TY - JOUR ID - 1078 TI - بررسی ثابت دی الکتریک لایه نازک SiO2با استفاده از آزمون بیضی سنجی JO - مجلۀ پژوهش فیزیک ایران JA - IJPR LA - fa SN - 1682-6957 AU - سنگ‌پور, پروانه AU - خسروی, کمیل AU - کاظم‌زاد, محمود AD - پژوهشکده فناوری نانو و مواد پیشرفته، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج Y1 - 2019 PY - 2019 VL - 14 IS - 2 SP - 161 EP - 166 KW - الیپسومتری KW - سل ژل KW - لایه نازک سیلیکا KW - ثابت دی الکتریک DO - N2 - sio2در این مقاله به بررسی رفتار نوری لایه‌های نازک (TEOS )تهیه شده به‌روش سل ژل چرخشی با استفاده از پیش ماده تترااتیل اورتوسیلیکات ، در دماهای مختلف(600– 400) درجه سانتی‌گراد پرداخته شده UV-Vis است. از نتایج حاصل از آزمون برای به‌دست آوردن لبه جذب و گاف انرژی لایه‌ها و از آزمون بیضی سنجی (الیپسومتری)  برای به‌دست آورن ضریب شکست نوری و ضرایب دی الکتریک آنها استفاده شد. نتایج نشان داد که لایه‌های نازک سیلیکا به‌دست آمده از این روش دارای عدد سطح ویژه و درصد تخلخل بالای بین 9/4 و 2/16، چگالی کم 2 و ضریب دی الکتریک پایین 2 است. همچنین با افزایش دما ثابت دی الکتریک و درصد تخلخل لایه‌ها افزایش یافته است که علت این امر تغییرات زبری سطح و اندازه ذرات می‌باشد. UR - https://ijpr.iut.ac.ir/article_1078.html L1 - https://ijpr.iut.ac.ir/article_1078_cbf59822817ea55f04d9681a97fea0bd.pdf ER -