جلد 4، شماره 3 - ( 9-1383 )                   جلد 4 شماره 3 صفحات 318-318 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

M. Oloumi, C. C. Matthai, T. H. Shen. Band offsets in strained layer superlattices. IJPR. 2004; 4 (3) :318-318
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-268-fa.html
محمود علومی ، س. س. ماتهای ، ث. اچ. شن . ناپیوستگیهای نواری در ابر‌شبکه‌هایی با لایه‌های کرنش یافته. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1383; 4 (3) :318-318

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-268-fa.html


، m.oloumi@mail.urmia.ac.ir.
چکیده:   (14653 مشاهده)

مشاهده شده است که ناپیوستگی نواری در اتصال نیمه هادیها به صورت بحرانی به عوامل متعددی وابسته است. با استفاده از روش شبه پتانسیل ابتدا به ساکن در موارد ابرشبکه کرنش یافته InGa As / Ga As توانستیم وابستگی ناپیوستگیهای نواری (ظرفیت و رسانش) را بر حسب کرنش و ترکیب In در این سیستم تعیین نماییم. علاوه بر این, نشان داده ایم که ناپیوستگی نواری را می توان با معرفی یک لایه Ge در ناحیه فصل مشترک کنترل نمود.

متن کامل [PDF 175 kb]   (3023 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA code

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2019 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb