جلد 16، شماره 2 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، تابستان 1395 )                   جلد 16 شماره 2 صفحات 225-230 | برگشت به فهرست نسخه ها



DOI: 10.18869/acadpub.ijpr.16.2.225

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Rabani H, Mardaani M, Moghbel S. The effect of bond defect movement on the electronic conductance of linear and cyclic nanostructures . IJPR. 2016; 16 (2) :225-230
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-2132-fa.html
ربانی حسن، مردانی محمد، مقبل سمانه. اثر حرکت نقص پیوندی بر رسانش الکترونی نانوساختارهای خطی و حلقوی. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1395; 16 (2) :225-230

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-2132-fa.html


1. گروه فیزیک، دانشکده علوم پایه، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد2. مرکز پژوهشی فناوری نانو، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد
چکیده:   (2685 مشاهده)

در این مقاله مبتنی بر روش تابع گرین در رهیافت تنگابست، ترابرد الکترونی یک نانو‌نوار گرافنی شامل یک نقص پیوندی و همچنین یک نانو‌سیم پلی‌استیلنی شامل یک پیوند اضافی، مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان می‌دهد که رسانش الکترونی نسبت به تغییر مکان نقص پیوندی در موارد تشدیدی و غیر تشدیدی، رفتاری متفاوتی از خود نشان می‌دهد. تنها در مواردی که پیوندهای دوگانه داریم، با تغییر مکان پیوند مقدار رسانش در انرژی صفر، تغییر می‌کند. به خصوص در نانو‌سیم پلی‌استیلنی این تغییرات بیشتر مشاهده می‌شود. میزان جابه‌جایی مکان ضد تشدیدها در طیف رسانش، نسبت به تغییر محل نقص پیوندی نیز قویاً به نوع و شکل ساختار سامانه مرکزی وابسته است.

متن کامل [PDF 444 kb]   (565 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
کد امنیتی را در کادر بنویسید

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2015 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb

تحت نظارت وف بومی آسپا-وف