انجمن فیزیک ایران مجلۀ پژوهش فیزیک ایران 1682-6957 13 3 2019 11 26 Effective mass in diluted magnetic semiconductors: Zn0.98Ti0.02O by means of magneto-optics جرم مؤثر در نیمه هادی‌های مغناطیسی رقیق شده: با استفاده از مگنتواپتیک 309 309 1044 FA عباس مختاری دانشگاه آزاد اسلامی، واحد اراک Journal Article 2019 11 26 Thin film samples of Ti-doped ZnO were grown on sapphire (0001) substrates by pulsed laser deposition (PLD). The magnetic moments were measured by SQUID magnetometry and the films were ferromagnetic at room temperature. The Faraday rotations and magnetic circular dichroisms (MCD) were measured as a function of energy at the range of 1.5-4 eV, and carrier concentrations were obtained from Hall effect measurement. The samples exhibited a band-edge shift, which varied with carrier concentration. Effective-mass of carriers were obtained by the Burstein-Moss effect and the band-gap shrinkage نمونه‌هایی از فیلم‌های نازک اکسید روی آلاییده با تیتانیم رشد داده شده بر روی زیر لایه (0001) با استفاده از روش لایه نشانی با لیزر پالسی تهیه شد. با اندازه‌گیری مغناطش این نمونه‌ها توسط اسکویید مگنتومتر، نتیجه شد که نمونه‌ها در دمای اتاق فرو مغناطیس است. با استفاده از اثرمگنتو اپتیکی فارادی زاویه چرخش فاراده و MCD را به صورت تابعی از انرژی در فاصله 4- 5/1 الکترون ولت و همچنین چگالی حامل‌های هر یک از نمونه‌ها با استفاده از اثر هال اندازه‌گیری شدند. مشاهده شد گاف‌های نواری با چگالی حامل‌ها تغییر می‌کنند. از این روی جرم مؤثر حامل‌ها از طریق اثر بورستین- ماس و انقباض گاف‌های نواری محاسبه شده است. نیمه هادی‌های مغناطیسی رقیق شده MCD جرم مؤثر اثر بورستین- ماس انقباض گاف‌های نواری https://ijpr.iut.ac.ir/article_1044_1019c8091693ef5c5f55970346633f92.pdf