TY - JOUR ID - 864 TI - نرم شدگی فونون‌های انرژی بالا با گذار عایق - ابررسانا در سیستم ابررسانای Ba1-xKxBiO3 JO - مجلۀ پژوهش فیزیک ایران JA - IJPR LA - fa SN - 1682-6957 AU - خسروآبادی, حسین AU - کبایاشی, جونیچی AU - تاناکا, کیوهیسا AU - میاساکا, شیگکی AU - تاجیما, ستسوکو AU - یوچیاما, هیروشی AU - بارون, آلفرد AD - AD - هیوگو ژاپن Y1 - 2019 PY - 2019 VL - 10 IS - 2 SP - 117 EP - 120 KW - ابررسانایی KW - گذار عایق- ابررسانا KW - نرم شدگی فونونی KW - پراکندگی ناکشسان پرتو ایکس DO - N2 - تک بلورهای ترکیب شیمیایی Ba1-xKxBiO3 برای مقادیر 0 < x < 0.6 شامل ترکیبات ابررسانا و عایق با روش الکتروشیمیایی رشد داده شد. بلورهای رشد داده شده توسط آزمایش‌های پرتو ایکس پودری و لاوه به منظور تعیین ساختار بلوری، فازهای تشکیل شده و مقدار پتاسیم در ترکیب مشخصه‌یابی شدند. نوارهای فونونی این سیستم با روش پراکندگی ناکشسان پرتو ایکس اندازه‌گیری و بستگی آنها به مقدار پتاسیم و اندازه حرکت بلوری بررسی شد. با افزایش مقدار پتاسیم نوارهای فونونی با انرژی پایین تقریبا ثابتند در حالی‌که نوارهای با انرژی بالا به انرژی‌های بالاتر منتقل می‌شوند. افزایش قابل توجهی در مقدار انرژی فونونهای با انرژی بالا به همراه یک نرم‌شدگی فونونی در هنگام گذار عایق- ابررسانا با افزایش مقدار پتاسیم مشاهده شده است. این نرم شدگی ناهنجار شاهدی تجربی برای وجود برهم‌کنش قوی الکترون - فونون و نقش آن در تشکیل حالت ابررسانایی در این سیستم است. UR - https://ijpr.iut.ac.ir/article_864.html L1 - https://ijpr.iut.ac.ir/article_864_abcf3a749480d5a784a07a992971f71b.pdf ER -