2024-03-28T21:01:15Z
https://ijpr.iut.ac.ir/?_action=export&rf=summon&issue=141
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
1682-6957
1392
13
2
نگاشت همدیس در طرحهای انگشتی سافمن- تیلور
معصومه
گودرزی
ناهید
ملکی جیرسرایی
انگشتهای وشکسان حاصل از ناپایداری سافمن - تیلور را که یک رشد لاپلاسی است با استفاده از نگاشت همدیس بررسی کردیم. انگشتهای وشکسان از بروز ناپایداری سافمن - تیلور در مرز مشترک بین دو سیال در سلول هل - شاو مستطیلی، هنگامی که سیال با وشکسانی کمتر سیال با وشکسانی بیشتر را میراند پدید میآید و به وسیله تکنیکهای نگاشت همدیس، معادله لاپلاس را با شرایط مرزی برای فصل مشترک دو سیال حل میکنیم، سپس آن را در محیط کامپیوتری به تصویر میکشیم و آثار کشش سطحی را در دینامیکهای رقابت طرحهای انگشتی در مسئله سافمن - تیلور با هندسه کانال بررسی میکنیم. اعمال کشش سطحی در معادلات، باعث شکافت نوک در انگشت بزرگتر (جلوتر) شد. در مرتبه صفرم اختلال انگشتها را با و بدون کشش سطحی معادل یکدیگر یافتیم. ولی در مرتبه اول اختلال، تفاوت مشاهده شد و در حلهای با کشش سطحی محدود در انگشت بزرگتر (جلوتر) تشکیل انگشت ثانویه را مشاهده کردیم، سپس با اعمال اختلال مربوط به رشد، تحول انگشت ثانویه در زمان و رشد آن را به دست آوردیم. در پایان تأثیر میزان پارامترهایی مانند وشکسانی وکشش سطحی را روی انگشتها بررسی کردیم. این نتیجه با مشاهدات تجربی در تطابق خوبی است.
انگشتهای وشکسان
نگاشت همدیس
رشد لاپلاسی
سلول هل- شاو
2019
11
26
113
124
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1021_d454fd74a11b8663bffd7c4b19e2ebc3.pdf
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
1682-6957
1392
13
2
اثر ناهنجاریهای کوهن بر ترابرد فونونی یک زنجیره جرم- فنر
حسن
ربانی
محمد
مردانی
محمد
مردانی
فاطمه
سلیمانی فرد
در این مقاله به کمک روش تابع گرین و تقریب هماهنگ، ضریب عبور فونونی یک زنجیره جرم - فنر متناهی را در حضور برهمکنش کوهن بررسی می کنیم. این سامانه به دو هادی ساده فونونی که در آنها هر جرم فقط با همسایه های اول خود برهمکنش دارد، متصل است. نتایج نشان می دهد برای موردی که در سامانه مرکزی نیز برهمکنش همسایه اول وجود دارد، حضور برهمکنش کوهن باعث تغییر ماهیت فیزیکی سامانه مرکزی از ماهیت فیزیکی هادی ها شده که این امر باعث ظهور قله ها و دره هایی در طیف ضریب عبور فونونی می گردد.
ترابرد فونونی
ناهنجاری کوهن
تابع گرین
تقریب هماهنگ
2019
11
26
125
129
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1022_1917cfde9bb39a6722ce9d72859bd5af.pdf
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
1682-6957
1392
13
2
بررسی تغییر رفتار گاف انرژی اپتیکی نانوذرات تیتانیا با افزودن زمینه سیلیکا
شهروز
نصیریان
حسین
میلانی مقدم
نانوپودرهای تیتانیا و نانوکامپوزیت های تیتانیا- سیلیکا با استفاده از روش سل- ژل تهیه شدند. اگر چه اندازه نانوبلورک ها و درصد وزنی فاز روتایل (پس از آغاز استحاله) با افزایش دمای تکلیس در دو نمونه افزایش یافت ولی اندازه آنها در نانوکامپوزیت های تیتانیا- سیلیکا کوچک تر از تیتانیای خالص بوده است. محاسبات گاف انرژی اپتیکی غیرمستقیم دو نمونه نشان داده که مقادیر آنها با افزایش دما تا نقطه شروع استحاله و نیز دماهای بالاتر از آن به طور مداوم افزایش یافته و در نتیجه طول موج متناظر با آنها کاهش پیدا نموده است. ولی در حدود نقطه شروع استحاله یک جابهجایی قرمز قابل توجه در گاف انرژی اپتیکی غیرمستقیم هر دو نمونه مشاهده شده است. همچنین مقدار این جابهجایی در نانوکامپوزیت سیلیکا-تیتانیا بیشتر می باشد. به علاوه در شرایط دمایی یکسان نانوکامپوزیت سیلیکا- تیتانیا، گاف انرژی غیرمستقیم کمتری نسبت به تیتانیای خالص داشته است.
