جلد 8، شماره 3 - ( 4-1387 )                   جلد 8 شماره 3 صفحات 119-128 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Poorbafrani A, Kameli P, Salamati H. Preparation and investigation of bulk and thin film samples of strontium ferrite. IJPR. 2008; 8 (3) :119-128
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-404-fa.html
پوربافرانی احمد، کاملی پرویز، سلامتی هادی. ساخت و بررسی نمونه‌های حجمی و لایه نازک فریت استرانسیوم. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1387; 8 (3) :119-128

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-404-fa.html


چکیده:   (21848 مشاهده)

  در این مقاله نمونه­های حجمی و لایه­های نازک فریت استرانسیوم مورد مطالعه قرار گرفته‌اند. بزرگ بودن مقاومت ویژه در فریت استرانسیوم، تلفات ناشی از جریانهای گردابی را کاهش داده و به همین جهت، می‌توان از آن در مدارهای مغناطیسی مخصوص فرکانسهای بزرگ، استفاده کرد. از طرف دیگر خاصیت مغناطیسی دائم فریت استرانسیوم نیز بسیار مورد توجه است. در ابتدا به فرآیند تهیه نمونه­های حجمی فریت استرانسیوم به روش حالت جامد می­پردازیم. برای به دست آوردن خواص مغناطیسی بهتر، در ساخت نمونه­ها از عامل استوکیومتری (n) یعنی نسبت / SrO 3 O 2 Fe به مقدار 25/5 استفاده شد. برای کنترل رشد دانه­ها در ساختار نمونه­ها از افزودنیهای CaO و 2 SiO استفاده کردیم. نمونه­ها به دو صورت همسانگرد و ناهمسانگرد تهیه شدند. برای تهیه نمونه­های ناهمسانگرد از میدان مغناطیسی حدود T 1 برای جهت دهی دانه­ها در حین پرس نمونه­ها، استفاده شده است. سپس به منظور بررسی و مقایسه خواص ساختاری و مغناطیسی نمونه­های همسانگرد و ناهمسانگرد از پراش پرتو x ، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و تحلیل EDAX و مغناطیس سنج استفاده شد. نتایج نشان می‌دهند که در اثر اعمال میدان، خواص ساختاری و مغناطیسی نمونه­های ناهمسانگرد به طور قابل ملاحظه، بهبود می­یابد که دلیل آن چرخش ذرات در اثر اعمال میدان، هنگام پرس کردن نمونه است. در مرحله بعد با استفاده از نمونه­های حجمی، لایه­های نازک فریت استرانسیوم را به روش تپش لیزری (PLD) تهیه کردیم. در تهیه لایه نازک از زیرلایه (111) Si استفاده شد. سپس بررسی ساختار لایه­ها را توسط پراش پرتو x ، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) و تحلیل EDAX انجام دادیم. این بررسیها روی نمونه­های مختلف نشان دادکه برای تشکیل فاز بلوری فریت استرانسیوم باید دمای زیرلایه بالاتر از ˚ C 800 انتخاب شود. شرایط بهینه برای ساخت لایه­های نازک فریت استرانسیوم، در دمای زیر لایه ˚C 840 و فشار اکسیژن mtorr 75 به دست آمد.

متن کامل [PDF 285 kb]   (2625 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2019 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb