انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
مطالعة بنیادی برهمکنش گاز N2O بر روی سطوح حالتهای خالص و آلایش یافته با Si، Ga و SiGa نانولولة آرمچیر بور فسفید: به روش DFT
39
49
FA
مهدی
رضایی صامتی
گروه شیمی فیزیک، دانشکدة علوم پایه، دانشگاه ملایر
mrsameti@gmail.com
خاطره
هادیان
گروه شیمی فیزیک، دانشکدة علوم پایه، دانشگاه ملایر
10.47176/ijpr.20.3.20912
در این تحقیق با استفاده از نظریة تابعی چگالی، پارامترهای الکتریکی، ساختاری، کوانتومی و تشدید مغناطیس هستهای (NMR) مربوط به برهمکنش گاز N<sub>2</sub>O بر روی موقعیت اتمهای B و P حالتهای خالص و آلایش یافته با Si، Ga و SiGa نانولولۀ آرمچیر(4 و 4) بور فسفید(BPNTs) مورد بررسی قرار گرفته است. برای این منظور هفت مدل جذبی را بر روی سطح خارجی نانولولة بور فسفید در نظر گرفته و سپس تمام ساختارهای مورد مطالعه را با استفاده از روش B3LYP و توابع بنیادی 6-31G(d) بهینه کردهایم . ساختارهای بهینه شده برای محاسبة پارامترهای الکتریکی، ساختاری، کوانتومی و NMR مورد استفاده قرار گرفتهاند. نتایج حاصل نشان میدهد که مقادیر انرژیهای جذب تمام مدلهای مورد مطالعه منفی بوده، گرماده و از نظر ترمودینامیکی مساعد هستند. هنگامی که گاز N<sub>2</sub>O از سر اکسیژن خود جذب اتم بور نانولوله شود، این گاز به اکسیژن اتمی و نیتروژن مولکولی تفکیک میشود. در این حالت انرژی جذب بیشتر از سایر مدلها بوده لذا از سایر مدلها نیز پایدارتر است. در مدلهای جذبی A ، B و C پارامتر سختی کروی نانولوله کاهش قابل توجهی را نسبت به حالت اولیه نشان میدهد که بیانگر افزایش واکنشپذیری و فعالیت نانولوله است. همچنین در این مدلها مقدار الکترونخواهی، پتانسیل شیمیایی، الکترونگاتیویته و پارامتر نرمی افزایش قابل ملاحظهای را نسبت به حالت اولیه نشان میدهند. نتایج حاصل از محاسبات NMR نشان میدهد مقادیرCSI در مدل C از سایر مدلها بیشتر است. نتایج این تحقیق نشان میدهد نانولولههای بور فسفید آلایش یافته با Si ، Gaو SiGaانتخاب مناسبی برای جذب و تهیه حسگر گاز N<sub>2</sub>O هستند.
BPNTS,DFT,NMR,جذب N2O,آلایش یافته Ga,Si و SiGa
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1629.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1629_53f7ebe7ddfb77ec0508bfe9a92e1a2a.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
یک روش جدید برای سنتز نانوذرات اکسید نیکل برای فعالیت ضد باکتریایی
51
55
FA
Ahmed
Rheima
گروه شیمی، دانشکدة علوم، دانشگاه واسط، واسط، عراق
ahmed.rheima@yahoo.com
Ahmed
Abed Anber
گروه امور دانشجویی و ثبت نام، دانشگاه علوم الکرخه، بغداد، عراق
ahmedkrm88@gmail.com
Anfal
Shakir
گروه شیمی، دانشکدة بیوتکنولوژی، دانشگاه سبز القاسم، عراق
anfal@gmail.com
Ammar
Salah Hammed
گروه فیزیک، دانشکدة علوم، دانشگاه کربلا، کربلا، عراق
ammar.s@uokerbala.edu.iq
Shahad
Hameed
گروه شیمی، دانشکدة علوم، دانشگاه واسط، واسط، عراق1
shahad.hameed@yahoo.com
10.47176/ijpr.20.3.38771
در این کار، نانوذرات اکسید نیکل (NiO NP) از طریق پرتو افکنی نوری به عنوان یک روش جدید سنتز شدهاند. این یک روش ساده و مقرون به صرفه است. اندازة متوسط و ریخت شناسی ذرات توسطAFM ،TEM و SEM مورد بررسی قرار گرفت. تبلور با تجزیه و تحلیل XRD براورد شد و قدرت میدان مغناطیسی نمونهها با استفاده از دستگاه گوس متر اندازهگیری شد. مطالعات XRD تأیید کردند که نانوذرات اکسید نیکل درجة بالایی از تبلوردارند. اندازة ذرات اکسید نیکل در حدود 12 نانو متر بود. مقادیر ناحیة مهار نشان میدهد که نانوذرات نسبت به باکتریهای مختلف تأثیر دارند. بنابراین نتایج حاصل نشان داد که روش جدیدی برای سنتز نانوذرات NiO میتواند به عنوان عوامل ضد میکروبی علیه باکتریها نویدبخش باشد.
اکسید نیکل,پرتو افکنی نوری,ضد میکروب
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1630.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1630_50e56ee08bed1ec9b185c7fc0f629e5c.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
بررسی تجربی رشد جزایر مغناطیسی در پلاسماهای توکامک با اعمال محدود کنندة یکطرفه گسیلنده و میدان تشدید مارپیچی
57
63
FA
اکبر
اصلانی
دانشکدة فیزیک، دانشگاه اصفهان، اصفهان
مهدی
نصری نصرآبادی
0000-0002-8706-727X
دانشکدة فیزیک، دانشگاه اصفهان، اصفهان
mnnasrabadi@ast.ui.ac.ir
10.47176/ijpr.20.3.3424
در عصر حاضر، محصورسازی گداخت مغناطیسی به عنوان راهی برای تولید انرژی در نظر گرفته میشود. در این تحقیق، یکی از محدودیتهای مگنتوهیدرودینامیکی یعنی جزایر مغناطیسی که به دلیل اثرات فشار ایجاد میشوند، مورد بحث قرار گرفت و لازم است به صورت سطوح مغناطیسی بسته، توسط یک جداگر که آنها را از سایر قسمتها جدا میکند، احاطه شوند. از میدانهای مغناطیسی خارجی، ضریب ایمنی و پروفایلهای فشار، برای کنترل جزایر مغناطیسی استفاده میشود. این امر از طریق یک محیط خارجی، منحصراً گرمایش سیکلوترونی الکترون و همچنین جریان راهانداز انجام میشود. مطالعة سطوح شار مغناطیسی و تأثیر اختلالات مغناطیسی بر روی پلاسماهای توکامک، ما را از تشکیل جزایر مغناطیسی و محل آنها آگاه میسازد. در این تحقیق، همراه با بررسی جامع جزایر مغناطیسی و اهمیت آنها، روشهای مرسوم برای بهبود محصورسازی مغناطیسی معرفی و مورد بحث قرار گرفتند. در این راستا، روش محدود کننده یکطرفه داغ و میدان تشدید مارپیچی که توسط سیم پیچهای مارپیچی خارجی تولید میشود، معرفی و مورد استفاده قرار گرفتند و جریان پلاسما، ولتاژ حلقه و نوسانات میرنوف برای حالتهای مختلف به دست آمدند. در نهایت، عرض جزایر مغناطیسی و نرخ رشد آنها محاسبه و با نتایج تجربی مقایسه شدند.<br /> <br />
توکامک,جزایر مغناطیسی,جداگر,محدود کنندة یکطرفه,میدان تشدید مارپیچی
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1639.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1639_68fa6883586d449987f00b9dccc85f58.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
حد سرعت کوانتومی تولید درهمتنیدگی اتم- یون در اتصال جوزفسون
401
409
FA
شاهپور
سعیدیان
دانشکدة فیزیک، دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایة زنجان، زنجان
مرکز پژوهشی اپتیک، دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایة زنجان، زنجان
saeidian@iasbs.ac.ir
مصطفی
رجبی ابقا
دانشکدة فیزیک، دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایة زنجان، زنجان
mrebgha@iasbs.ac.ir
10.47176/ijpr.20.3.38821
در این پژوهش به مطالعة تونلزنی یک اتم در داخل یک چاه پتانسیل دوتایی پرداختهایم. اتم در برهمکنش با یک یون است که در یک چاه هماهنگ ساده در مرکز چاه دوتایی قرار دارد. تونلزنی اتم را میتوان با استفاده از اسپین و یا حالتهای فضایی یون کنترل کرد. با در نظر گرفتن یک پتانسیل مدل نشان دادهایم که میتوان یک حالت درهمتنیده بین حالت فضایی یون و تابع موج اتم تولید کرد. با استفاده از روش کنترل بهینه به بررسی سریعترین فرایند ممکن برای دستیابی به این حالت درهمتنیده پرداختهایم. این دستگاه میتواند به عنوان کیوبیت در کامپیوترهای کوانتومی مورد استفاده قرار گیرد.<br />
درهم تنیدگی اتم یون,الگوریتم پایههای تصادفی,کنترل بهینه,حد سرعت کوانتومی
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1631.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1631_6f14090447df827713e9eab80736387e.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
ناهمسانگردی مغناطیسی در لایههای نازک کبالت- پالادیوم CoxPd100-x روی زیرلایۀ SiO2 آمورف
411
416
FA
مهران
سدرپوشان
دانشکدة فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان
mehran.sedrpooshan@gmail.com
حسین
احمدوند
دانشکدة فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان
ahmadvand@iut.ac.ir
10.47176/ijpr.20.3.25661
لایههای نازک کبالت - پالادیوم با نسبتهای مختلف، (CoxPd100-x(x=23,36,43 ، به روش لیزر پالسی روی زیرلایه فیوز سیلیکا (SiO2 آمورف) رشد داده شدند. بهمنظور مشخصهیابی ساختاری نمونهها از تحلیلهای بازتابش پرتو ایکس (XRR) و پراش پرتو ایکس (XRD) و برای بررسی ویژگیهای مغناطیسی از دستگاه اندازهگیری ویژگیهای فیزیکی (PPMS) استفاده شد. نتایج نشان میدهند که لایهها ضخامتی در محدوده 16 تا 20 نانومتر دارند و ساختار بلوری آنها مکعبی مرکز حجمی (FCC) است. همچنین لایهها دارای رشد مرجح در راستای [111]هستند. بررسی ویژگیهای مغناطیسی این لایهها نشان میدهد که با افزایش نسبت پالادیوم به کبالت، ناهمسانگردی مغناطیسی متمایل به جهت عمود بر لایه میشود که این اثر به تقویت برهمکنش اسپین - مدار ارتباط داده شده است. همچنین در این پژوهش اثر ضخامت بر ناهمسانگردی مغناطیسی موردبررسی قرار گرفته است.
