<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE ArticleSet PUBLIC "-//NLM//DTD PubMed 2.7//EN" "https://dtd.nlm.nih.gov/ncbi/pubmed/in/PubMed.dtd">
<ArticleSet>
<Article>
<Journal>
				<PublisherName>انجمن فیزیک ایران</PublisherName>
				<JournalTitle>مجلۀ پژوهش فیزیک ایران</JournalTitle>
				<Issn>1682-6957</Issn>
				<Volume>14</Volume>
				<Issue>2</Issue>
				<PubDate PubStatus="epublish">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</Journal>
<ArticleTitle>Calculation of differential and total cross sections for Positrion-Hydrogen impact with second-order Born-Faddeev approximation in excitation channel</ArticleTitle>
<VernacularTitle>محاسبه سطح مقطع جزئی و کل در تقریب مرتبه دوم بورن- فادیف در برخورد پوزیترون با اتم هیدروژن در کانال تهییج</VernacularTitle>
			<FirstPage>123</FirstPage>
			<LastPage>132</LastPage>
			<ELocationID EIdType="pii">1073</ELocationID>
			
			
			<Language>FA</Language>
<AuthorList>
<Author>
					<FirstName>رضا</FirstName>
					<LastName>فتحی</LastName>
<Affiliation>دانشکده فیزیک، دانشگاه شهید باهنر کرمان، کرمان</Affiliation>

</Author>
</AuthorList>
				<PublicationType>Journal Article</PublicationType>
			<History>
				<PubDate PubStatus="received">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</History>
		<Abstract>In this paper, we have implemented a three-body formalism, where the interaction potential is replaced by the transition matrix, in the excitation channel for the collision of positron and atomic hydrogen. Differential and total cross sections are calculated while the first and second order terms of the FWL (Faddeev-Watson-Lovelace) series in the transition from ground state to the first excited state of atomic hydrogen are included. The impact energy range of to and the scattering angle of the scattered positron in the range of (1-180) degrees are selected. At last, the results are compared with the available theoretical data in the literature</Abstract>
			<OtherAbstract Language="FA">در کار حاضر از فرمول‌بندی برخورد سه جسمی در کانال تهییج در برخورد پوزیترون با اتم هیدروژن استفاده شده است. در محاسبات پتانسیل‌های برهم‌کنش جایگزین ماتریس گذار گردیده‌اند. سطح مقطع جزئی و کل با در نظر گرفتن جملات مرتبه اول و دوم سری فادیف-لاولیس- واتسون در گذار اتم هیدروژن از حالت پایه به اولین حالت برانگیخته محاسبه شده است. محدوده انرژی برخورد تا و زاویه پراکندگی پوزیترون درجه انتخاب گردیده است. در نهایت نتایج به‌دست آمده با سایر نتایج موجود در دسترس از نظریه‌های قبلی مقایسه شده است</OtherAbstract>
		<ObjectList>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">برخورد سه جسمی</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">سطح مقطع جزئی برخورد</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">پوزیترون</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">کانال تهییج</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">فادیف</Param>
			</Object>
		</ObjectList>
<ArchiveCopySource DocType="pdf">https://ijpr.iut.ac.ir/article_1073_390e982518a50e280d8e2b535462ec1f.pdf</ArchiveCopySource>
</Article>

<Article>
<Journal>
				<PublisherName>انجمن فیزیک ایران</PublisherName>
				<JournalTitle>مجلۀ پژوهش فیزیک ایران</JournalTitle>
				<Issn>1682-6957</Issn>
				<Volume>14</Volume>
				<Issue>2</Issue>
				<PubDate PubStatus="epublish">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</Journal>
<ArticleTitle>Extraordinary high spectral sensitivity in surface plasmon resonance sensor by multi-mode sensing scheme formeasuring the thickness of an adsorbed layer of specific refractive index</ArticleTitle>
<VernacularTitle>حساسیت طیفی بالا به ‌روش حسگری چندمدی در حسگر تشدید پلاسمون سطحی و استفاده از آن جهت اندازه‌گیری ضخامت لایه جاذب با ضریب شکست مشخص</VernacularTitle>
			<FirstPage>133</FirstPage>
			<LastPage>138</LastPage>
			<ELocationID EIdType="pii">1074</ELocationID>
			
			
			<Language>FA</Language>
<AuthorList>
<Author>
					<FirstName>حکیمه</FirstName>
					<LastName>محمدحسینی</LastName>
<Affiliation>. دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران</Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>امیرحسین</FirstName>
					<LastName>احمدخان کردبچه</LastName>
<Affiliation>. دانشکده فیزیک، دانشگاه علم و صنعت ایران، تهران</Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>مجید</FirstName>
					<LastName>قناعت شعار</LastName>
<Affiliation>. پژوهشکده لیزر و پلاسما، دانشگاه شهید بهشتی، تهران</Affiliation>

