیکی یک بعدی با استفاده از دو روش ماتریس انتقال و روش ضرایب فرنل مقایسه میشود. در روش استفاده از ضرایب فرنل، با در دست داشتن ضرایب شکست هر یک از لایهها و همچنین زاویه تابش اولیه به سطح بلور، ضرایب فرنل عبوری و بازتاب بلور محاسبه شده و بعد شرطهای لازم و کافی برای بازتاب صد درصدی از سطح بلور متشکل از دیالکتریکهای دو لایهای بهدست میآیند. با در نظر گرفتن این نکته که برای داشتن گاف نوار باید ضریب بازتاب به واحد میل کند گاف نوارهای بلور بهدست میآید. ولی روش ماتریس انتقال دارای پیچیدگیهایی هست که میتوان به حل معادلات دیفرانسیل جزئی مرتبه دوم، اعمال شرطهای پیوستگی مؤلفههای مماسی میدانها و اعمال شرط بلوخ اشاره کرد. هر چند در نهایت نتیجههایی که با این دو روش برای گاف نوار بلورها بهدست میآیند کاملاً با هم مطابقت دارند.
بلورهای فوتونی,گاف نوار,ضرایب فرنل,ضریب بازتاب,ماتریس انتقال
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1075.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1075_1aff252d97e69b3e168353dc5c5f9bcd.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
14
2
2019
11
26
خواص اپتیکی و ساختاری میلههای شش گوشی اکسید روی رشد داده شده بهروش نشست بخار شیمیایی
148
153
FA
علی
ریحانی
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه بینالمللی امامخمینی (ره)، قزوین
reyhani@sci.ikiu.ac.ir
محمدرضا
خانلری
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه بینالمللی امامخمینی (ره)، قزوین
khanlary@yahoo.com
وحید
واحدی
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه بینالمللی امامخمینی (ره)، قزوین
در این پژوهش، میلههای هرمی شش گوشی اکسید روی نانوساختار با کیفیت ساختاری و اپتیکی بالا از طریق یک روش ساده مبتنی بر نشست بخار شیمیایی پودر Zn بدون استفاده از هیچ کاتالیست فلزی، رشد داده شدند. ریختشناسی سطح نمونهها با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مشخص گردید. نتایج حاصل از آنالیز XRD نشان داد میلههای هرمی اکسید روی دارای ساختار ورتزایت با قله ترجیحی قوی (002) میباشد. بررسی خواص اپتیکی نمونهها با استفاده از طیف فوتولومینسانس، یک قله قوی گسیل فرابنفش در 380 نانومتر را نشان داد. کیفیت و عناصر تشکیلدهنده میلههای هرمی اکسید روی با استفاده از طیفسنجی تبدیل فوریه مادون قرمز (FTIR) در دمای اتاق تعیین گردید. همچنین ساز و کار رشد میلههای هرمی شش گوشی اکسید روی بهطور مختصر بحث شده است.
اکسید روی,نانوساختار,میلههای هرمی شش گوشی,نشست بخار شیمیایی,خواص اپتیکی و ساختاری
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1076.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1076_5f7e621e992c71a340885be904a02388.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
14
2
2019
11
26
ساخت دیود شاتکی پلیمری با ساختار Al-PANI/MWCNT-Au
154
160
FA
عسگر
حاجی بدلی
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار
asgar.haji@gmail.com
مجید
بقائی نژاد
دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار
غلامعلی
فرزی
گروه مهندسی مواد و پلیمر، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار
در این پژوهش دیود شاتکی با ساختار Al-PANI/MWCNT-Au بهروش لایه نشانی چرخشی و بخار فیزیکی ساخته شده است. برای این منظور لایه نازکی از طلا بر روی شیشه آزمایشگاهی بهروش بخار فیزیکی لایه نشانی شد، سپس پلیآنیلین در محیطی که نانو لوله کربنی پخش شده بود، بهروش پلیمریزاسیون رادیکالی پلیمریزه شده و کامپوزیت پلی آنیلین/ نانو لوله کربنی چند دیواره تهیه گردید. فیلم یکنواختی از کامپوزیت حاصل روی سطح طلا با روش لایه نشانی چرخشی ایجاد شد، سپس لایه نازکی از آلومینیوم بهروش بخار فیزیکی روی فیلم پلیمری ایجاد گردید. منحنی مشخصه جریان- ولتاژ دیود ساخته شده، رسم و بررسی شد. نتایج نشان میدهد که این منحنی غیرخطی و نامتقارن است و افزاره رفتار دیودی و یکسوسازی از خود نشان میدهد. تئوریهای انتقال جریان برای دیود بررسی شد و مشاهده گردید که برای نمونه دیود ساخته شده با کامپوزیت پلیآنیلین و نانو لوله کربنی فرآیند غالب انتقال جریان، Space-Charge Limited Conduction (SCLC) میباشد.