لایهنازک,لایهنشانی لیزر پالسی,کبالت - پالادیوم,ناهمسانگردی مغناطیسی
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1632.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1632_ea6b7e7d6625a49dea1c3c1946f1840a.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
مطالعة جبهۀ تهاجم در محیطهای ناهمگن در راستای بررسی هندسۀ مرز تومور
417
424
FA
یونس
عظیم زاده
0000-0001-7363-7916
دانشکدة فیزیک، دانشگاه تهران
y_azimzade@ut.ac.ir
عباس علی
صابری
دانشکدة فیزیک، دانشگاه تهران
DOI:10.47176/ijpr.20.3.38242
ما مدلی برای بررسی وابستگی ساختار مرز تهاجم در محیط دوبعدی به مؤلفههای مختلف یک محیط سلولی طراحی کردیم. به این منظور ما از معادلة غیرخطی واکنش- پخش، موسوم به معادلة فیشر برای توصیف تحول جمعیت سلولهای تومور استفاده کردیم. ما تلاش کردیم تا نقش افت و خیز در سختی محیط و همبستگیهای فضایی میان این افتوخیزها را که در مطالعات تجربی مشاهده شدهاند بر مرز مطالعه کنیم. نتایج ما نشان دادند که سه مؤلفۀ اساسی ساختار مرز را کنترل میکنند: شدت افت و خیزها، همبستگیهای فضایی میان آنها و R/D که در آن R آهنگ تکثیر و D ضریب پخش سلولها است. ما همچنین با تحلیل مقیاسی مرز تهاجم در معادلۀ فیشر نشان دادیم که بر خلاف مطالعات گذشته، مرز تهاجم تومورها و کلونیهای سلولهای سرطانی از مدلهای شناخته شدة رشد سطح مانند کاردر- پاریزی-ژانگ پیروی نمیکنند.<br />
جبهة تهاجم,معادلة فیشر تصادفی,سختی بافت,تومور
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1633.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1633_f32fff06c047198cd70aa0421f165b01.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
افزایش جذب نوری تکلایة WS2 با استفاده از لایة میانی و لایة پلاسمونیک نقره
425
431
FA
نرگس
انصاری
دانشکدة فیزیک- شیمی، دانشگاه الزهرا، تهران
n.ansari@alzahra.ac.ir
انسیه
محبی
دانشکدة فیزیک- شیمی، دانشگاه الزهرا، تهران
e.mohebi@student.alzahra.ac.ir
فاطمه
غلامی
دانشکدة فیزیک- شیمی، دانشگاه الزهرا، تهران
fateme.gh182@gmail.com
مریم
عنافچه
دانشکدة فیزیک- شیمی، دانشگاه الزهرا، تهران
m.anafcheh@alzahra.ac.ir
10.47176/ijpr.20.3.40121
از میان نانومواد دو بعدی، تکلایة WS<sub>2</sub> با گاف نواری مستقیم و جذب تیز در طول موج 619 نانومتر، افق جدیدی برای کاربری در فوتونیک و الکترواپتیک ایجاد کرده است. در این مقاله در راستای افزایش جذب، به بررسی اثر لایة نازک نقره به عنوان لایة پلاسمونیک روی زیرلایه و اثر لایة میانی و لایة پوشاننده به صورت نظری پرداخته شده است. ویژگی اپتیکی ساختارها با روش ماتریس انتقال، TMM، در ناحیة طول موج مرئی مورد بررسی قرار گرفته است. در طراحی این ساختارها با قرارگیری لایة میانی و لایة نقره در ساختار شامل تکلایة WS<sub>2</sub>، میزان جذب نسبت به حالت معلق از 17% به 57% افزایش یافته است. با تغییرزاویة فرود در طیف وسیعی از زاویۀ جذب بالای 40% دیده میشود که چشمانداز خوبی برای تحقق کاربریهای مبتنی بر تکلایة WS<sub>2</sub> است.
تکلایة WS2,پلاسمونیک,طیف جذب,لایة میانی,لایة پوشاننده
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1634.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1634_4d911f4835eaa2e77ba89ba200280ce9.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
جفتشدگی سهگانة ناهنجار بوزونهای پیمانهای در پراکندگی فوتون- فوتون در آزمایش ال.اچ.سی
433
444
FA
صدیقه
تیزچنگ
0000-0002-9034-598X
پژوهشکدة ذرات و شتابگرها، پژوهشگاه دانشهای بنیادی، تهران
s.tizchang@ipm.ir
سید محسن
اعتصامی
پژوهشکدة ذرات و شتابگرها، پژوهشگاه دانشهای بنیادی، تهران
sm.etesami@ipm.ir
10.47176/ijpr.20.3.31016