</Author>
</AuthorList>
				<PublicationType>Journal Article</PublicationType>
			<History>
				<PubDate PubStatus="received">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</History>
		<Abstract>In this paper surface plasmon resonance sensor is studied by using gold and silver in its structure respectively, also the possibility of extraordinary high spectral sensitivity by using multimode sensing scheme is being investigated in this sensor. It is shown that due to the extraordinary high spectral sensitivity of surface plasmon resonance sensor measuring adsorbate layer thickness could be done effectively</Abstract>
			<OtherAbstract Language="FA">در این مقاله حسگر تشدید پلاسمون سطحی را با در نظر گرفتن دو فلز، یک‌بار فلز طلا و در حالت بعدی فلز نقره مطالعه کرده و با استفاده از روش حسگری چند مدی امکان دسترسی به حساسیت طیفی بالا را در آنها مورد بررسی قرار می‌دهیم. نشان می‌دهیم که حساسیت طیفی قابل توجه حسگر تشدید پلاسمون سطحی، اندازه‌گیری ضخامت لایه جاذب را امکان‌پذیر می‌سازد</OtherAbstract>
		<ObjectList>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">حساسیت طیفی</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">حسگر تشدید پلاسمون سطحی</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">روش حسگری چندمدی</Param>
			</Object>
		</ObjectList>
<ArchiveCopySource DocType="pdf">https://ijpr.iut.ac.ir/article_1074_708f3cf8100d5e71834b1db77dfa15d6.pdf</ArchiveCopySource>
</Article>

<Article>
<Journal>
				<PublisherName>انجمن فیزیک ایران</PublisherName>
				<JournalTitle>مجلۀ پژوهش فیزیک ایران</JournalTitle>
				<Issn>1682-6957</Issn>
				<Volume>14</Volume>
				<Issue>2</Issue>
				<PubDate PubStatus="epublish">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</Journal>
<ArticleTitle>Engineering photonic band gap in 1D phonic crystals using fresnel coefficients and comparing with the results of transfer matrix meghod</ArticleTitle>
<VernacularTitle>مهندسی گاف نوار فوتونی در بلورهای فوتونی یک بعدی با استفاده از ضرایب فرنل و مقایسه آن با نتایج روش ماتریس انتقال</VernacularTitle>
			<FirstPage>139</FirstPage>
			<LastPage>146</LastPage>
			<ELocationID EIdType="pii">1075</ELocationID>
			
			
			<Language>FA</Language>
<AuthorList>
<Author>
					<FirstName>عبدالله</FirstName>
					<LastName>رحمت نظام‌آباد</LastName>
<Affiliation>دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز</Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>صمد</FirstName>
					<LastName>روشن انتظار</LastName>
<Affiliation>دانشکده فیزیک، دانشگاه تبریز، تبریز</Affiliation>
<Identifier Source="ORCID">0000-0003-1699-9114</Identifier>

</Author>
<Author>
					<FirstName>حسین</FirstName>
					<LastName>افخمی</LastName>
<Affiliation>گروه فیزیک، دانشگاه شهید مدنی آذربایجان، تبریز</Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>باقر</FirstName>
					<LastName>رحمت نظام‌آباد</LastName>
<Affiliation>گروه فیزیک، دانشگاه محقق اردبیلی، اردبیل</Affiliation>

</Author>
</AuthorList>
				<PublicationType>Journal Article</PublicationType>
			<History>
				<PubDate PubStatus="received">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</History>
		<Abstract>In this paper photonic band gaps of 1D photonic crystal are compared by using transfer matrix method and Fresnel coefficients method. In Fresnel coefficients method, the refractive indices of each layer and incidence light angle to the surface are used for calculating Fresnel coefficients, and then the necessary and sufficient condition for a 100% reflection from the surface of double layer dielectrics is applied in such a way that reflection coefficient tends to unity so that photonic band gaps are determined. But in transfer matrix method there are some complications needed for solving quadratic partial differential equations and applying continuity of tangent components of fields and Bloch’s condition, though the results are the same</Abstract>
			<OtherAbstract Language="FA">در این مقاله گاف نوارهای بلور فوتونیکی یک بعدی با استفاده از دو روش ماتریس انتقال و روش ضرایب فرنل مقایسه می‌شود. در روش استفاده از ضرایب فرنل، با در دست داشتن ضرایب شکست هر یک از لایه‌ها و هم‌چنین زاویه تابش اولیه به سطح بلور، ضرایب فرنل عبوری و بازتاب بلور محاسبه شده و بعد شرط‌های لازم و کافی برای بازتاب صد درصدی از سطح بلور متشکل از دی‌الکتریک‌های دو لایه‌ای به‌دست می‌آیند. با در نظر گرفتن این نکته که برای داشتن گاف نوار باید ضریب بازتاب به واحد میل کند گاف نوارها‌ی بلور به‌دست می‌آید. ولی روش ماتریس انتقال دارای پیچیدگی‌هایی هست که می‌توان به حل معادلات دیفرانسیل جزئی مرتبه دوم، اعمال شرط‌های پیوستگی مؤلفه‌های مماسی میدان‌ها و اعمال شرط بلوخ اشاره کرد. هر چند در نهایت نتیجه‌هایی که با این دو روش برای گاف نوار بلورها به‌دست می‌آیند کاملاً با هم مطابقت دارند.</OtherAbstract>
		<ObjectList>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">بلورهای فوتونی</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">گاف نوار</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">ضرایب فرنل</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">ضریب بازتاب</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">ماتریس انتقال</Param>
			</Object>
		</ObjectList>
<ArchiveCopySource DocType="pdf">https://ijpr.iut.ac.ir/article_1075_46072631582fc240dd2674a7d063b040.pdf</ArchiveCopySource>
</Article>