نانوذرات تیتانیا
گاف انرژی اپتیکی
سیلیکا
استحاله فاز
2019
11
26
131
139
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1023_11c2c3d8b74f8b1c8d279743b717d7ef.pdf
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
1682-6957
1392
13
2
محاسبه تابع ترکش مزون B با در نظر گرفتن اثر جرم مزون
سیدمحمد
موسوی نژاد
آیدا
آرمات
امروزه مزونها و باریونهای سنگین به وفور در برخورد دهنده بزرگ هادرونی LHC) ) تولید و واپاشیده می شوند. این فرآیندهای واپاشی منابع خوبی برای مطالعه نظریه QCD ، به خصوص بررسی ساختار هادرونها هستند. بنابراین پدیده شناسی تابع ترکش هادرونهای سنگین یکی از مباحث مهم و بنیادی در دانش فیزیک ذرات بنیادی به حساب می آید. در این تحقیق با محاسبه تابع ترکش مزونهای سنگین B-(-S0) ، ابتدا نتایج را با مدلهای شناخته شده پدیده شناسی مقایسه کرده، آنگاه برای اولین بار اثر جرم هادرون را در محاسبات وارد خواهیم کرد. نشان خواهیم داد اثرات جرمی نه تنها موجب افزایش تابع ترکش به ازای مقادیر خاص از سنجه ترکش خواهد شد، بلکه آستانه ای برای تولید مزون سنگین ارائه خواهد کرد.
تابع ترکش
مزونهای سنگین
مدل های پدیده شناسی
2019
11
26
141
148
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1024_b6875e457a1e5c7622f6672e6c94c90d.pdf
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
1682-6957
1392
13
2
گذار نیمهلپتونی B در فضا - زمان ناجابهجایی
محسن
غلامی
منصور
حقیقت
غلامرضا
خسروی
در این مقاله اثر ناجابه جایی بر گذار نیمهلپتونی B Ò Dlv بررسی می شود. معادل رأس برهمکنش ضعیف با بوزون های w در فضای ناجابهجایی را جایگزین رأس ضعیف این گذار می کنیم. خواهیم دید، که عامل های ساختار بیشتری برای توصیف قسمت هادرونی نیاز است. این عامل های ساختار را با قانون جمع QCD و تا پایین ترین مرتبه اختلالی و غیر اختلالی همراه با تصحیحات ناجابهجایی محاسبه می کنیم. همچنین تصحیحات نرخ واپاشی را به دست می آوریم و در پایان با توجه به مقدار آزمایشگاهی نسبت انشعابی B Ò Dlv=(5.5 ± 0.5) × 10-2 روی مقیاس ناجابهجایی Λ NC حدی از مرتبه GeV 4 به دست می آید.
گذار نیمه لپتونی
فضای ناجابهجایی
عامل ساختار
نرخ واپاشی
2019
11
26
149
161
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1025_7040803c815ec2d385cf832ac50932ee.pdf
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
1682-6957
1392
13
2
آستانه پخش شایعه در شبکههای همگن اجتماعی
فریناز
روشنی
یعقوب
نعیمی
در سالهای اخیر مطالعه مدلهای پخش همگانی بسیار مورد توجه قرار گرفته است. یکی از مدلهای مورد علاقه و جذاب، مدل پخش شایعه در جامعه میباشد. در این مقاله با مرور مختصر مدل استاندارد پخش شایعه، مدل تعمیم یافته پخش شایعه در شبکههای همگن معرفی شده است. با استفاده از مفاهیم نظری سیستمهای تحولی (پایداری نقاط تعادل سیستم) آستانه پخش همگانی شایعه برای مدل تعمیم یافته محاسبه شده است. در پایان برخی نتایج حل عددی مدل تعمیم یافته برای بررسی اعتبار مدل نظری معرفی شده، آورده شده است.