در این مقاله، با در نظرگرفتن فرایند تولید انحصار مرکزی <em>pp→pWWγp </em>، برهمکنش سهگانة ناهنجار بوزونهای پیمانهایرا در برخوردهای پروتون- پروتون در ال.اچ.سی در فاز اجرایی درخشندگی بالا با انرژی مرکز جرم چهارده تراالکترونولت و درخشندگی جمع شدة سه بر اتوبارن مطالعه میکنیم. در این مطالعه برای کاهش فرایندهای زمینه، واپاشی لپتونی بوزونهای <em>W</em> درنظر گرفته شده است. به منظور تمایز این فرایند از فرایندهای معمول در برخورد پروتونها، بایستی پروتونهای نهایی آشکارسازی شوند. بدین منظور از ویژگی آشکارسازهای پیشانی تعبیه شده در فاصلة طولی حدود دویست متری در دو سمت نقطه برهمکنش پروتونها و فاصلۀ عرضی چند میلیمتری از باریکة پروتونی، استفاده میکنیم. با استفاده از سینماتیک ذرات تولید شده در آشکارساز مرکزی و وابستگی آن به سینماتیک پروتونهای متلاشی نشده در ناحیة پیشانی، برشهای مناسبی انتخاب کرده و حدهای انتظاری بر جفتشدگیهای ناهنجار سهگانة بوزونهای پیمانهای را به دست آوردیم. مقایسة نتایج به دست آمده با حدهای آزمایشگاهی موجود، نشان میدهد این فرایند میتواند به عنوان یک فرایند مکمل برای مطالعه این جفتشدگیها در نظر گرفته شده و حدهای موجود برجفتشدگی <em>λγ</em> را بهبود ببخشد.<br />
پراکندگی انحصاری مرکزی,آشکارسازهای پیشانی,جفتشدگی ناهنجار بوزونهای پیمانهای
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1635.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1635_5524a13a2f09b5768020f853f46365ba.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
سنتز نانو ذرات هیدروکسی آپاتیت به روش سل- ژل، بررسی ریخت شناسی و مقایسة ساختار آن با دندان سالم
445
453
FA
ساجده
محمدی عارف
دانشکدة فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز
aref1234@gmail.com
میثم
صفری گزاز
دانشکدة فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز
meysam.safari71@yahoo.com
معصومه
خاتمیان
دانشکدة شیمی، دانشگاه تبریز، تبریز
mkhatamian@yahoo.com
10.47176/ijpr.20.3.31022
در این تحقیق، نانو ذرات هیدروکسی آپاتیت با استفاده از مواد اولیة کلسیم نیترات چهارآبه (Ca(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>.4H<sub>2</sub>O) و پنتا اکسید دی فسفر (p <sub>2</sub>O<sub>5</sub>) و به کارگیری روش سل- ژل، در دمای محیط ساخته شد. به منظور بررسی ساختار و شناسایی پیوندهای شیمیایی ایجاد شده و مقایسۀ آنها با دندان سالم به ترتیب از تحلیل پراش پرتو ایکس (XRD) و طیف فرو قرمز فوریه (FT-IR) استفاده شد. همچنین، ریز ساختار و ریخت شناسی پودر HAP سنتز شده و دندان سالم توسط مطالعات میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مورد ارزیابی قرار گرفت. نتایجی که ازتحلیل پراش پرتو ایکس و طیففرو قرمز فوریه به دست آمد، نشان میدهد که پودر تولید شده، هیدروکسی آپاتیت خالص است و هیچ گونه ناخالصی در نمونه یافت نشد. ساختار بلوری هیدروکسی آپاتیت سنتز شده با تقریب خوبی منطبق با ساختار بلوری دندان بوده و پیوندهای شیمیایی موجود در دندان سالم در هیدروکسی آپاتیت نیز دیده میشود. همچنین، نمونۀ سنتز شده از درجۀ بلورینگی بالایی برخوردار است. بررسی تصاویر SEM نیز نشان میدهد که ریختشناسی هیدروکسی آپاتیت سنتز شده و دندان سالم در ابعاد نانو با متوسط توزیع اندازۀ ذرات به ترتیب 69/25 و 15/23 نانومتر، تقریباً کروی شکل است که تأیید دیگری بر نزدیکی ساختار نانو ذرات سنتز شده با دندان سالم است. در این تصاویر آثار کلوخهشدگی در نانو ذرات سنتز شده نیز مشاهده میشود. استحکام فشاری نمونه سنتز شده برابر با MPa 5/5 به دست آمد که با تقریب خوبی در حد مقاومت فشاری استخوان اسفنجی است.<br />
هیدروکسی آپاتیت,دندان,سل- ژل,نانو ذره,ریز ساختار
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1636.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1636_a26c400c95ed6a6b45edb8bfb9538798.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
به کارگیری تقریب مرتبة اول بورن- فدیف در کانال یونش
455
461
FA
رضا
فتحی
0000-0002-6097-8962
دانشکدة فیزیک، دانشگاه شهید باهنرکرمان، کرمان
rfathi@uk.ac.ir
سعیده
امیری بیدوری
دانشکدة فیزیک، دانشگاه شهید باهنرکرمان، کرمان
amiri.1388@yahoo.com
10.47176/ijpr.20.3.31015
در کار حاضر سطح مقطعهای جزئی سهگانه و دوگانة یونش اتم هیدروژن در برخورد با پروتون در محدودۀ انرژیهای میانی و بالا محاسبه شده است. پتانسیلهای برهمکنش بهصورت کولنی در نظر گرفته شده و محاسبات سطح مقطع جزئی سهگانه با استفاده از تقریب مرتبۀ اول بورن- فدیف به صورت کاملاً تحلیلی انجام شده است. سطح مقطعهای جزئی سهگانه در انرژیهای فرودی و اندازه حرکتهای انتقالی مختلف با یکدیگر و با نتایج تقریب مرتبة اول بورن مقایسه شده است. در نهایت نتایج سطح مقطع جزئی دوگانه به دست آمده در این تقریب با نتایج تجربی و سایر نظریههای در دسترس مقایسه شده است.
یونش,تقریب بورن- فدیف,سطح مقطع جزئی سهگانه (کامل)
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1637.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1637_c3d9515ea94b5967fa686a09735913cf.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
کاتالیز مغناطیسی در یک نظریة هولوگرافی محبوس
463
470
FA
لیلا
شاه کرمی
دانشکدة فیزیک، دانشگاه دامغان، دامغان
l.shahkarami@du.ac.ir
10.47176/ijpr.20.3.39131
در این مقاله ناپایداری نظریة پیمانهای شبه محبوس (D3+D(-1)) را در اثر اعمال همزمان میدان الکتریکی و مغناطیسی ثابت مورد بررسی قرار میدهیم. طبق دوگانی پیمانهای- گرانشی، نرخ واپاشی ناشی از میدانهای خارجی را میتوان با استفاده از قسمت موهومی کنش DBI محاسبه کرد. به علت محبوس بودن کوارکها در نظریة تحت مطالعه، نرخ واپاشی کوارکها حتی کوارکهای بدون جرم، تنها به ازای میدان الکتریکی بزرگتر از یک مقدار آستانه که همان میدان الکتریکی بحرانی نظریه است، غیر صفر است. همچنین مشاهده میکنیم که اعمال همزمان یک میدان مغناطیسی ثابت هم راستا با (در راستای عمود بر) میدان الکتریکی، نرخ واپاشی را افزایش (کاهش) میدهد. از طرفی، تابعیت میدان الکتریکی بحرانی از میدان مغناطیسی، نشان دهندة کاتالیز مغناطیسی است؛ یعنی اعمال میدان مغناطیسی مقدار میدان الکتریکی بحرانی را، که بالای آن اثر شوئینگر رخ میدهد، افزایش میدهد
دوگانی AdS/CFT,پیچیدگی کوانتومی,سیاه چاله
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1638.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1638_3a4b1645761e5a268fa1bc0e28b54eea.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
جوابهای اینستنتونی در مدلی از تناظر AdS4/CFT3
471
486
FA
محمد
نقدی
گروه فیزیک، دانشکدة علوم پایه، دانشگاه ایلام، ایلام
naghdi.m@gmail.com
10.47176/ijpr.20.3.51063
از خمش (پاد)غشاءهای-M ابرگرانش ١١- بعدی با هندسۀ روی فضای داخلی همراه با جواب آزمایشی برای ٤- فرم قدرت- میدان، از حل معادلات و اتحادهای مربوطه، معادلات دیفرانسیل اسکالر را در فضای پاددوسیتۀ ٤- بعدی اقلیدسی به دست میآوریم. البته توجه داریم که جواب و سازوکار حجمی مربوطه، تمام ابرتقارن، پاریته و ناوردایی مقیاس را میشکنند و پتانسیل (شبه) اسکالر منتجه که هیگز گونه است با دو خلأ نسبتاً تبهگن، گذار فاز مرتبۀ اول و تونل زنی از خلأ کاذب به صحیح را نیز مجاز میدارد. در اینجا با تمرکز به سه مد (شبه) اسکالر که قابل تحقق در زمینۀ غشاءهای- ویک- چرخیده و یا تغییر جهت داده، هستند، از روشهای تقریبی و به ویژه روش تجزیة آدومیان برای حل معادلات دیفرانسیل مرتبة دوم غیر خطی منتجه که در حد کاوشی معتبرند، با شرط مرزی دیریکله یا دادة اولیه از یک جواب پایۀ دقیق، جوابهای تقریبی را به صورت بسط سری در نزدیک مرز، در مراتب مختلف بسط اختلالی به دست میآوریم. سپس، با استفاده از اصول و قواعد تناظر AdS<sub>4</sub>/CFT<sub>3</sub>،پس از تبادل سه نمایش بنیادی برای گراویتینو، عملگرهای تکتایۀ دوگان را از میدانهای (اسکالر، فرمیون و پیمانهای) در مدلی از نظریة میدان پیمانهای چرن- سایمون- مادة مرزی ٣- بعدی که روی پادغشاءهای- حاصل زندگی میکند، میسازیم. سپس با تغییر کنشهای مرزی متناظر با عملگرها، جوابهایناوردایی با کنش متناهی غیر صفر را به دست میآوریم که در واقع اینستنتونهای کوچک واقع در مرکز یک ٣-کره در بینهایت میباشند که سبب ناپایداری و واسطه واپاشی خلأ کاذب میشوند. به عبارتی دیگر، پتانسیلهای مرزی نامقید از زیر، دوگان رمبش حبابهای خلأ (دیوار نازک) حجمی و تکینگیهای نابودی بزرگ هستند.
تناظر AdS4/CFT3,معادلات (شبه) اسکالر,روش تجزیة آدومیان,عملگرهای دوگان,جوابهای اینستنتونی
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1640.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1640_f14c499bf5bf525d1c3d4b328079da1b.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
تحول یک قرص پیشسیارهای در حضور باد مغناطیده
487
494
FA
محسن
شادمهری
0000-0001-6253-5826
گروه فیزیک، دانشکدة علوم، دانشگاه گلستان، گرگان
m.shadmehri@gu.ac.ir
10.47176/ijpr.20.3.51052
مطالعات نظری و شبیهسازیهای عددی قرصهای پیشسیارهای حکایت از آن دارند که ناپایداری مغناطودورانی سازوکار اصلی برافزایش است. با این حال، شواهد اخیر رصدی نشان میدهند که در چنین سامانههایی بادهای مغناطیده نیز حضور دارند. پرتاب چنین بادهایی به از دست دادنِ تکانة زاویهای و آهنگ برافزایشِ جرم بیشتر میانجامد. شبیهسازیهای عددی غیر آرمانی نیز نشان میدهند که بین ناپایداری مغناطو دورانی و پرتاب باد مغناطیده همبستگی وجود دارد. در نتیجه مطالعة ساختار قرصهای پیشسیارهای در حضور باد مغناطیده از اهمیت بسزایی برخوردار است. جوابهایی کاملاً تحلیلی برای تحول زمانی یک قرص پیشسیارهای در حضور باد مغناطیده ارائه میکنیم. مؤلفههای تانسور تنش برای تلاطمِ درونِ قرص و باد مغناطیده را بر اساس رابطههایی مبتنی بر شبیهسازیهای عددی به کار میگیریم. این مؤلفهها بر حسب نسبت فشار گاز به فشار مغناطیده نوشته میشوند و در حالتی که میدان مغناطیسی قوی باشد، نقش باد مغناطیده در از دست دادنِ تکانۀ زاویهای غالب است. نشان میدهیم که در مراحل آغازین تحول، کاهش جرم قرص چندان چشمگیر نیست. اما پس از سپری شدنِ زمانی مشخص، این فرایند کاهش جرم به شدت تقویت میشود. به نظر میرسد نقش باد مغناطیده در قرصهای پیشسیارهای که جوان نیستند اهمیت بیشتری دارد. همچنین نشان میدهیم این الگوی دو مرحلهای تحول قرص در حضور باد مغناطیده تقریباً از نحوة توزیع شعاعی دمای قرص مستقل است. .
قرصهای برافزایشی,قرصهای پیشسیارهای,شکلگیری سیارات
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1641.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1641_002882e682181a4f5ad532b527187eb4.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
اثر تاریکی لبة ستارة چشمه در رصد ریزهمگرایی گرانشی در فیلترهای مختلف
495
500
FA
پریسا
سنگتراش
دانشکدة فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان، اصفهان
p.sangtarash@outlook.com
صدیقه
سجادیان
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان
s.sajadian@iut.ac.ir
10.47176/ijpr.20.3.71096
کروی بودن ستارهها باعث میشود که شار دریافتی از نقاط مختلف سطح آنها یکنواخت نباشد و در لبهها کمتر از مرکز آن باشد. بدین ترتیب لبهها تاریکتر از مرکز ستاره دیده میشود که به آن اثر تاریکی لبه میگویند. مقدار اثر تاریکی لبه به مشخصات اتمسفری ستاره، دما، گرانش سطحی و فلزیت آن بستگی دارد. در این مقاله، ما یک راهکار برای شناسایی بهتر ستارههای چشمه در رویدادهای ریزهمگرایی گرانشی با تقویت نور بالا ارائه میکنیم. در این رویدادها که عدسی از مقابل سطح ستارة چشمه عبور میکند، وجود تابع تقویت نور ناشی از همگرایی گرانشی که تابعی از مکان است و همچنین نایکنواختی شار دریافتی از نقاط مختلف سطح ستاره به دلیل اثر تاریکی لبه، باعث میشود در حین گذر عدسی از سطح ستارة چشمه، رنگ ستاره با زمان تغییر کند. اندازهگیری تغییر رنگ در این رویدادها کمک میکند تا بتوانیم وابستگی پارامترهای تاریکی لبه به طول موج و در نتیجه پارامترهای اتمسفر ستارة چشمه و پارامترهای خود ستارة چشمه را تعیین کنیم.
ریزهمگرایی گرانشی,اثر تاریکی لبه,اتمسفر ستارة چشمه
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1642.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1642_1f7c026d2e25ad66341a27ba5b584712.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
اثر آلایندة Si روی خواص الکترونی و اپتیکی نانو ساختارهای گالیم آرسنید
501
513
FA
محبوبه
بیگمرادی
گروه فیزیک، دانشکدة علوم، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان
mahbubeh.bigmoradi@gmail.com
حیدرعلی
شفیعی گل
گروه فیزیک، دانشکدة علوم، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زاهدان
shafiei@phys.usb.ac.ir
10.47176/ijpr.20.3.37611
در سالهای اخیر با پیشرفتهای به دست آمده در رشد مواد، علاقة قابل ملاحظهای در زمینة نیمرساناهای مرکب گروه (III-V) به ویژه GaAs به وجود آمده است. سیلیکون مناسبترین ماده برای آلاییدگی نوع n گالیم آرسنید است. در این پژوهش خواص الکترونی نانوبلورهای Ga<sub>6</sub>As<sub>4</sub>H<sub>10</sub> و Ga<sub>6</sub>As<sub>3</sub>SiH<sub>10</sub>، با استفاده از روش شبه پتانسیل و فرمولبندی نظریة تابعی چگالی (DFT) و با تقریب LDA در بستة نرمافزاری کوانتوم اسپرسو مورد بررسی قرار میگیرند. نتایج حاصل از محاسبات نشان میدهند که هرچه اندازة نانوبلور بزرگتر شود مقدار گاف نواری کاهش مییابد. با جایگزینی اتم ناخالصی Si بهجای اتم As در نانوبلور Ga<sub>6</sub>As<sub>4</sub>H<sub>10</sub><sub>،</sub> گاف انرژی نسبت به حالت غیر آلاییده کوچکتر و تراز فرمی به لبۀنوار رسانش نزدیک میشود که در این حالت نانوبلور Ga<sub>6</sub>As<sub>3</sub>SiH<sub>10</sub>یک نیمرسانای نوع n خواهد بود. پربند چگالی بار الکتریکی در اطراف اتمها نشان دهندة پیوند یونی- کووالانسی بین اتمهای Si و Ga است. در این پژوهش به بررسی ویژگیهای اپتیکی نانوبلورهای گالیم آرسنید نیز پرداخته شده که محاسبات با تقریب تک ذرهای انجام شدهاند. همچنین، از نرمافزار گوسین برای به دست آوردن طیف اپتیکی نانوبلورها استفاده شده است. محاسبات طیف اپتیکی برای نانوبلورهای گالیم آرسنید انتقال به آبی را نشان میدهند.
ناخالصی نوع n,نانوبلور گالیم آرسنید,نظریة تابعی چگالی,کوانتوم اسپرسو,خواص الکترونی,تقریب چگالی موضعی,انرژی جذب
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1643.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1643_c14961b434f69bbf481feda67b83ab25.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
همبستگی رئولوژی انبساطی سطح و فراوری بلورهای مایع مواد دو بعدی: بررسی موردی فازهای مختلف بلور مایع اکسید گرافن
515
524
FA
محمدعلی
سنجری شهرضائی
مؤسسه رهیافتهای نوآور برتر پاسارگاد، تهران
ali.sanjari@aut.ac.ir
سید محمد رضا
طاهری
آزمایشگاه ملی ماده چگال، پژوهشگاه دانشهای بنیادی، تهران
پژوهشکده علوم نانو، پژوهشگاه دانشهای بنیادی، تهران
m_taheri@ipm.ir
سید حامد
ابوطالبی
0000-0002-3711-332X
مؤسسه رهیافتهای نوآور برتر پاسارگاد، تهران
آزمایشگاه ملی ماده چگال، پژوهشگاه دانشهای بنیادی، تهران
پژوهشکده علوم نانو، پژوهشگاه دانشهای بنیادی، تهران
sha942@uowmail.edu.au
10.47176/ijpr.20.3.91124
نانوشارههای حاوی صفحات دو بعدی اکسید گرافن (GO) بر پایة آب به دلیل نسبت منظری بالا، به طور ذاتی امکان تشکیل فاز نماتیک-که یکی از فازهای سامانههای بلور مایع است- را دارا هستند. در این مطالعه نشان داده شده است که خواص ویسکوالاستیک منحصر به فرد اکسید گرافن، آن را در دستهای جدید از مواد نرم قرار میدهد. بر اساس یافتههای بنیادی حاصل از این پژوهش، میتوان راهبردهایی جدید برای توسعة پروتکلهای ساخت مواد نرم دو بعدی به صورت کاربردی با استفاده از تکنیکهای فراوری مرسوم تدوین کرد. محدودههای غلظتی مربوط به فازهای همسانگرد، دو فازی و ناهمسانگرد (نماتیک) بر اساس نتایج تصویربرداری با نور قطبیده تعیین شد. استفاده از صفحات دو بعدی با نسبت منظری بالا (بالاتر از ۳۵۰۰۰) منجر به کاهش غلظت شروع منطقة دوفازی یعنی 05/0 گرم بر لیتر و منطقه کاملاً نماتیک به غلظت 25/0 گرم بر لیتر شد. رئولوژی برشی و انبساطی سطح نشان داد که با تشکیل فاز بلور مایع، میزان مدول در نواحی با بسامد کم، جهش چشمگیری داشته و با تشکیل فازکاملاً نماتیک میزان مدول در این ناحیه مستقل از بسامد بوده که بیان کننده رفتار جامدگونه است. نتایج به دست آمده نشان داد که ترکیب غلظت کم صفحات دو بعدی درمحیط پشتیبان به همراه مدول بالا، امکان استفاده از تکنیکهای مختلف فراوری مانند ترریسی، الکترواسپری و چاپگرهای دو بعدی و سه بعدی را برای فرمولاسیونهای بر پایة اکسید گرافن فراهم میسازد.
مواد دو بعدی,بلورمایع,اکسید گرافن,ساخت افزایشی,رئولوژی انبساطی سطح
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1644.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1644_a0e1215f71fe9b43611fcd1bc786038e.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
آشکارسازی میونهای ناشی از تابشهای کیهانی با استفاده آشکارساز سوسوزن پلاستیک
525
529
FA
محسن
خاکزاد
0000-0002-2212-5715
پژوهشکدة ذرات و شتابگرها، پژوهشگاه دانشهای بنیادی، تهران
mohsen@ipm.ir
مریم
قهرمانیگل
پژوهشکدة ذرات و شتابگرها، پژوهشگاه دانشهای بنیادی، تهران
10.47176/ijpr.20.3.51053
در این تحقیق به آشکارسازی میونهای ناشی از تابشهای کیهانی در پژوهشکدة ذرات و شتابگر، پژوهشگاه دانشهای بنیادی، پرداخته شده است. اندازهگیری سرعت و طول عمر میونها توسط آشکارساز سوسوزن پلاستیک و لامپ تکثیرکنندة نوری انجام شده است. در این تحقیق از دستگاه دیجیتال، به دلیل مزایایی همچون قابلیت اطمینان و سرعت عملکرد بالا، حجم کوچک و پاسخ دقیقتر، نسبت به دستگاه آنالوگ، به منظور دادهبرداری استفاده شده است. بر اساس نتایج تجربی حاصل از این تحقیق، میانگین سرعت میونها حدوداً 10<sup>8</sup> ×) 0394/0 ± 831/2) متر بر ثانیه (0131/0 ± 944/0 β =) و و طول عمر میون حدود ) 177/0 ± 033/2) میکروثانیه به دست آمده که با نتایج مطالعات تئوری منطبق است. در این مطالعه از تجهیزات موجود در پژوهشکدة ذرات و شتابگرها در پژوهشگاه دانشهای بنیادی استفاده شده است.
تابشهای کیهانی,آشکارساز سوسوزن پلاستیک,لامپ تکثیر کنندة فوتونی,سرعت و طول عمر میون
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1645.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1645_8136b7b72663d3368216d2fff097fd6d.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
رابطة بین پوشیدگیهای شیمیایی و مغناطیسپذیری در نانولولۀ کربنی تک جدارۀ زیگزاگ (5,0) تغلیظ شده با پتاسیم
531
545
FA
جمشید
نجف پور
گروه شیمی، دانشکدة علوم پایه، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران
j.najafpour@gmail.com
فرّخ رؤیا
نیکمرام
گروه شیمی، دانشکدة علوم پایه، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران
nikmaram95@gmail.com
رسول
نجفلو
گروه شیمی، دانشکدة علوم پایه، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران
najafloo.rasoul6565@gmail.com
10.47176/ijpr.20.3.39761
در این تحقیق، ارتباط بین پوشیدگی دیامغناطیسی (σ<sub>d</sub>)، پوشیدگی پارامغناطیسی کل (s<sub>p</sub>+s´<sub>p</sub>) و پوشیدگی همسانگرد شیمیایی <sup>13</sup>C(σ<sub>iso</sub>) با بارهای اتمی مولیکن ، NBO و QTAIM و نیز ارتباط پوشیدگی های شیمیایی با مغناطیسپذیریها در نانولوله کربنی تک جدارۀزیگزاگ (5,0) با تغلیظ پتاسیم و بدون پتاسیم، با استفاده از نظریة تابعی چگالی، تحت شرط مرزی دورهای(PBC) در سطح محاسباتی PBEPBE/6-31G(d) بررسی شده است. نتایج نشان میدهد که نانولولة کربنی زیگزاگ (5,0) با تغلیظ پتاسیم، به نانولوله کربنی پایدارتر نوع N تبدیل میشود. رابطة خطی بین بار های اتمی مولیکن ، NBO و QTAIM با پوشیدگی همسانگرد شیمیایی<sup>13</sup>C (σ<sub>iso</sub>) و پوشیدگی دیامغناطیسیσ<sub>d </sub><sub> </sub>در ساختارهای با پتاسیم و بدون پتاسیم، وجود دارد. پوشیدگی پارامغناطیسی کل (σ<sub>p</sub> + σ´<sub>p</sub>) با هیچ یک از بارها در ساختارهای با تغلیظ پتاسیم، ارتباط خطی ندارد. بین مغناطیسپذیری کل اتمی(c (Ω)) با پوشیدگی همسانگرد شیمیایی<sup>13</sup>C (σ<sub>iso</sub>) ارتباط کاملاً خطی در هر دو ساختار با پتاسیم و بدون پتاسیم برقرار است.
