جلد 5، شماره 4 - ( 9-1384 )                   جلد 5 شماره 4 صفحات 243-248 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

D. Agha-Ali-Gol, A. Baghizadeh, D. Fathi. Redistribution of implanted Arsenic (AS) on the rate of oxide growth during steam oxidation of Si. IJPR. 2005; 5 (4) :243-248
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-216-fa.html
داود آقا علی‌گل ، علی باقی‌زاده ، داریوش فتحی . باز توزیع ناخالصی آرسنیک (As) در رشد گرمایی و سرعت رشد اکسید سیلیسیم. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1384; 5 (4) :243-248

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-216-fa.html


چکیده:   (13472 مشاهده)

در این مقاله نحوه باز توزیع ناخالصی آرسنیک و تاثیر آن را بر روی سرعت رشد اکسید سیلیسیم که به روش اکسیداسیون گرمایی )در دمای 900C° و با استفاده از بخار آب( رشد داده شده است بررسی می کنیم. ناخالصی آرسنیک به وسیله کشت یونی با انرژی 100keV در نمونه سیلیسیم با جهت بلوری (100) کاشته شده و اثر ناخالصی آرسنیک با غلظتهای 2×1016As+/cm2و 5×1016As+/cm2بر سرعت رشد اکسید سیلیسیم به وسیله اندازه گیری ضخامت اکسید به روش پراکندگی برگشتی راترفورد (RBS) بررسی می شود. همچنین, نحوه توزیع ناخالصی آرسنیک و عمق آن از جمله مسایلی است که می توان بدین وسیله مطالعه کرد. مقایسه این نتایج با کارهای قبلی انجام شده در زمینه اکسیداسیون سیلیسیم برای نمونه های کشت شده, افزایش سرعت رشد را نشان می دهد. ایجاد Shallow Junction ها از جمله نتایج مورد انتظار است.

متن کامل [PDF 795 kb]   (1825 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2019 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb