<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE ArticleSet PUBLIC "-//NLM//DTD PubMed 2.7//EN" "https://dtd.nlm.nih.gov/ncbi/pubmed/in/PubMed.dtd">
<ArticleSet>
<Article>
<Journal>
				<PublisherName>انجمن فیزیک ایران</PublisherName>
				<JournalTitle>مجلۀ پژوهش فیزیک ایران</JournalTitle>
				<Issn>1682-6957</Issn>
				<Volume>11</Volume>
				<Issue>3</Issue>
				<PubDate PubStatus="epublish">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</Journal>
<ArticleTitle>Construction and testing of a hydrogen cracking cell</ArticleTitle>
<VernacularTitle>ساخت و آزمایش یک سلول شکست هیدروژن</VernacularTitle>
			<FirstPage>335</FirstPage>
			<LastPage>335</LastPage>
			<ELocationID EIdType="pii">940</ELocationID>
			
			
			<Language>FA</Language>
<AuthorList>
<Author>
					<FirstName>فرامرز</FirstName>
					<LastName>صحراگرد</LastName>
<Affiliation>دانشگاه سلطان قابوس عمان</Affiliation>

</Author>
</AuthorList>
				<PublicationType>Journal Article</PublicationType>
			<History>
				<PubDate PubStatus="received">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</History>
		<Abstract>A UHV atomic hydrogen-cracking cell has been constructed to produce atomic hydrogen in order to perform in-situ cleaning of semiconductor samples. The cell was calibrated and tested with the objective of cleaning the III-V semiconductor samples such as GaAs. Mass spectroscopy studies during the atomic hydrogen cleaning of the GaAs samples revealed the chemical process of the hydrogen cleaning. X-ray Photoemission Spectroscopy (XPS) was also carried out on the samples at different stages of cleaning. Desorption of the native oxide from GaAs samples resulted in a smooth surface, which was confirmed by Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED).</Abstract>
			<OtherAbstract Language="FA">  یک سلول UHV شکست اتمی هیدروژن جهت تولید هیدروژن اتمی به منظور تمیز سازی درجای نمونه‌های نیمه هادی ساخته شده است. این سلول به منظور تمیز سازی نمونه های گروه سه تا پنج جدول تناوبی عناصر نظیر GaAs تنظیم و مورد آزمایش قرارگرفته است. درکارحاضر فرایند شیمیایی تمیزسازی هیدروژن نمونه‌های GaAs توسط طیف سنجی جرمی مورد مطالعه قرارگرفت. روش XPS روی نمونه‌ها در مراحل مختلف تمیزسازی به‌کارگرفته شد. دفع اکسیدهای ذاتی روی یکی از نمونه‌های GaAs منجر به سطحی هموار گردیدکه توسط دستگاه RHEED مورد تایید قرار گرفت .</OtherAbstract>
		<ObjectList>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">نیمه هادی</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">شکست هیدروژن</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">لایه گذاری</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">XPS</Param>
			</Object>
		</ObjectList>
<ArchiveCopySource DocType="pdf">https://ijpr.iut.ac.ir/article_940_8d6dc35e506fc23349dd10ee68dabb64.pdf</ArchiveCopySource>
</Article>
</ArticleSet>
