جلد 4، شماره 2 - ( 3-1383 )                   جلد 4 شماره 2 صفحات 109-116 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

M. A. Bolorizadeh, I. V. Mitchell. Measuring the ultrashallow profiles of P implants into Si. IJPR. 2004; 4 (2) :109-116
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-117-fa.html
محمد بلوریزاده ، ایان میچل . اندازه‌گیری نمای فراوانی فسفر کشت شده فراسطحی در سیلیسیوم. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1383; 4 (2) :109-116

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-117-fa.html


چکیده:   (15030 مشاهده)
مطالعه ای را برای به دست آوردن نمای فراوانی فسفر(مقدار فسفر بر حسب عمق از سطح) فراسطحی و به منظور تکمیل مطالعات مشابه درمورد بر(B) شروع کرده‌ایم. کشت فراسطحی فسفر و بر, از نظر مطالعه, طراحی و ساخت تراشه های الکترونیک با چگالی زیاد اهمیت فراوان دارند. در این مقاله, گزارشی از چگونگی اندازه گیری نمای فراوانی فسفر با استفاده از ترکیب طیف نگاری جرمی, زمان پرواز یون ثانویه (TOF-SIMS) و تجزیه فرایند هسته ای 31P(?,P)34S تهیه شده است. با این که سطح مقطع این فرایند هسته ای کوچک است, امکان محسبه مقدار مطلق فسفر کشت شده در سیلیسیوم در عمق کمتر از nm 20 را ایجاد نموده ایم. به این منظور دو مجموعه از نمونه های سیلیسیوم را که درآن فسفر کشت شده بود تهیه کردیم. در یک مجموعه از نمونه ها, فسفر به مقدار 1´1014cm-2 تا 3´1015cm-2 با انرژی 8keV و در مجموعه نمونه دوم فسفر به مقدار 1´1013cm-2 تا 1´1015cm-2 با انرژی keV 1 تا keV 30 کشت شده است. در این مطالعه اثری از کنش خود به خودی دیده نشد.
متن کامل [PDF 564 kb]   (2068 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA code

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2019 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb