نویسندگان
چکیده
بلورهای Cd0.96 Zn0.04Te به روش ترابری فاز بخار رشد داده شده اند. نتایج نشان دهنده رشد درختی شکل بلورهایی به بزرگی تا 3.5mm به این روش هستند. الگوهای پراشی پرتو X و پس پراکندگی لاوه نشان می دهند که شاخه های بلوری تک فاز هستند و راستای رشد دانه های بلوری به طور کتره ای حول امتداد جریان گاز حامل جهت گیری کرده است. اندازه گیریهای الکتریکی انجام شده به روش وندر پاو نشان می دهند که مقاومت الکتریکی بلورهای رشد داده شده در حدود 104 Ω و رسانندگی آنها نوع n است.
کلیدواژه‌ها
عنوان مقاله [English]
Growth of Cd0.96Zn0.04Te single crystals by vapor phase gas transport method
نویسندگان [English]
- S. H. Tabatabai Yazdi
- M. R. Alinejad
- N. Tajabor
چکیده [English]
Cd0.96Zn0.04Te crystals were grown using vapor phase gas transport method (VPGT). The results show that dendritic crystals with grain size up to 3.5 mm can be grown with this technique. X-ray diffraction and Laue back-reflection patterns show that dendritic crystals are single-phase, whose single crystal grains are randomly oriented with respect to the gas-transport axis. Electrical measurements, carried out using Van der Pauw method, show that the as-grown crystals have resistivity of about 104 Ω cm and n-type conductivity.
کلیدواژه‌ها [English]
- semiconductors
- crystal growth
- Cd0.96Zn0.04Te
- vapor phase gas transport
)