<Article>
<Journal>
				<PublisherName>انجمن فیزیک ایران</PublisherName>
				<JournalTitle>مجلۀ پژوهش فیزیک ایران</JournalTitle>
				<Issn>1682-6957</Issn>
				<Volume>14</Volume>
				<Issue>2</Issue>
				<PubDate PubStatus="epublish">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</Journal>
<ArticleTitle>Optical and structural properties of ZnO hexagonal rods prepared by thermal chemical vapor deposition technique</ArticleTitle>
<VernacularTitle>خواص اپتیکی و ساختاری میله‏های شش گوشی اکسید روی رشد داده شده به‌روش نشست بخار شیمیایی</VernacularTitle>
			<FirstPage>148</FirstPage>
			<LastPage>153</LastPage>
			<ELocationID EIdType="pii">1076</ELocationID>
			
			
			<Language>FA</Language>
<AuthorList>
<Author>
					<FirstName>علی</FirstName>
					<LastName>ریحانی</LastName>
<Affiliation>گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه بین‌المللی امام‌خمینی (ره)، قزوین</Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>محمدرضا</FirstName>
					<LastName>خانلری</LastName>
<Affiliation>گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه بین‌المللی امام‌خمینی (ره)، قزوین</Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>وحید</FirstName>
					<LastName>واحدی</LastName>
<Affiliation>گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه بین‌المللی امام‌خمینی (ره)، قزوین</Affiliation>

</Author>
</AuthorList>
				<PublicationType>Journal Article</PublicationType>
			<History>
				<PubDate PubStatus="received">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</History>
		<Abstract>In this research, ZnO nanostructure hexagonal pyramid rods with high optical and structural quality were synthesized by the simple thermal chemical vapor deposition of Zn powder without a metal catalyst. Surface morphologies were characterized by scanning electron microscopy (SEM). XRD analyses demonstrated that ZnO hexagonal pyramid rods had a wurtzite structure with the orientation of (002). Investigation of optical properties of samples by photoluminescence spectrum exhibited a sharp UV emission peak at 380nm. The quality and composition of the ZnO pyramid rods were characterized using the Fourier transform infrared spectrum (FTIR) at room temperature. In addition, the growth mechanism of ZnO hexagonal rods is also briefly discussed.</Abstract>
			<OtherAbstract Language="FA">در این پژوهش، میله‏های هرمی شش گوشی اکسید روی نانوساختار با کیفیت ساختاری و اپتیکی بالا از طریق یک روش ساده مبتنی بر نشست بخار شیمیایی پودر Zn بدون استفاده از هیچ کاتالیست فلزی، رشد داده شدند. ریخت‏شناسی سطح نمونه‏ها با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مشخص گردید. نتایج حاصل از آنالیز XRD نشان داد میله‌های هرمی اکسید روی دارای ساختار ورتزایت با قله ترجیحی قوی (002) می‏باشد. بررسی خواص اپتیکی نمونه‌ها با استفاده از طیف فوتولومینسانس، یک قله قوی گسیل فرابنفش در 380 نانومتر را نشان داد. کیفیت و عناصر تشکیل‌دهنده میله‏های هرمی اکسید روی با استفاده از طیف‏سنجی تبدیل فوریه مادون قرمز (FTIR) در دمای اتاق تعیین گردید. همچنین ساز و کار رشد میله‏های هرمی شش گوشی اکسید روی به‌طور مختصر بحث شده است.</OtherAbstract>
		<ObjectList>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">اکسید روی</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">نانوساختار</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">میله‏های هرمی شش گوشی</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">نشست بخار شیمیایی</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">خواص اپتیکی و ساختاری</Param>
			</Object>
		</ObjectList>
<ArchiveCopySource DocType="pdf">https://ijpr.iut.ac.ir/article_1076_8a1e808b55fde9455cb3d8857ed88389.pdf</ArchiveCopySource>
</Article>

