انجمن فیزیک ایران مجلۀ پژوهش فیزیک ایران 1682-6957 23 1 2023 05 22 Investigating the giant magnetoresistance in a two-dimensional square network including two materials with a diagonal boundary بررسی مقاومت مغناطیسی بزرگ در شبکه‌ای دو بعدی مربعی شامل دو ماده با مرز مورب 7 13 3352 10.47176/ijpr.23.1.71531 FA مهدی حسینی دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شیراز ، بلوار مدرس ، شیراز فاطمه طبیبی دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شیراز ، بلوار مدرس ، شیراز Journal Article 2022 07 22 Large magnetic resistance has been widely considered due to its many applications in various fields, including the manufacture of magnetic sensors. An important case of this type of resistance is the linear magnetoresistance caused by the inhomogeneity of charge distribution. The magnetoresistance of heterogeneous conductors is simulated by the two-dimensional resistance network model. In the network model, the resistance unit of a homogeneous circular disk with four current terminals and the potential difference between the terminals is considered, and the currents and potential differences are connected to each other by means of the impedance matrix, and the magnetic field is perpendicular to the lattice. In this work, we study and investigate the changes in magnetoresistance for a network including two subsystems with different resistances with a diagonal arrangement. The results show that the changes in the magnetic resistance of the heterogeneous system depend on the resistance ratio of the two materials as well as the location of the boundary between them. In addition, it was observed that for large values ​​of the resistance ratio or high inhomogeneity, there is the possibility of the existence of a peak of resistance<strong> </strong>variation. مقاومت مغناطیسی بزرگ به دلیل کاربرد‌‌های فراوان آن در شاخه‌‌های مختلف از جمله ساخت حسگر‌‌های مغناطیسی مورد توجه زیادی قرار گرفته‌‌است. حالت مهمی از این نوع مقاومت، مقاومت مغناطیسی خطی ناشی از ناهمگنی توزیع بار است. مقاومت مغناطیسی رسانای ناهمگن به وسیلۀ مدل شبکه ای مقاومت دو بعدی شبیه‌‌سازی می‌‌شود. در مدل شبکه‌‌ای، واحد مقاومت قرص دایره‌‌ای همگن با چهار پایانۀ جریان و اختلاف پتانسیل بین پایانه‌‌ها در نظرگرفته و جریان‌‌ها و اختلاف پتانسیل‌‌ها به وسیلۀ ماتریس امپدانس به یکدیگر مرتبط می‌‌شوند و میدان مغناطیسی اعمالی عمود برشبکه است. در این مقاله تغییرات مقاومت مغناطیسی برای شبکه‌‌ای شامل دو زیرسامانه با مقاومت‌‌های متفاوت با چینش مورب را مطالعه و بررسی می‌‌کنیم. نتایج نشان می‌‌دهد تغییرات مقاومت مغناطیسی سامانۀ ناهمگن به نسبت مقاومت دو ماده و همچنین مکان مرز بین آنها بستگی دارد. علاوه براین مشاهده شد که برای مقادیر بزرگ نسبت مقاومت یا ناهمگنی بالا امکان وجود قله در تغییرات مقاومت وجود دارد. https://ijpr.iut.ac.ir/article_3352_0987b8b338d6c90bbedd8631bc499221.pdf