دیود شاتکی,پلیآنیلین,نانولوله کربنی چند دیواره,لایه نشانی چرخشی
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1077.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1077_a71c5a143df24982ac4ae5aa3595b17c.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
14
2
2019
11
26
بررسی ثابت دی الکتریک لایه نازک SiO2با استفاده از آزمون بیضی سنجی
161
166
FA
پروانه
سنگپور
پژوهشکده فناوری نانو و مواد پیشرفته، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج
p.sangpour@gmail.com
کمیل
خسروی
پژوهشکده فناوری نانو و مواد پیشرفته، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج
محمود
کاظمزاد
پژوهشکده فناوری نانو و مواد پیشرفته، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج
sio2در این مقاله به بررسی رفتار نوری لایههای نازک
(TEOS )تهیه شده بهروش سل ژل چرخشی با استفاده از پیش ماده تترااتیل اورتوسیلیکات
، در دماهای مختلف(600– 400) درجه سانتیگراد پرداخته شده
UV-Vis است. از نتایج حاصل از آزمون
برای بهدست آوردن لبه جذب و گاف انرژی لایهها و از آزمون بیضی سنجی (الیپسومتری) برای بهدست آورن ضریب شکست نوری و ضرایب دی الکتریک آنها استفاده شد. نتایج نشان داد که لایههای نازک سیلیکا بهدست آمده از این روش دارای عدد سطح ویژه و درصد تخلخل بالای بین 9/4 و 2/16، چگالی کم 2 و ضریب دی الکتریک پایین 2 است. همچنین با افزایش دما ثابت دی الکتریک و درصد تخلخل لایهها افزایش یافته است که علت این امر تغییرات زبری سطح و اندازه ذرات میباشد.
الیپسومتری,سل ژل,لایه نازک سیلیکا,ثابت دی الکتریک
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1078.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1078_cbf59822817ea55f04d9681a97fea0bd.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
14
2
2019
11
26
همگامسازی در مدل کوراموتو روی شبکههای پیچیده با توزیع فرکانس ذاتی دوقلهای
167
177
FA
نوشین
خدادوستان
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان
n.khodadoostan@ph.iut.ac.ir
طاهره
ملکوتیخواه
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان
t.malakoutikhah@ph.iut.ac.ir
فرهاد
شهبازی
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان
در این کار، ما به بررسی تأثیرات اعمال توزیع دوقلهای فرکانس طبیعی در مدل کوراموتو روی شبکههای بیمقیاس، تصادفی و بیمقیاس میپردازیم. به این منظور دو مدل که در آنها جفتیدگی بین نوسانگرها مستقل و یا بهنجار شده به درجه رئوس شبکه است را در نظر میگیریم. برای تمام شبکهها، در حالتیکه ضریب جفتیدگی به درجه رئوس بهنجار نشده،زمان بیشتری برای رسیدن به حالت پایدار لازم است. تحت این دو مدل، شبکههای بیمقیاس و تصادفی با افزایش فرکانس ذاتی با توزیع دو قلهای از حالت همگامی دور میشوند؛ در صورتیکه شبکه جهان کوچک ابتدا با افزایش این فرکانس به حالت همگامی نزدیکتر میشود و پس از آن نظم سیستم کاهش یافته، سپس شروع به نوسانات منظمی میکند
همگامسازی,مدل کوراموتو,شبکههای پیچیده,شبکه جهان کوچک,شبکه تصادفی,شبکه بیمقیاس
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1079.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1079_d255d7125673b5cf25981c7980fcc091.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
14
2
2019
11
26
بررسی پراکندگی رامان تحریکی با بهکارگیری معادله نسبیتی ولاسوف
179
186
FA
مریم
شریفی
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان
m.sharifi@ph.iut.ac.ir
اکبر
پروازیان
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان
parvazin@cc.iut.ac.ir
در این مقاله پراکندگی رامان پسرو با استفاده از کد ولاسوف یک بعدی مورد مطالعه قرار گرفته است. شرایطی شبیه به آزمایشهای انجام شده در این زمینه برای بررسی چگونگی تشکیل و رشد پراکندگی رامان مورد استفاده قرار گرفته است. مطالعه تابع توزیع الکترونها، میدانهای الکتروستاتیکی طولی و الکترومغناطیسی عرضی، و چگالی الکترونها نشان میدهد که پراکندگی رامان که بهدلیل اثرات جنبشی ایجاد شده با تقویت دامنه میدان الکتریکی طولی قادر است با به دام انداختن الکترونها در چاه پتانسیل موج آنها را پیشگرم کرده و انرژی آنها را افزایش دهد.