پخش اطلاعات
شبکههای پیچیده
2019
11
26
163
168
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1026_136c9b4ba7f8af40da4e446493545953.pdf
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
1682-6957
1392
13
2
اثر ناخالصی اتمی بر خواص الکترونی ابرشبکههایی از نانولوله کربنی
علی اصغر
شکری
زهرا
کریمی
در این مقاله، به بررسی ساختار نواری و چگالی حالات الکترونی ابرشبکه های نانولوله کربنی تک دیواره n(12,0)/m(6,6) و n(12,0)/m(11,0) می پردازیم که از اتصال نانولولههای زیگزاگ و دسته صندلی (آرمچیر) ایجاد می شوند. در ناحیه فصل مشترک، نقص های توپولوژیکی جفت پنج- هفت ضلعی در شبکه شش گوشی کربن ظاهر می شوند. این نقص ها باعث بر هم زدن تقارن سیستم شده و در نتیجه منجر به تغییر خواص الکتریکی ابرشبکه ها می شوند. محاسبات شامل دو بخش می شوند: بررسی ساختارهای مورد نظر در حضور و در غیاب اتم ناخالصی که بر مبنای تقریب بستگی قوی با نزدیک ترین همسایه انجام گرفته اند. تحت چنین شرایطی انرژی فرمی تغییر کرده و سیستم خاصیت فلزی و یا نیم رسانا پیدا می کند. نتایج محاسبات ممکن است در طراحی ادوات نانوالکترونیکی مبتنی بر نانولوله های کربنی مفید باشد.
ابرشبکه های نانولولههای کربنی
تقریب بستگی قوی
ساختار نوار الکترونی
نقص های توپولوژیکی
اثر ناخالصی
2019
11
26
169
176
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1027_5554375a2fccb7d5b703b27fc3a41f78.pdf
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
1682-6957
1392
13
2
شبیهسازی رآکتورهای هستهای نوع بستر توپکی با کد MCNP: رآکتور 10HTR- چین
سیدعلی
حسینی
میترا
اطهری علاف
از آنجا که رآکتورهای نسل چهارم از نوع گاز- گرافیت اخیرا بار دیگر مورد توجه قرار گرفتهاند، آژانس انرژی اتمی کوشید تا با طرح مسئلههای استاندارد به راه حلهایی جهت شبیه سازی این نوع رآکتورها دست یابد. در این مقاله مدلی جهت شبیه سازی و انجام محاسبات اولین بحرانیت رآکتور 1 0 HTR- با استفاده از کد C 4 MCNP- ارائه شده است. در مدل معرفی شده با توجه به ضریب تراکم سوخت و ساختارهای ممکن و در نظر گرفتن مسائلی نظیر میزان نشت، ساختاری که تطابق بهتری با شرایط مسئله داشته انتخاب شده و شبیه سازی انجام گردیده است. نتایج حاصل برای مسایل استاندارد مورد نظر آژانس تطابق خوبی با کارهای انجام شده توسط دیگر کدها و پژوهشگران داشته و به درستی روش صحه میگذارد.