<Article>
<Journal>
				<PublisherName>انجمن فیزیک ایران</PublisherName>
				<JournalTitle>مجلۀ پژوهش فیزیک ایران</JournalTitle>
				<Issn>1682-6957</Issn>
				<Volume>14</Volume>
				<Issue>2</Issue>
				<PubDate PubStatus="epublish">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</Journal>
<ArticleTitle>Fabrication of polymer Schottky diode with Al-PANI/MWCNT-Au structure</ArticleTitle>
<VernacularTitle>ساخت دیود شاتکی پلیمری با ساختار Al-PANI/MWCNT-Au</VernacularTitle>
			<FirstPage>154</FirstPage>
			<LastPage>160</LastPage>
			<ELocationID EIdType="pii">1077</ELocationID>
			
			
			<Language>FA</Language>
<AuthorList>
<Author>
					<FirstName>عسگر</FirstName>
					<LastName>حاجی بدلی</LastName>
<Affiliation>دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار</Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>مجید</FirstName>
					<LastName>بقائی نژاد</LastName>
<Affiliation>دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار</Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>غلامعلی</FirstName>
					<LastName>فرزی</LastName>
<Affiliation>گروه مهندسی مواد و پلیمر، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار</Affiliation>

</Author>
</AuthorList>
				<PublicationType>Journal Article</PublicationType>
			<History>
				<PubDate PubStatus="received">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</History>
		<Abstract>In this research, Schottky diode with Al-PANI/MWCNT-Au structure was fabricated using spin coating of composite polymer and physical vapor deposition of metals. For this purpose, a thin layer of gold was coated on glass and then composite of polyaniline/multi-walled carbon nanotube was synthesized and spin-coated on gold layer. Finally, a thin layer of aluminum was coated on polymer layer. The current-voltage characteristics of diode were studied and found that I-V curve is nonlinear and nonsymmetrical, showing rectifying behavior. I-V characteristics plotted on a logarithmic scale for Schottky diode showed two distinct power law regions. At lower voltages, the mechanism follows Ohm’s Law and at higher voltages, the mechanism is consistent with space charge limited conduction (SCLC) emission. The parameters extracted from I-V characteristics were also calculated.</Abstract>
			<OtherAbstract Language="FA">در این پژوهش دیود شاتکی با ساختار Al-PANI/MWCNT-Au به‌روش لایه نشانی چرخشی و بخار فیزیکی ساخته شده است. برای این منظور لایه نازکی از طلا بر روی شیشه آزمایشگاهی به‌روش بخار فیزیکی لایه نشانی شد، سپس پلی‌آنیلین در محیطی که نانو لوله کربنی پخش شده بود، به‌روش پلیمریزاسیون رادیکالی پلیمریزه شده و کامپوزیت پلی آنیلین/ نانو لوله کربنی چند دیواره تهیه گردید. فیلم یکنواختی از کامپوزیت حاصل روی سطح طلا با روش لایه نشانی چرخشی ایجاد شد، سپس لایه نازکی از آلومینیوم به‌روش بخار فیزیکی روی فیلم پلیمری ایجاد گردید. منحنی مشخصه جریان- ولتاژ دیود ساخته شده، رسم و بررسی شد. نتایج نشان می‌دهد که این منحنی غیرخطی و نامتقارن است و افزاره رفتار دیودی و یکسوسازی از خود نشان می‌دهد. تئوری‌های انتقال جریان برای دیود بررسی شد و مشاهده گردید که برای نمونه دیود ساخته شده با کامپوزیت پلی‌آنیلین و نانو لوله کربنی فرآیند غالب انتقال جریان، Space-Charge Limited Conduction (SCLC) می‌باشد.</OtherAbstract>
		<ObjectList>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">دیود شاتکی</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">پلی‌آنیلین</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">نانولوله ‌کربنی چند دیواره</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">لایه نشانی چرخشی</Param>
			</Object>
		</ObjectList>
<ArchiveCopySource DocType="pdf">https://ijpr.iut.ac.ir/article_1077_062ddb6c727310e76b6200b7c71f63b5.pdf</ArchiveCopySource>
</Article>

<Article>
<Journal>
				<PublisherName>انجمن فیزیک ایران</PublisherName>
				<JournalTitle>مجلۀ پژوهش فیزیک ایران</JournalTitle>
				<Issn>1682-6957</Issn>
				<Volume>14</Volume>
				<Issue>2</Issue>
				<PubDate PubStatus="epublish">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</Journal>
<ArticleTitle>Investigation of SiO2 thin films dielectric constant using ellipsometry technique</ArticleTitle>
<VernacularTitle>بررسی ثابت دی الکتریک لایه نازک SiO2با استفاده از آزمون بیضی سنجی</VernacularTitle>
			<FirstPage>161</FirstPage>
			<LastPage>166</LastPage>
			<ELocationID EIdType="pii">1078</ELocationID>
			