نانو لولة کربنی زیگزاگ (5,0)، تغلیظ پتاسیم، پوشیدگی مغناطیسی، بار اتمی مولیکن، بار اتمی NBO، بار اتمی QTAIM، مغناطیسپذیری
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1646.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1646_0f96480440114ada7fd8ae63ba8f965a.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
تحول بُعد فراکتالی تعمیم یافتة میدان چگالی مادۀ تاریک در شبیهسازی ایلاستریس
547
556
FA
مهدی
یوسف زاده
دانشکدة فیزیک، دانشگاه شهید بهشتی، 1983969411، تهران
mah.yousefzadeh@mail.sbu.ac.ir
سیدمحمدصادق
موحد
0000-0001-7897-484X
دانشکدة فیزیک، دانشگاه شهید بهشتی، 1983969411، تهران
m.s.movahed@ipm.ir
10.47176/ijpr.20.3.61074
مطالعة ساختارهای بزرگ مقیاس کیهانی، از رهیافت میدانهای تصادفی اطلاعات مهمی در خصوص شرایط اولیه و تحول آنها فراهم میکند. در این مقاله با تکیه بر ویژگیهای مقیاسی میدانهای تصادفی، خواص هندسی میدان چگالی مادۀ تاریک را در شبیهسازیهایN -ذرهای بررسی میکنیم. برای این منظور خاصیت مقیاسی مربوط به خطوط همچگال در میدانهای (2+1)بُعدی بریده شده از میدان (3+1)بُعدی، شبیهسازیهای N-ذرهای مادۀ تاریک را که توسط بُعد فراکتالی تعمیم یافته D<sub>q</sub> قابل کمّی شدن است، بررسی میکنیم. خاصیت مقیاسی برای میدان مذکور در تمام انتقال به سرخهای موجود در شبیهسازی، برقرار است. کل کانتورهای همتراز چگالی در بزرگترین انتقال به سرخ قابل دسترس، ماهیت یک شکل هندسی منتظم دارند اما با کاهش انتقال به سرخ، میدان مذکور خاصیت چندفراکتالی پیدا میکند. با توجه به ناگوسیت میدان در انتقال به سرخ کم، منشأ این چند فراکتالی غالباً همین انحراف تابع توزیع از حالت گوسی است. تحول نمای مقیاسی D<sub>q</sub> بر حسب انتقال به سرخ نشان میدهد که به ازایq های مثبت، ماهیت تکفراکتالی تقریباً حفظ میشود و این در حالی است که این نما برایq های منفی به شدت به انتقال به سرخ وابسته است و از این رو میتواند به عنوان معیاری حساس به منظور یافتن تمایز بین مدلهای مختلف تشکیل ساختارهای بزرگ مقیاس کیهانی، مورد توجه قرار گیرد.
میدان تصادفی,خواص مقیاسی,شبیهسازیN-ذرهای مادة تاریک
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1647.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1647_db70cea69547bd4087eab3b33af55346.pdf
انجمن فیزیک ایران
ناشر:
دانشگاه صنعتی اصفهان
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
2345-3664
20
3
2020
11
21
ارزیابی قابلیتهای حفاظتی برخی از شیشههای اکسید فلزی در برابر تابش چشمههای رادیوایزوتوپی گاما
557
565
FA
فائزه
محمدرفیعی
گروه فیزیک، دانشکدة علوم، دانشگاه گلستان، گرگان
faezehmohammadrafei921@gmail.com
رحیم
خباز
گروه فیزیک، دانشکدة علوم، دانشگاه گلستان، گرگان
r.khabaz@gu.ac.ir
10.47176/ijpr.20.3.33052
در این پژوهش، مشخصههای حفاظتی شیشههای اکسید فلزی تلوریت مانند TPZ، TNS، TBN، TSW، TBB و نوعی از بتن (SSC) در برابر تابش 10 چشمه رادیوایزوتوپی گاما مورد بررسی قرار گرفتند. بدین منظور، از کد MCNPX در شبیهسازی ترابرد فوتون در نمونهها و از پایگاه داده سطح مقطع XCOM برای محاسبة ضریب تضعیف جرمی استفاده شد. برای حفاظهای ذکر شده عدد اتمی مؤثر، ضریب تضعیف خطی و ضریب انباشت شار در برابر تابش چشمههای رادیوایزوتوپی گاما محاسبه شدند. نتایج نشان میدهند که در نظر گرفتن انرژی میانگین در محاسبات حفاظت در برابر پرتوها برای یک چشمۀ گسیلنده چند انرژی گاما نمیتواند ملاکی مناسب برای آن چشمه باشد و در محاسبات بایستی تمام طیف انرژی چشمه لحاظ شود. شیشه TBB بهترین تضعیف کنندة فوتون نسبت به سایر شیشههای اکسید فلزی تلوریت بود، زیرا برای تمام چشمههای رادیوایزوتوپی گاما، بیشترین عدد اتمی مؤثر، ضریب تضعیف خطی و کمترین ضرایب انباشت شار را داشت.
شیشههای اکسید فلزی,عدد اتمی مؤثر,ضریب تضعیف خطی,ضریب انباشت شار,شبیهسازی مونت کارلو
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1648.html
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1648_4a9b2a72ccdfaae181314028ecf922e5.pdf