انجمن فیزیک ایران مجلۀ پژوهش فیزیک ایران 1682-6957 13 3 2019 11 26 Nano structures of amorphous silicon: localization and energy gap نانوساختارهای بی‌نظم سیلیکون: جایگزیدگی و گاف انرژی 283 287 1041 FA زهرا نوربخش دانشگاه صنعتی اصفهان مارک لاسک دانشگاه صنعتی اصفهان سیدجواد هاشمی فر کلرادو اسکول آو ماینز هادی اکبرزاده دانشگاه صنعتی اصفهان Journal Article 2019 11 26 Renewable energy research has created a push for new materials one of the most attractive material in this field is quantum confined hybrid silicon nano-structures (nc-Si:H) embedded in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). The essential step for this investigation is studying a-Si and its ability to produce quantum confinement (QC) in nc-Si: H. Increasing the gap of a-Si system causes solar cell efficiency to increase. By computational calculations based on Density Functional Theory (DFT), we calculated a special localization factor, [G Allan et al., Phys. Rev. B 57 (1997) 6933.], for the states close to HOMO and LUMO in a-Si, and found most weak-bond Si atoms. By removing these silicon atoms and passivating the system with hydrogen, we were able to increase the gap in the a-Si system. As more than 8% hydrogenate was not experimentally available, we removed about 2% of the most localized Si atoms in the almost tetrahedral a-Si system. After removing localized Si atoms in the system with 1000 Si atoms, and adding 8% H, the gap increased about 0.24 eV. Variation of the gap as a function of hydrogen percentage was in good agreement with the Tight –Binding results, but about 2 times more than its experimental value. This might come from the fact that in the experimental conditions, it does not have the chance to remove the most localized states. However, by improving the experimental conditions and technology, this value can be improved. در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی حالت‌های جایگزیده در ناحیه گاف انرژی نانوساختارهای بی‌نظم سیلیکون مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. همچنین اهمیت اثر واهلش مکان اتم‌ها در تغییر گاف انرژی نشان داده شده است. با حذف 2% از اتم‌های سیلیکون با پیوندهای ضعیف و اضافه کردن هیدروژن به منظور از بین بردن پیوندهای آویزان، موفق به حذف این جایگزیدگی‌ها و افزایش گاف انرژی a-Si شدیم. میزان افزایش گاف در ازای هر درصد هیدروژن اضافه شده، برابر با حاصل شده است که با سایر نتایج نظری موجود در توافق است. https://ijpr.iut.ac.ir/article_1041_d736bb10d83a904aefc1d6ce93dc54b8.pdf