			
			<Language>FA</Language>
<AuthorList>
<Author>
					<FirstName>پروانه</FirstName>
					<LastName>سنگ‌پور</LastName>
<Affiliation>پژوهشکده فناوری نانو و مواد پیشرفته، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج</Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>کمیل</FirstName>
					<LastName>خسروی</LastName>
<Affiliation>پژوهشکده فناوری نانو و مواد پیشرفته، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج</Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>محمود</FirstName>
					<LastName>کاظم‌زاد</LastName>
<Affiliation>پژوهشکده فناوری نانو و مواد پیشرفته، پژوهشگاه مواد و انرژی، کرج</Affiliation>

</Author>
</AuthorList>
				<PublicationType>Journal Article</PublicationType>
			<History>
				<PubDate PubStatus="received">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</History>
		<Abstract>In this paper, we studied the optical behavior of SiO2 thin films prepared via sol-gel route using spin coating deposition from tetraethylorthosilicate (TEOS) as precursor. Thin films were annealed at different temperatures (400-600oC). Absorption edge and band gap of thin layers were measured using UV-Vis spectrophotometery. Optical refractive index and dielectric constant were measured by ellipsometry technique. Based on our atomic force microscopic (AFM) and ellipsometry results, thin layers prepared through this method showed high surface area, and high porosity ranging between 4.9 and 16.9, low density 2 g/cm, and low dielectric constant. The dielectric constant and porosity of layers increased by increasing the temperature due to the changes in surface roughness and particle size.</Abstract>
			<OtherAbstract Language="FA">sio2در این مقاله به بررسی رفتار نوری لایه‌های نازک

(TEOS )تهیه شده به‌روش سل ژل چرخشی با استفاده از پیش ماده تترااتیل اورتوسیلیکات

، در دماهای مختلف(600– 400) درجه سانتی‌گراد پرداخته شده

UV-Vis است. از نتایج حاصل از آزمون

برای به‌دست آوردن لبه جذب و گاف انرژی لایه‌ها و از آزمون بیضی سنجی (الیپسومتری)  برای به‌دست آورن ضریب شکست نوری و ضرایب دی الکتریک آنها استفاده شد. نتایج نشان داد که لایه‌های نازک سیلیکا به‌دست آمده از این روش دارای عدد سطح ویژه و درصد تخلخل بالای بین 9/4 و 2/16، چگالی کم 2 و ضریب دی الکتریک پایین 2 است. همچنین با افزایش دما ثابت دی الکتریک و درصد تخلخل لایه‌ها افزایش یافته است که علت این امر تغییرات زبری سطح و اندازه ذرات می‌باشد.</OtherAbstract>
		<ObjectList>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">الیپسومتری</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">سل ژل</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">لایه نازک سیلیکا</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">ثابت دی الکتریک</Param>
			</Object>
		</ObjectList>
<ArchiveCopySource DocType="pdf">https://ijpr.iut.ac.ir/article_1078_522a9ae9a99880d39e5daec35375e999.pdf</ArchiveCopySource>
</Article>

<Article>
<Journal>
				<PublisherName>انجمن فیزیک ایران</PublisherName>
				<JournalTitle>مجلۀ پژوهش فیزیک ایران</JournalTitle>
				<Issn>1682-6957</Issn>
				<Volume>14</Volume>
				<Issue>2</Issue>
				<PubDate PubStatus="epublish">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</Journal>
<ArticleTitle>Synchronization of the Kuramoto model on the complex networks with bimodal intrinsic frequency distribution</ArticleTitle>
<VernacularTitle>همگام‌سازی در مدل کوراموتو روی شبکه‌های پیچیده با توزیع فرکانس ذاتی دوقله‌ای</VernacularTitle>
			<FirstPage>167</FirstPage>
			<LastPage>177</LastPage>
			<ELocationID EIdType="pii">1079</ELocationID>
			
			
			<Language>FA</Language>
<AuthorList>
<Author>
					<FirstName>نوشین</FirstName>
					<LastName>خدادوستان</LastName>
<Affiliation>دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان</Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>طاهره</FirstName>
					<LastName>ملکوتی‌خواه</LastName>
<Affiliation>دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان</Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>فرهاد</FirstName>
					<LastName>شهبازی</LastName>
<Affiliation>دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان</Affiliation>

