نویسندگان
1 بخش فیزیک رادیولوژی و زیست مهندسی، شری کشمیر، هندوستان
2 مرکز علوم پزشکی، سرینیاگار، هندوستان
چکیده
رابطه ساده بین الکترونگاتیویتی اپتیکی، گاف انرژی، ضریب شکست و قطبش الکترونی برای نیمه هادی chalcopyrite سه گانه ارایه شده است. گاف انرژی از الکترونگاتیویتی اپتیکی برآورد شده و مقادیر ضریب شکست و قطبش الکترونی از گاف انرژی با در نظر گرفتن یک رابطه خطی بین آنها برآورد شده است. مقادیر محاسبه شده در توافق قابل قبولی با نتایج تجربی وپژوهش‌های پیشین است. بررسی حاضر نشان دهنده اهمیت رابطه بین این پارامترها می‌باشد
کلیدواژه‌ها
عنوان مقاله [English]
A study of energy gap, refractive index and electronic polarizability of ternary chalcopyrite semiconductors
نویسندگان [English]
- A Ahmad 1
- M Mohib-ul Haq 2
1
2
چکیده [English]
A simple relation between the optical electronegativity, energy gap, refractive index and electronic polarizability is given for ternary chalcopyrite semiconductors. Energy gap has been evaluated from the optical electronegativity whereas refractive index and electronic polarizability values have been evaluated from the energy gap by proposing a linear relation between them. The calculated values are in fair agreement with the experimental values and earlier researchers. This work highlights the significance of interrelation between these parameters.
کلیدواژه‌ها [English]
- semiconductors
- electronegativity
- energy gap
- refractive index and electronic polarizability
1. N M Ravindra, “NJIT International memorandum, application specific coaling technology”, New Jersey Institute of Technology (2005).
2. F M Tong, M Nuggehalli Ravindra, and W F Kosonocky, Opt. Eng. 36 (1997) 549.
3. N M Ravinder, P Ganapathy, and J choi, Infrared Phys. Tech. 50 (2007) 21.
4. J L Shay and J H Wernik, “Electronic properties and applications”, Pergamon press, New York (1975).
5. L L Kazmerski, Nuova Cimento 20 (1983) 2013.
6. S K Deab, A Zunger, Res. Soc. Conf. Proc. (1987) 37.
7. R R Reddy, Y NazeerAhmad, K Rama Gopal, P Abdul Azeem, T V R Rao, and P Mallikarjuma Reddy, Opt. Materials 14 (2000) 355.
8. R R Reddy et al., Opt. Materials 22 (2003) 7.
9. S K Goria and P Mehta, Ind. J. Phys. 84 (2010) 587.
10. V Kumar and J K Singh, Ind. Pure Appl. Phys. 48 (2010) 571.
11. R R Reddy et al., J. Alloys Comp. 473 (2009) 28.
12. A S Verma and S R Bhardwaj, Phys. Stat. Sol. 243 (2006) 2858.
13. D S Chemla, P J Kupecek, D S Robertson, and R S Smith, Opt. Comm. 3 (1971) 29.
14. N A Goryunova, L B Zlatkin, and E K Ivanov, J. Phys. Chem. Solids 31 (1970) 2557.
15. D S Chemla, Phys. Rev. Lett. 26 (1971) 827.
16. V Kumar, G M Prasad, and D Chandra, Ind. J. pure App. phys. 32 (1994) 272.
17. V Kumar, J. Phys. Chem. Solids 48 (1987) 827.
18. V Kumar, G M Prasad, and D Chandra, J. Phys. Chem. Solids, 57 (1996) 503.
19. V Gupta and V K Shrivatava, J. Phys. Chem. Solids, 42 (1981) 1079.
20. R R Reddy, M Ravi Kumar, and T V R Rao, Infrared Phys. 34 (1993) 99.
21. R R Reddy, Y Nazeer Ahmad, K Rama Gopal, and T V R Rao, Infrared Phys. Tech. 39 (1998) 55.
22. B P Singh, V S Beghel, and K S Beghel, Ind. J. Pure Appl. Phys. 47 (2009) 793.
23. J C Phillips, Phys. Rev. Lett. 19 (1967) 415.
24. J C Phillips, Phys. Rev. 166 (1968) 832.
25. J C Phillips, Rev. Mod. Phys. 42 (1970) 311.
26. J C Phillips, “Bonds and Bands in semiconductors”, Academic Press, New York (1973).
27. J C Phillips, Phys. Rev. 168 (1986) 905.
28. J A Van Vechten, Phys. Rev. 182 (1969) 891.
29. J A Van Vechten, Phys. Rev. 187 (1969) 1007.
30. J D Jackson, “Classical electrodynamics”, Wiley Eastern, New Delhi (1998).
31. T S Moss, Phys. Stat. Sol. 131 (1985) 415; T S Moss, Proc. Phys. Soc. B 63 (1950) 167.
32. R R Reddy, S Anjaneyulu, Phys. Stat. Sol. 174 (1992) K91.
33. P Herve and K L Vandamme, J. Infrared Phys. 35 (1994) 609.
34. J A Duffy, J. Phys.C: Solid State Phys. 13 (1980) 2979.
35. R R Longman, “Bonding energy levels and bonds in organic solids”, England (1990).
36. Reddy, K Rama Gopal, K Narasimhulu, Opt. Matter 31 (2008) 209.
37. W A Harrison, “Electronic structure and properties of solids”, W H Freeman Co., San Fransisco (1980).
38. N V Joshi, “Photoconductivity”, Merida Veneznela, Marcel Dekker Inc., New York (1990).
39. C M Wolfe, N Holonyak, G E Stillman, “Physics properties of semiconductors”, Prentice Hall, New Jersey, (1989).
)