رآکتورهای PBM
بحرانیت
ضریب تکثیر
10HTR-
2019
11
26
177
182
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1028_935d6c9a0c077e74dcf01ed1aaad5fee.pdf
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
1682-6957
1392
13
2
بررسی اثر دمای بازپخت در نانوساختار 2SnO-2TiO ساخته شده به روش باریکه الکترونی بر روی زیر لایههای شیشه و آلومینیوم/ شیشه
نرگس
بیگ محمدی
محمدهادی
ملکی
لایه های نانوساختار 2 SnO -2 TiO به روش باریکه الکترونی روی زیرلایه هایی از جنس شیشه و آلومینیوم/شیشه لایه نشانی شدند. خلأ موردنیاز در فرآیند لایه نشانی 5 - 10 × 5 / 1 تور در نظرگرفته شد، سپس لایه ها تحت عملیات بازپخت در دماهای 450 ، 500 و 550 درجه سانتیگراد قرار گرفتند. ساختار بلوری و مورفولوژی لایه ها توسط آنالیزهای XRD و SEM بررسی گردید. خواص الکتریکی ( I-V ) و اپتیکی لایه ها نیز توسط سیستم نگهدارنده دو سوزنی و طیف سنج UV/Vis/IR مطالعه شد. نتایج نشان داد که تحت دمای بازپخت 550 درجه سانتیگراد لایه ها بلورینگی بهتری داشتند. ضخامت و ابعاد دانه در هر دو نمونه به ترتیب حدود 35 و 48 نانومتر گزارش شد. رسانش الکتریکی در نمونه هایی با زیرلایه آلومینیوم/شیشه تحت بازپخت 550 درجه سانتیگراد نسبت به دیگر لایه ها بهتر بود. گاف انرژی نیز با افزایش دما از 4.05 به 4.03 الکترون ولت برای حالت مستقیم کاهش یافت.
لایه نازک
باریکه الکترونی
زیر لایه
فرآیند بازپخت
2019
11
26
183
190
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1029_a47efa2eae5c85dac8e84dcaf16be91c.pdf
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
1682-6957
1392
13
2
تأثیر گاف نوار فوتونی بر انتشار پالس بازتابی از بره آلاییده شده توسط اتمهای دو ترازی و سه ترازی
صمد
روشن انتظار
مریم
نیکخو
در این مقاله تاثیر گاف نوار فوتونی بر سرعت انتشار پالس انعکاسی از یک بره دی الکتریک آلاییده شده با اتمهای دو ترازی یا سهترازی مطالعه میشود. فرض میشود بره دی الکتریک میان یک محیط یکنواخت (مانند خلاء) و یک بلور فوتونی یک بعدی قرار دارد. نشان داده میشود که اگر فرکانس حامل پالس گوسی فرودی به بره در ناحیه گاف نوار فوتونی قرار بگیرد انتشار پالس انعکاسی از بره آلاییده شده توسط اتمهای دوترازی (سه ترازی) فرانوری (فرونوری) خواهد بود، اما در وضیعیتی که فرکانس حامل پالس انعکاسی در لبه نوار فوتونی باشد، برای بره آلاییده توسط اتمهای دوترازی (سه ترازی) پالس انعکاسی فرونوری (فرانوری) خواهد بود.
گاف نوار فوتونی
فرونوری
فرانوری
پالس انعکاسی
2019
11
26
191
195
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1030_c1e690174dfefbd547fbc4100a5d0ead.pdf
مجلۀ پژوهش فیزیک ایران
1682-6957
1682-6957
1392
13
2
اثر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص ها روی رسانش وابسته به اسپین یک نانو سیم فرومغناطیس
محمد
مردانی
حسن
ربانی
زهرا
بهارلو
در این مقاله، رسانش وابسته به اسپین یک سیم کوانتومی فرومغناطیس را در حضور یک یا دو نقص با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی محاسبه نموده و تأثیر چرخش گشتاور مغناطیسی نقص (ها) را بر روی رسانش سامانه بررسی می کنیم. نتایج نشان می دهد که در سیم مغناطیسی، مستقل از وجود یا عدم وجود نقص، بازه مجاز انرژی نسبت به حالت غیرمغناطیسی به اندازه پارامتر وارونگی اسپینی جا به جا می شود. با ایجاد نقص و افزایش تعداد آن در یک سیم فرومغناطیسی رسانش بدون (همراه با) وارون شدن اسپین الکترون، کاهش (افزایش) مییابد. همچنین رسانش شدیداً به چرخش گشتاور مغناطیسی نقص وابسته است و با افزایش تعداد نقص این وابستگی محسوس تر می گردد.
نانو سیم فرومغناطیس
نقص
تابع گرین
رسانش وابسته به اسپین
2019
11
26
197
202
https://ijpr.iut.ac.ir/article_1031_c8701b415ab9c4cb8f8b4eb7027fbaaf.pdf