</Author>
</AuthorList>
				<PublicationType>Journal Article</PublicationType>
			<History>
				<PubDate PubStatus="received">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</History>
		<Abstract>In this work, we study the Kuramoto model on scale-free, random and small-world networks with bimodal intrinsic frequency distributions. We consider two models: in one of them, the coupling constant of the ith oscillator is independent of the number of oscillators with which the oscillator interacts, and in the other one the coupling constant is renormalized with the number of oscillators with which the oscillator interacts. For the first model, the time which is required for reaching the stationary state is more than the time which is needed in the second one. Also, for both models the order parameter of the random and scale-free network decreases by increasing the intrinsic frequency with a bimodal distribution. Unlike scale-free and random networks, the order parameter of the small-world network increases by increasing the frequency at first. But later, it decreases and then starts to oscillate.</Abstract>
			<OtherAbstract Language="FA">در این کار، ما به بررسی تأثیرات اعمال توزیع دوقله‌ای فرکانس طبیعی در مدل کوراموتو روی شبکه‌های بی‌مقیاس، تصادفی و بی‌مقیاس می‌پردازیم. به این منظور دو مدل که در آنها جفتیدگی بین نوسانگرها مستقل و یا بهنجار شده به درجه رئوس شبکه است را در نظر می‌گیریم. برای تمام شبکه‌ها، در حالتی‌که ضریب جفتیدگی به درجه رئوس بهنجار نشده،زمان بیشتری برای رسیدن به حالت پایدار لازم است. تحت این دو مدل، شبکه‌های بی‌مقیاس و تصادفی با افزایش فرکانس ذاتی با توزیع دو قله‌ای از حالت همگامی دور می‌شوند؛ در صورتی‌که شبکه جهان کوچک ابتدا با افزایش این فرکانس به حالت همگامی نزدیک‌تر می‌شود و پس از آن نظم سیستم کاهش یافته، سپس شروع به نوسانات منظمی می‌کند</OtherAbstract>
		<ObjectList>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">همگام‌سازی</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">مدل کوراموتو</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">شبکه‌های پیچیده</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">شبکه جهان کوچک</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">شبکه تصادفی</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">شبکه بی‌مقیاس</Param>
			</Object>
		</ObjectList>
<ArchiveCopySource DocType="pdf">https://ijpr.iut.ac.ir/article_1079_43baa6762fa81bb43b39c62553b2970d.pdf</ArchiveCopySource>
</Article>

<Article>
<Journal>
				<PublisherName>انجمن فیزیک ایران</PublisherName>
				<JournalTitle>مجلۀ پژوهش فیزیک ایران</JournalTitle>
				<Issn>1682-6957</Issn>
				<Volume>14</Volume>
				<Issue>2</Issue>
				<PubDate PubStatus="epublish">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</Journal>
<ArticleTitle>Studying stimulated Raman scattering using relativistic Vlasov equation</ArticleTitle>
<VernacularTitle>بررسی پراکندگی رامان تحریکی با به‌کارگیری معادله نسبیتی ولاسوف</VernacularTitle>
			<FirstPage>179</FirstPage>
			<LastPage>186</LastPage>
			<ELocationID EIdType="pii">1080</ELocationID>
			
			
			<Language>FA</Language>
<AuthorList>
<Author>
					<FirstName>مریم</FirstName>
					<LastName>شریفی</LastName>
<Affiliation>دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان</Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>اکبر</FirstName>
					<LastName>پروازیان</LastName>
<Affiliation>دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی اصفهان</Affiliation>

</Author>
</AuthorList>
				<PublicationType>Journal Article</PublicationType>
			<History>
				<PubDate PubStatus="received">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</History>
		<Abstract>Backward stimulated Raman scattering using one-dimensional relativistic Vlasov code is investigated. For conditions similar to those of Single-Hot-Spot experiments, the growth and saturation of SRS are studied. Analysis of electron distribution function, longitudinal electrostatic fields, transverse electromagnetic fields, and electron density shows that kinetic effects play an important role in the saturation of this instability. SRS amplifies the longitudinal field amplitude and could trap, accelerate, and preheat the electrons.</Abstract>
			<OtherAbstract Language="FA">در این مقاله پراکندگی رامان پسرو با استفاده از کد ولاسوف یک بعدی مورد مطالعه قرار گرفته است. شرایطی شبیه به آزمایش‌های انجام شده در این زمینه برای بررسی چگونگی تشکیل و رشد پراکندگی رامان مورد استفاده قرار گرفته است. مطالعه تابع توزیع الکترون‌ها، میدان‌های الکتروستاتیکی طولی و الکترومغناطیسی عرضی، و چگالی الکترون‌ها نشان می‌دهد که پراکندگی رامان که به‌دلیل اثرات جنبشی ایجاد شده با تقویت دامنه میدان الکتریکی طولی قادر است با به دام انداختن الکترون‌ها در چاه پتانسیل موج آنها را پیش‌گرم کرده و انرژی آنها را افزایش دهد.</OtherAbstract>
		<ObjectList>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">پراکندگی رامان تحریکی</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">کد ولاسوف</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">میدان الکتریکی</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">میدان الکترومغناطیسی</Param>
			</Object>
		</ObjectList>
<ArchiveCopySource DocType="pdf">https://ijpr.iut.ac.ir/article_1080_731c83db8d2ff01bdc000083fd3c3740.pdf</ArchiveCopySource>
</Article>

<Article>
<Journal>
				<PublisherName>انجمن فیزیک ایران</PublisherName>
				<JournalTitle>مجلۀ پژوهش فیزیک ایران</JournalTitle>
				<Issn>1682-6957</Issn>
				<Volume>14</Volume>
				<Issue>2</Issue>
				<PubDate PubStatus="epublish">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</Journal>
<ArticleTitle>A study on melting process of perylene using molecular dynamics simulation</ArticleTitle>
<VernacularTitle>بررسی فرآیند ذوب پریلین با استفاده از شبیه‌سازی دینامیک مولکولی</VernacularTitle>
			<FirstPage>187</FirstPage>
			<LastPage>192</LastPage>
			<ELocationID EIdType="pii">1081</ELocationID>
			
			
			<Language>FA</Language>
<AuthorList>
<Author>
					<FirstName>مطهره</FirstName>
					<LastName>پیوسته</LastName>
<Affiliation>گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی</Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>سعید</FirstName>
					<LastName>ستایشی</LastName>
<Affiliation>گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی</Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>مهدی</FirstName>
					<LastName>واعظ‌زاده</LastName>
<Affiliation>گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی</Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>رضا</FirstName>
					<LastName>افضل‌زاده</LastName>
<Affiliation>گروه فیزیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی</Affiliation>

</Author>
</AuthorList>
				<PublicationType>Journal Article</PublicationType>
			<History>
				<PubDate PubStatus="received">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</History>
		<Abstract>Melting process of perylene is investigated using molecular dynamics simulation. Some of thermodynamic properties such as potential energy and transition order parameter are calculated as a function of temperature in the range of 500 K-600 K. These calculations are performed by two different methods in NPT and NVT ensembles. The selected interaction potential is Re-squared and the simulations are performed by LAMMPS (a classic molecular dynamics code). The results show that NPT ensemble is more appropraite for the study of melting process than NVT ensemble and shows a good agreement with experimental melting temperature.</Abstract>
			<OtherAbstract Language="FA">در این مقاله با استفاده از شبیه سازی دینامیک مولکولی (کد لمپس)، فرآیند ذوب پریلین در دو هنگرد NPT و NVTبه دو روش مختلف مورد بررسی قرار گرفته است. پتانسیل برهم کنشی انتخاب شده در این مقاله آر- ای2 بود. پس از اجرای شبیه‌سازی‌ها، انرژی پتانسیل و پارامتر نظم سیستم برحسب تابعی از دما در محدوده K600 - K500 محاسبه شده اند. نتایج نشان می دهند که برای بررسی فرآیند ذوب سیستم هنگرد NPT مناسب تر و نتایج حاصل از آن به داده‌های تجربی نزدیک تر است.</OtherAbstract>
		<ObjectList>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">دینامیک مولکولی</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">ذوب</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">پارامتر نظم</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">آر- ای2</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">گذار فاز</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">پریلین</Param>
			</Object>
		</ObjectList>
<ArchiveCopySource DocType="pdf">https://ijpr.iut.ac.ir/article_1081_36a16a2505369e0c922b6ea7a23a56d2.pdf</ArchiveCopySource>
</Article>

<Article>
<Journal>
				<PublisherName>انجمن فیزیک ایران</PublisherName>
				<JournalTitle>مجلۀ پژوهش فیزیک ایران</JournalTitle>
				<Issn>1682-6957</Issn>
				<Volume>14</Volume>
				<Issue>2</Issue>
				<PubDate PubStatus="epublish">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</Journal>
<ArticleTitle>Description of nuclear many-body interactions within the framework of quantum deformation theory</ArticleTitle>
<VernacularTitle>توصیف برهم‌کنش‌های بس‌ذره‌ای هسته‌ای در چارچوب نظریه تغییر شکل کوانتومی</VernacularTitle>
			<FirstPage>193</FirstPage>
			<LastPage>199</LastPage>
			<ELocationID EIdType="pii">1082</ELocationID>
			
			
			<Language>FA</Language>
<AuthorList>
<Author>
					<FirstName>الهه</FirstName>
					<LastName>یعقوبی‌پور</LastName>
<Affiliation>گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه اصفهان</Affiliation>

</Author>
</AuthorList>
				<PublicationType>Journal Article</PublicationType>
			<History>
				<PubDate PubStatus="received">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</History>
		<Abstract>A fermion realization of compact symplectic algebra provides a natural framework for studying pairing correlations of many-body interactions in nuclei. Here, we use quantum deformation concept in order to describe pairing correlations in atomic nuclei. While the nondeformed limit of the theory provides a reasonable and overall description of certain nuclear properties and fine structure effects, the results show that the q deformation plays a significant role in understanding higher-order effects in the many-body interactions.</Abstract>
			<OtherAbstract Language="FA">یک تحقیق فرمیونی فشرده جبر همتافت SP(4 ، خود چارچوبی طبیعی برای مطالعه همبستگی های تزویج برهم کنش های بس ذره ای در هسته-ها است. در اینجا، از مفهوم تغییر شکل کوانتومی برای توصیف همبستگی های تزویج در هسته های اتمی استفاده می کنیم. در حالی که، حد تغییر شکل نیافته نظریه، توصیف همه جانبه ای از ویژگی های خاص هسته ای و اثرهای ساختار ریز را فراهم می کند، نتایج نشان می دهد که تغییر شکل q نقش مهمی در درک اثرهای مرتبه بالاتر در برهم کنش های بس ذره ای ایفاء می کند. </OtherAbstract>
		<ObjectList>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">نظریه تغییر شکل کوانتومی</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">برهم کنش های بس ذره ای</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">جبرهای کوانتومی و تزویج نوکلئونی</Param>
			</Object>
		</ObjectList>
<ArchiveCopySource DocType="pdf">https://ijpr.iut.ac.ir/article_1082_818f4654ed39a1c147d1e51a00ffb4cb.pdf</ArchiveCopySource>
</Article>

<Article>
<Journal>
				<PublisherName>انجمن فیزیک ایران</PublisherName>
				<JournalTitle>مجلۀ پژوهش فیزیک ایران</JournalTitle>
				<Issn>1682-6957</Issn>
				<Volume>14</Volume>
				<Issue>2</Issue>
				<PubDate PubStatus="epublish">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</Journal>
<ArticleTitle>A study of the electronic conductance in converting a polyacetylene into polystyrene oligomer</ArticleTitle>
<VernacularTitle>بررسی رسانش الکترونی در تبدیل یک چندپار پلی استیلن به پلی استیرن</VernacularTitle>
			<FirstPage>201</FirstPage>
			<LastPage>206</LastPage>
			<ELocationID EIdType="pii">1083</ELocationID>
			
			
			<Language>FA</Language>
<AuthorList>
<Author>
					<FirstName>حسن</FirstName>
					<LastName>ربانی</LastName>
<Affiliation>گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد</Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>محمد</FirstName>
					<LastName>مردانی</LastName>
<Affiliation>مرکز پژوهشی فناوری نانو، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد</Affiliation>

</Author>
<Author>
					<FirstName>محمد</FirstName>
					<LastName>مردانی</LastName>
<Affiliation>مرکز پژوهشی فناوری نانو، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد</Affiliation>
<Identifier Source="ORCID">0000-0002-6268-5311</Identifier>

</Author>
<Author>
					<FirstName>یوسف</FirstName>
					<LastName>علیپور</LastName>
<Affiliation>گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد</Affiliation>

</Author>
</AuthorList>
				<PublicationType>Journal Article</PublicationType>
			<History>
				<PubDate PubStatus="received">
					<Year>2019</Year>
					<Month>11</Month>
					<Day>26</Day>
				</PubDate>
			</History>
		<Abstract>In this paper, the electronic conductance of a polyacetylene polymer embedded between two simple chains is studied by using transfer matrix method within the tight-binding and first neighbor approach. Also, by adding benzene molecules to polyacetylene we obtain the system conductance in its conversion to polystyrene polymer. The results show that as the number of benzene molecules in the middle of center system increases the conductance in the tunneling area of polyacetylene improves and this area comes close to the resonance area. In contrast, a part of resonance area tends to transform into polystyrene tunneling zone.</Abstract>
			<OtherAbstract Language="FA">  در این مقاله توسط رهیافت تنگابست با استفاده از روش ماتریس انتقال و تقریب همسایه اول به بررسی رسانش الکترونی یک چندپار پلی‌استیلن محصور بین دو زنجیره ساده پرداخته؛ و با افزودن مولکول‌های بنزن به پلی استیلن رسانش سامانه را در تبدیل آن به چندپار پلی‌استیرن به‌دست می‌آوریم. نتایج نشان می‌دهد هر چه تعداد مولکول‌های بنزن در سامانه مرکزی بیشتر باشد، رسانش الکترونی در ناحیه تونل‌زنی پلی‌استیلن بهبود یافته و این ناحیه به ناحیه تشدیدی نزدیک می‌شود و در مقابل قسمتی از ناحیه تشدیدی مربوط به طیف رسانش چندپار پلی‌استیلن به ناحیه تونل‌زنی پلی استیرن تبدیل می‌گردد.</OtherAbstract>
		<ObjectList>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">تنگابست</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">ماتریس انتقال</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">رسانش الکترونی</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">پلی‌استیلن</Param>
			</Object>
			<Object Type="keyword">
			<Param Name="value">پلی‌استیرن</Param>
			</Object>
		</ObjectList>
<ArchiveCopySource DocType="pdf">https://ijpr.iut.ac.ir/article_1083_e5e63da79fcd2bebbd7cb8bf1c1d0274.pdf</ArchiveCopySource>
</Article>
</ArticleSet>
