جلد 3، شماره 3 - ( 9-1381 )                   جلد 3 شماره 3 صفحات 247-253 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

S. R, N. A. The effects of impurities on the band gap energy of CdS photoconductors. IJPR. 2002; 3 (3) :247-253
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-241-fa.html
ثابت داریانی رضا، نعمتی علی. اثرهای ناخالصی بر روی پهنای گاف انرژی. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1381; 3 (3) :247-253

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-241-fa.html


چکیده:   (10413 مشاهده)
در این مقاله در ابتدا لایه های سولفید کادمیم با شفافیت اپتیکی زیاد و مقاومت ویژه کم ساخته شد. سپس خواص فوتوکانداکتیویته لایه سولفید کادمیم بر روی زیر لایه شیشه ای در گستره از دمای اتاق تا200° C  مورد مطالعه قرار گرفت. نهایتا ناخالص سازی لایه سولفید کادمیم با فلزات مس, نقره, طلا و آلومینیوم انجام گرفت. در نمونه های سولفید کادمیم ناخالص شده با مس, نقره و طلا موفق به ایجاد مراکز تله شدیم و قله منحنی(( I-λ به سمت انرژیهای کمتر (طول موجهای بلندتر) جا به جا شد. هدف مقاله استفاده از یک روش آزمایش جدید و ابتکاری برای ناخالص سازی و تاثیر دما بر روی فوتوکانداگتیویته لایه سولفید کادمیم می باشد.
متن کامل [PDF 226 kb]   (2128 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
کد امنیتی را در کادر بنویسید

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2015 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb

تحت نظارت وف بومی آسپا-وف