جلد 15، شماره 1 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، بهار 1394 )                   جلد 15 شماره 1 صفحات 89-95 | برگشت به فهرست نسخه ها



DOI: 10.18869/acadpub.ijpr.15.1.89

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Rabani H, Mardaani M, Talebi M. Electronic transport of molecular nanowires by considering of electron hopping energy between the second neighbors . IJPR. 2015; 15 (1) :89-95
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1788-fa.html
ربانی حسن، مردانی محمد، طالبی مرضیه. ترابرد الکترونی نانوسیم‌های مولکولی با در نظر گرفتن انرژی پرش الکترون بین همسایه-های دوم. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1394; 15 (1) :89-95

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1788-fa.html


گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد . مرکز پژوهشی فناوری نانو، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد ، rabani-h@sci.sku.ac.ir
چکیده:   (2729 مشاهده)

در این مقاله به کمک روش تابع گرین و در رهیافت تنگ‌بست به مطالعه رسانش الکترونی نانو سیم‌های مولکولی با در نظر گرفتن پرش الکترون بین همسایه‌های اول و دوم پرداخته‌ایم. ساختارهای مورد مطالعه شامل یک زنجیره خطی همگن، یک زنجیره خطی متناوب و یک چندپار پلی‌پارافنیلن هستند که فرض شده است بین دو هادی ساده فلزی محدود شده‌اند. نتایج نشان می‌دهند که در تقریب همسایه دوم پدیده-های تشدیدی، ضد تشدیدی و فانو در طیف رسانش این ساختارها رخ می‌دهند. همچنین در این تقریب یک گاف انرژی جدید در لبه نوار انرژی هادی‌ها قابل مشاهده است که اندازه آن به مقدار قدرت انرژی پرش الکترون بین همسایه‌های دوم بستگی دارد. در سامانه‌های گاف‌دار نیز این انرژی پرش باعث جابه‌جایی ناحیه گاف در طیف انرژی می‌گردد.

متن کامل [PDF 196 kb]   (925 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
کد امنیتی را در کادر بنویسید

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2015 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb

تحت نظارت وف بومی آسپا-وف