انجمن فیزیک ایران مجلۀ پژوهش فیزیک ایران 1682-6957 21 2 2021 08 23 Optimization of infrared detector HgCdTe in photoconductive‏ ‏in the spectral region 2-6 µm‎ ‎ بهینه‌سازی آشکارساز فرو‌قرمز HgCdTe در مد فوتورسانایی درناحیة طیفی 2-6 میکرومتر 401 407 1704 10.47176/ijpr.21.2.39191 FA شهلا محمودی گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، تهران، ایران محمد صادق اخوندی خضر اباد گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، تهران، ایران علی اصغر شکری گروه فیزیک، دانشگاه پیام نور، تهران، ایران Journal Article 2019 10 05 In this paper a new method in design and modeling of infrared detector HgCdTe in photoconductive mode ‎is presented. In this method after scrutiny mechanical, optical, electrical properties of semiconductor ‎HgCdTe and solving the photoconductive equations, software of equations is programmed and with initial ‎value and repeat cycle, their changes to key parameters such as thickness, wavelength and amount of ‎impurities are calculated and finally, performance of detector is optimized.‎ Modeling of photoconductive detector has been done in temperature of 300K and 2-6 µm wavelength range‎‎, according to obtained results, optimal specific detectivity  is 3×10⁹ cmHz^1/2W^-1‎‏ ‏in 5.77 µm wavelength.‎ <br />  در این مقاله روشی جدید در طراحی و مدل سازی آشکارساز فرو‌قرمز HgCdTe ارائه شده است. در این روش پس از بررسی دقیق خواص مکانیکی، نوری، الکترونیکی نیمه رسانای HgCdTe وحل معادلات فوتورسانا، برنامة نرم‌افزاری معادلات نوشته می‌شود و پارامترهای کلیدی نظیرطول موج، ضخامت، میزان آلایش، با حدس اولیه، چرخش مقادیر آنها و تکرار چرخش وکارایی آشکارساز بهینه شده است. مدل سازی آشکارساز فوتورسانا در دمای 300K ودر ناحیۀ طیفی6-2 میکرومتر صورت گرفته و بر اساس نتایج به دست آمده بیشینة آشکارسازی ویژة آن 3×10⁹ cmHz^1/2W^-¹در طول موج 77/5 میکرومتر به دست آمده است. https://ijpr.iut.ac.ir/article_1704_a588a6199feff5ba48402883d9b72700.pdf