انجمن فیزیک ایران مجلۀ پژوهش فیزیک ایران 1682-6957 23 3 2023 11 22 Pressure induced structural phase transition and influence of pressure on the electronic and mechanical properties of TiPdSn: an ab initio study گذار فاز ساختاری ناشی از فشار و تأثیر فشار بر خواص الکترونیکی و مکانیکی TiPdSn: یک مطالعۀ ابتدا به ساکن 95 100 3422 10.47176/ijpr.23.3.41671 FA اماکه ا ای انارسها دانشکده فیزیک، دانشگاه ایالتی دلتا، آبراکا، نیجریه 0000-0002-5387-2908 میکاییل باباللا دانشکده فیزیک، دانشگاه بِنین، نیجریه Journal Article 2023 04 06 Structural, electronic, mechanical and optical properties of half-Heusler alloy TiPdSn were investigated from first-principles calculation as well as the structural phase transition under pressure.  The projected augmented wave (PAW) type of pseudopotential within the generalized gradient approximation (GGA) was used during the calculation. The obtained results revealed that TiPdSn is a semiconductor with an indirect band gap.  Also the results from the mechanical property showed that TiPdSn is ductile and mechanically stable. TiPdSn is seen to undergo structural phase transition from cubic to two different structures namely type1 and type2 which crystallize in  hexagonal structure and the transition pressures recorded were 4.53GPa for type 1 and 25.3 GPa for type 2. Optical properties revealed that TiPdSn has a static dielectric function of 21.47 and a refractive index of 4.63. The band gap of the alloy decreases and later increases as pressure increases. خواص ساختاری، الکترونیکی، مکانیکی و اپتیکی آلیاژ نیمه‌هویسلر TiPdSn و همچنین گذار فاز ساختاری تحت فشار این بلور با استفاده از محاسبات ابتدا به ساکن مورد بررسی قرار گرفت. از شبه‌پتانسیل‌های مبتنی بر امواج بهبود یافته تصویری (PAW) در چارچوب تقریب گرادیان تعمیم یافته (GGA) در طول محاسبه استفاده شد. نتایج به‌دست ‌آمده نشان داد که TiPdSn یک نیمه‌رسانا با گاف نواری غیرمستقیم است. همچنین خواص مکانیکی محاسبه شده نشان داد که TiPdSn شکل‌پذیر و از نظر مکانیکی پایدار است. مشاهده می‌شود که TiPdSn تحت فشار یک گذار فاز ساختاری از مکعب به دو ساختار متفاوت به نام نوع 1 و نوع 2 انجام می‌دهد که در ساختار شش ضلعی متبلور می‌شوند و فشار گذار در حدود 53/4 گیگاپاسکال برای ساختار نوع 1 و حدود 3/25 گیگاپاسکال برای ساختار نوع 2 پیش‌بینی می‌شود. خواص اپتیکی حاصل  نشان داد که TiPdSn دارای ثابت دی‌الکتریک ایستای 47/21 و ضریب شکست 63/4 می‌باشد. گاف نواری آلیاژ با افزایش فشار ابتدا کاهش و سپس افزایش می‌یابد. https://ijpr.iut.ac.ir/article_3422_73640de25b7d656733ce2f808a330f18.pdf