جلد 12، شماره 1 - ( مجله پژوهش فيزيك ايران، بهار 1391 )                   جلد 12 شماره 1 صفحات 85-89 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Bahari A. Investigation of (111) wafers and comparison with (100) substrates. IJPR. 2012; 12 (1) :85-89
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1002-fa.html
بهاری علی. بررسی ورقه‌های سیلیکونی (111) و مقایسه آن با زیر لایه‌های سیلیکونی (100). مجله پژوهش فيزيك ايران. 1391; 12 (1) :85-89

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1002-fa.html


دانشگاه مازندران ، a.bahari@umz.ac.ir
چکیده:   (7569 مشاهده)

  در نانو ترنزیستورهای دهه اخیر، Si(100) به عنوان یک زیرلایه یا بستر مناسب به کار می‌رود. مسائلی نظیر افزایش جریان تونلی و نشتی با کاهش اندازه قطعات الکترونیکی و بویژه ترانزیستورهای اثر میدانی سبب شده است تا امکان به‌کارگیری بیشتر آن مورد تردید قرار گیرد. به همین دلیل در کار حاضر تلاش شده است تا با انجام یک سری از آزمایشات و رشد فیلم‌های فرانازک بر روی هر دو زیرلایه Si(100) و Si(111) به بررسی نانوساختاری فیلم‌های مزبور پرداخته و امکان جایگزینی Si(100) با Si(111) مورد مطالعه قرار گیرد. نتایج به دست آمده در کار حاضر نشان می‌دهد که Si(111) با درگاه دی الکتریک‌های نیتریدی مناسب تر است.

متن کامل [PDF 347 kb]   (2454 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA code

ارسال پیام به نویسنده مسئول


کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2019 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb