انجمن فیزیک ایران مجلۀ پژوهش فیزیک ایران 1682-6957 18 4 2019 11 26 Study of the stability and interwall distance of (6,0)@(n,0) double-walled silicon carbide nanotubes by the vdW-DFT method مطالعه پایداری و فاصله درون جداری نانولوله‌های دو جداره سیلیکون کارباید (0، 6)@( n ، 0) با روش vdW-DFT 705 711 1405 10.29252/ijpr.18.4.705 FA طیبه مولاروی دانشکده فیزیک و مهندسی هسته‌ای، دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود مهدی مطهری‌نژاد دانشکده فیزیک و مهندسی هسته‌ای، دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود سعید حسامی پیله‌رود دانشکده فیزیک و مهندسی هسته‌ای، دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود Journal Article 2019 11 26 In this work, the stability and electronic structure of zigzag double-walled silicon carbide nanotubes (DWSiCNTs) (6,0)@(n,0) (with n=11-17) were investigated by using ab initio Van der Waals density functional. By calculating the formation energy and the binding energy of each double walled nanotube, the best interwall distance for the outer nanotube was indicated. The results revealed that (13,0) nanotube could be the best external nanotube for the (6,0) internal nanotube with 3.53 Åinterwall distance to make (6,0)@(13,0) DWSiCNT. The structural calculations also revealed that all studied silicon carbide nanotubes were semiconductors and their energy gap decreased from the single one to the double-walled one. Moreover, with raising the nanotube diameter, the energy gap increased, such that at the most stable double-walled nanotube, its value was about 0.216 eV. در این پژوهش با استفاده از اصول اولیه مبتنی بر نظریه تابعی چگالی با در نظر گرفتن نیروهای واندروالس، پایداری و ساختار الکترونی نانولوله‌های دوجداره سیلیکون کارباید زیگزاگ (0، n)@ (0،6) شامل 17-11 n= مورد بررسی قرارگرفته است. با محاسبه انرژی تشکیل و انرژی پیوندی هر یک از نانولوله‌‎ها، وجود یک نانولوله دو جداره با انرژی و فاصله درون جداری مطلوب به لحاظ پایداری در این دسته مشخص شده است. نتایج نشان می‌دهند نانولوله خارجی (13،0) مطلوب‌ترین مزدوج برای نانولوله داخلی (6،0) با فاصله درون جداری حدود Å 53/3 می‌باشد. محاسبات ساختاری نشان می‌دهند که تمام نانولوله‌‎های مورد بررسی نیم‌رسانا هستند وگاف‌های انرژی آنها از تک جداره به دوجداره کاهش می‌یابند. همچنین با افزایش قطر نانولوله، گاف نواری آن افزایش می‌یابد و در پایدارترین نانولوله دو جداره مقدار آن حدود 216/0 الکترون ولت می‌باشد.   https://ijpr.iut.ac.ir/article_1405_3de2334a314a7a72721f1f74a6cb4cee.pdf