<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE ArticleSet PUBLIC "-//NLM//DTD PubMed 2.7//EN" "https://dtd.nlm.nih.gov/ncbi/pubmed/in/PubMed.dtd">
<ArticleSet>
<Article>
<Journal>
				<PublisherName>انجمن فیزیک ایران</PublisherName>
				<JournalTitle>مجلۀ پژوهش فیزیک ایران</JournalTitle>
				<Issn>1682-6957</Issn>
				<Volume>13</Volume>
				<Issue>2</Issue>
				<PubDate PubStatus="epublish">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</Journal>
<ArticleTitle>Influence of annealing temperature on the nanostructure TiO2-SnO2 prepared by electron gun method on the glass substrate and the aluminum/glass</ArticleTitle>
<VernacularTitle>بررسی اثر دمای بازپخت در نانوساختار 2SnO-2TiO ساخته شده به روش باریکه الکترونی بر روی زیر لایه‌های شیشه و آلومینیوم/ شیشه</VernacularTitle>
			<FirstPage>183</FirstPage>
			<LastPage>190</LastPage>
			<ELocationID EIdType="pii">1029</ELocationID>
			
			
			<Language>FA</Language>
<AuthorList>
<Author>
					<FirstName>نرگس</FirstName>
					<LastName>بیگ محمدی</LastName>
<Affiliation>سازمان انرژی اتمی ایران</Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>محمدهادی</FirstName>
					<LastName>ملکی</LastName>
<Affiliation>سازمان انرژی اتمی ایران</Affiliation>

</Author>
</AuthorList>
				<PublicationType>Journal Article</PublicationType>
			<History>
				<PubDate PubStatus="received">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</History>
		<Abstract> TiO2-SnO2 thin films were coated on glass and Al / glass substrates by electron gun method. In coating process, the vacuum was 1.5×10-5 torr. Then, films were annealed at 450, 500 and 550 ˚ C. The crystallographic structure and film morphology were investigated by means of XRD and SEM. The electrical (I-V) and optical properties were studied by the two point props system and UV/Vis/NIR spectrophotometer. The results showed the films under 550 ˚ C were crystalline. The thickness and grain size were 350 and 50 nm respectively. The electrical conductivity in the sample with Al / glass substrate under 550 ˚ C was better than the other samples. When temperature increased, the energy gap decreased from 4.05 to 4.03 eV for direct cases.</Abstract>
			<OtherAbstract Language="FA">  لایه های نانوساختار 2 SnO -2 TiO به روش باریکه الکترونی روی زیرلایه هایی از جنس شیشه و آلومینیوم/شیشه لایه نشانی شدند. خلأ موردنیاز در فرآیند لایه نشانی 5 - 10 × 5 / 1 تور در نظرگرفته شد، سپس لایه ها تحت عملیات بازپخت در دماهای 450 ، 500 و 550 درجه سانتی‌گراد قرار گرفتند. ساختار بلوری و مورفولوژی لایه ها توسط آنالیزهای XRD و SEM بررسی گردید. خواص الکتریکی ( I-V ) و اپتیکی لایه ها نیز توسط سیستم نگهدارنده دو سوزنی و طیف سنج UV/Vis/IR مطالعه شد. نتایج نشان داد که تحت دمای بازپخت 550 درجه سانتی‌گراد لایه ها بلورینگی بهتری داشتند. ضخامت و ابعاد دانه در هر دو نمونه به ترتیب حدود 35 و 48 نانومتر گزارش شد. رسانش الکتریکی در نمونه هایی با زیرلایه آلومینیوم/شیشه تحت بازپخت 550 درجه سانتی‌گراد نسبت به دیگر لایه ها بهتر بود. گاف انرژی نیز با افزایش دما از 4.05 به 4.03 الکترون ولت برای حالت مستقیم کاهش یافت.</OtherAbstract>
		<ObjectList>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">لایه نازک</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">باریکه الکترونی</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">زیر لایه</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">فرآیند بازپخت</Param>
			</Object>
		</ObjectList>
<ArchiveCopySource DocType="pdf">https://ijpr.iut.ac.ir/article_1029_84d2004bf28a2095230e8e14993d398d.pdf</ArchiveCopySource>
</Article>
</ArticleSet>
