جلد 12، شماره 4 - ( مجله پژوهش فيزيک ايران، زمستان 1391 )                   جلد 12 شماره 4 صفحات 323-330 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Eskandari F, Ranjbar M, Kameli P, Salamati H. The effect of laser irradiation on electrical and structural properties of ZnO thin films. IJPR. 2013; 12 (4) :323-330
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1226-fa.html
اسکندری فاطمه، رنجبر مهدی، کاملی پرویز، سلامتی هادی. بررسی تأثیر تابش لیزر بر خواص الکتریکی و ساختاری لایه‌های نازک ZnO. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1391; 12 (4) :323-330

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-1226-fa.html


دانشگاه صنعتی اصفهان
چکیده:   (9803 مشاهده)

  در این مقاله لایه‌‌ نازک ZnO به روش سل ‎ ژل بر روی زیرلایه شیشه ساخته شده است. لایه ‎ های اولیه ابتدا در دمای 100 و ˚C 240 خشک و سپس در دماهای 300 ، 400 و ˚C 500 پخت شده‌اند. اندازه ‎ گیری مقاومت دو نقطه ‎ ای نشان می ‎ دهد که مقاومت الکتریکی لایه ‎ های آماده شده، بسیار زیاد است. تابش پرتو لیزر اگزایمر KrF ( 248nm = λ ) با تعداد پالس 1000 ، فرکانس 1Hz و انرژی 90mJ/cm2 بر سطح لایه باعث کاهش مقاومت الکتریکی لایه می‌شود. طیف پراش پرتو ایکس ( XRD ) بهبود ساختار هگزاگونال ورتسایت لایه را تأیید می‌کند، و آنالیز AFM و FE-SEM شکل ‎ گیری منظم و دایروی دانه ‎ ها بر سطح لایه را نشان داد. اندازه ذرات بعد از تابش لیزر از 10nm ~ به 30nm ~ افزایش پیدا می‌کند. به طور کلی، نشان داده شده است که، ویژگی ‎ های ساختاری، الکتریکی و مورفولوژی لایه ‎ ها با تابش لیزر به طور قابل ملاحظه ‎ ای بهبود می ‎ یابد.

متن کامل [PDF 974 kb]   (2261 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2019 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb