<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE ArticleSet PUBLIC "-//NLM//DTD PubMed 2.7//EN" "https://dtd.nlm.nih.gov/ncbi/pubmed/in/PubMed.dtd">
<ArticleSet>
<Article>
<Journal>
				<PublisherName>انجمن فیزیک ایران</PublisherName>
				<JournalTitle>مجلۀ پژوهش فیزیک ایران</JournalTitle>
				<Issn>1682-6957</Issn>
				<Volume>8</Volume>
				<Issue>3</Issue>
				<PubDate PubStatus="epublish">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</Journal>
<ArticleTitle>Electronic transport properties of carbon nanotube metal-semiconductor-metal</ArticleTitle>
<VernacularTitle>خواص ترابرد الکترونی نانولوله کربنی فلز - نیمرسانا - فلز</VernacularTitle>
			<FirstPage>183</FirstPage>
			<LastPage>183</LastPage>
			<ELocationID EIdType="pii">780</ELocationID>
			
			
			<Language>FA</Language>
<AuthorList>
<Author>
					<FirstName>فرهاد</FirstName>
					<LastName>خوئینی</LastName>
<Affiliation></Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>حسین</FirstName>
					<LastName>فرمان</LastName>
<Affiliation></Affiliation>

</Author>
</AuthorList>
				<PublicationType>Journal Article</PublicationType>
			<History>
				<PubDate PubStatus="received">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</History>
		<Abstract> In this work, we study electronic transport properties of a quasi-one dimensional pure semi-conducting Zigzag Carbon Nanotube (CNT) attached to semi-infinite clean metallic Zigzag CNT leads, taking into account the influence of topological defect in junctions. This structure may behave like a field effect transistor. The calculations are based on the tight-binding model and Green’s function method, in which the local density of states(LDOS) in the metallic section to semi-conducting section, and muli-channel conductance of the system are calculated in the coherent and linear response regime, numerically. Also we have introduced a circuit model for the system and investigated its current. The theoretical results obtained, can be a base, for developments in designing nano-electronic devices.</Abstract>
			<OtherAbstract Language="FA">  در این مقاله، ترابرد الکترونی یک نانولوله نیمرسانای زیگزاگ شبه یک بعدی، که به دو الکترود فلزی متصل است، بررسی می­شود. الکترودها، از نوع نانولوله زیگزاگ فلزی هستند. رفتار این سیستم، ممکن است شبیه یک ترانزیستور اثر میدانی باشد. با استفاده از مدل بستگی قوی و روش تابع گرین، چگالی حالتهای موضعی و رسانایی سیستم در ترابرد بالستیک و رژیم خطی، به صورت عددی محاسبه می‌شود. سپس با ارائه یک مدل مداری برای آن، برای بسامدهای مختلف جریان نانولوله محاسبه می‌شود. نتایج نظری حاصل از این تحقیق، برای طراحی ادوات نانو الکترونیکی، مفید است.</OtherAbstract>
		<ObjectList>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">نانولوله‌های کربنی</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">ترابرد الکترونی</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">جریان متناوب</Param>
			</Object>
		</ObjectList>
<ArchiveCopySource DocType="pdf">https://ijpr.iut.ac.ir/article_780_a8e864d04c95572d1aece099af852d0a.pdf</ArchiveCopySource>
</Article>
</ArticleSet>