پراکندگی رامان تحریکی,کد ولاسوف,میدان الکتریکی,میدان الکترومغناطیسی
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1080.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1080_1a9dc84dea74215500d74ce31b24c503.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
14
2
2019
11
26
بررسی فرآیند ذوب پریلین با استفاده از شبیهسازی دینامیک مولکولی
187
192
FA
مطهره
پیوسته
گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
monaph7@yahoo.com
سعید
ستایشی
گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
مهدی
واعظزاده
گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
رضا
افضلزاده
گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی
در این مقاله با استفاده از شبیه سازی دینامیک مولکولی (کد لمپس)، فرآیند ذوب پریلین در دو هنگرد NPT و NVTبه دو روش مختلف مورد بررسی قرار گرفته است. پتانسیل برهم کنشی انتخاب شده در این مقاله آر- ای2 بود. پس از اجرای شبیهسازیها، انرژی پتانسیل و پارامتر نظم سیستم برحسب تابعی از دما در محدوده K600 - K500 محاسبه شده اند. نتایج نشان می دهند که برای بررسی فرآیند ذوب سیستم هنگرد NPT مناسب تر و نتایج حاصل از آن به دادههای تجربی نزدیک تر است.
دینامیک مولکولی,ذوب,پارامتر نظم,آر- ای2,گذار فاز,پریلین
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1081.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1081_a1b838900456c72d83f0e4696206a030.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
14
2
2019
11
26
توصیف برهمکنشهای بسذرهای هستهای در چارچوب نظریه تغییر شکل کوانتومی
193
199
FA
الهه
یعقوبیپور
گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه اصفهان
eyaghubi@yahoo.com
یک تحقیق فرمیونی فشرده جبر همتافت SP(4 ، خود چارچوبی طبیعی برای مطالعه همبستگی های تزویج برهم کنش های بس ذره ای در هسته-ها است. در اینجا، از مفهوم تغییر شکل کوانتومی برای توصیف همبستگی های تزویج در هسته های اتمی استفاده می کنیم. در حالی که، حد تغییر شکل نیافته نظریه، توصیف همه جانبه ای از ویژگی های خاص هسته ای و اثرهای ساختار ریز را فراهم می کند، نتایج نشان می دهد که تغییر شکل q نقش مهمی در درک اثرهای مرتبه بالاتر در برهم کنش های بس ذره ای ایفاء می کند.
نظریه تغییر شکل کوانتومی,برهم کنش های بس ذره ای,جبرهای کوانتومی و تزویج نوکلئونی
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1082.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1082_ff3d96bbcfb99f2220e70de7a7860bfa.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
14
2
2019
11
26
بررسی رسانش الکترونی در تبدیل یک چندپار پلی استیلن به پلی استیرن
201
206
FA
حسن
ربانی
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
rabani-h@sci.sku.ac.ir
محمد
مردانی
مرکز پژوهشی فناوری نانو، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
mohammad-m@sci.sku.ac.ir
محمد
مردانی
0000-0002-6268-5311
مرکز پژوهشی فناوری نانو، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
moh.mardaani@gmail.com
یوسف
علیپور
گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
در این مقاله توسط رهیافت تنگابست با استفاده از روش ماتریس انتقال و تقریب همسایه اول به بررسی رسانش الکترونی یک چندپار پلیاستیلن محصور بین دو زنجیره ساده پرداخته؛ و با افزودن مولکولهای بنزن به پلی استیلن رسانش سامانه را در تبدیل آن به چندپار پلیاستیرن بهدست میآوریم. نتایج نشان میدهد هر چه تعداد مولکولهای بنزن در سامانه مرکزی بیشتر باشد، رسانش الکترونی در ناحیه تونلزنی پلیاستیلن بهبود یافته و این ناحیه به ناحیه تشدیدی نزدیک میشود و در مقابل قسمتی از ناحیه تشدیدی مربوط به طیف رسانش چندپار پلیاستیلن به ناحیه تونلزنی پلی استیرن تبدیل میگردد.
تنگابست,ماتریس انتقال,رسانش الکترونی,پلیاستیلن,پلیاستیرن
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1083.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1083_484b5584db8a51d58bd998283079a5d7.pdf