نویسندگان
دانشگاه صنعتی اصفهان
چکیده
در این مقاله با استفاده از رهیافت تابع گرین، ترابرد را در یک دیود تونل‌زنی تشدیدی دوقطبی را در نظریه میکروسکوپی بررسی نموده‌ایم. برای این منظور با در نظر گرفتن هامیلتونی قسمت‌های مختلف دستگاه فوتوولتایی p-i-n به تفصیل، تابع گرین تک‌ذره‌ای الکترون‌ها و حفره‌ها را در تقریب تنگابست محاسبه کرده و سپس با استفاده از این تابع گرین محاسبه شده، چگالی موضعی حالت‌ها و چگالی جریان را به دست آورده‌ایم. نتایج نشان‌دهنده یک رفتار غیراهمی بوده و بیانگر یک مقاومت منفی در دیودهای تشدیدی تونل زنی است. علاوه بر این نتایج نشان می‌دهند که وجود یک میدان الکتریکی طولی منجر به این می‌شود که چگالی محلی حالت‌ها متناسب با پتانسیل اعمال شده تغییر نماید. علاوه بر این وارد نمودن نقاط کوانتومی باعث می‌شود که مقاومت دیفرانسیلی منفی ناشی از پدیده تونل‌زنی تشدیدی در دستگاه مشاهده شود. از نتایج محاسبات بر روی این دیودها می‌توان در محاسبه جریان تاریک سلول‌های خورشیدی استفاده نمود.
کلیدواژه‌ها
عنوان مقاله [English]
Transport in quantum dots resonant tunneling diodes in non-interacting regime
نویسندگان [English]
- M T Asefpour
- P Sahebsara
چکیده [English]
In this paper, we used green's function approach in microscopic theory to investigate a resonant tunneling diode (RTD). We introduced the detailed Hamiltonian for each part of the photovoltaic p-i-n system, then by calculating the green's function components in tight-binding approximation, we calculate local density of states and current-voltage characteristic of the p-i-n structure. Our results show a non-Ohmic behavior and negative differential resistance in RTD. As a result of a longitudinal electric field, the local density of states varies by changing the applied potential. Moreover, we study the effect of changing the physical parameters on the current of the device. Entering quantum dots in the middle of device causes a negative differential resistance, which is a consequence of resonant tunneling phenomenon.
کلیدواژه‌ها [English]
- resonant tunnelling diode
- Green function
- quantum dots
- transport
- local density of states
)