جلد 2، شماره 3 - ( 3-1379 )                   جلد 2 شماره 3 صفحات 189-195 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

J. Sabbaghzadeh, S. Dadras, Z. Haghi. Design and construct of a tunable semiconductor laser. IJPR. 2000; 2 (3) :189-195
URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-15-fa.html
جمشید صباغزاده ، صدیقه دادرس ، زهرا حقی . طراحی و ساخت یک لیزر نیمه هادی کوک پذیر با پهنای خط کمتر از 0.003آنگستروم. مجله پژوهش فيزيك ايران. 1379; 2 (3) :189-195

URL: http://ijpr.iut.ac.ir/article-1-15-fa.html


چکیده:   (19921 مشاهده)

در این مقاله به شرح جزییات و نحوه طراحی یک لیزر نیمه هادی بسیار دقیق, با نور بازتابی از توری پراش جفت شده, می پردازیم. با توجه به اینکه بسامدهای نور بازتابی در زاویه های مختلف پراشیده می شوند, تنها یکی از بسامدهای برگشتی قادر به تشدید در داخل کاواک خواهد بود. این عمل باعث تیز شدن بسامد نور خروجی لیزر و پایداری بسامد آن می شود. از آنجا که این دستگاه کاربردهای فراوانی در طیف نمایی, اندازه گیری چگالی گازها و آلودگی هوا, بررسی ساختار اتمی و مولکولی و ... دارد, لذا سعی بر این بوده است تا طرح ارایه شده از سادگی و دقت بالا برخوردار باشد. این طرح برای اولین بار در ایران انجام شده است و کیفیت دستگاه با اندازه گیری ساختار ریز اتم روبیدیم آزمایش شده است که نتایج آن در اینجا ارایه می گردد.

واژه‌های کلیدی: لیزر، نیمه هادی، کوک پذیر
متن کامل [PDF 495 kb]   (3118 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به مجله پژوهش فیزیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2019 All Rights Reserved | Iranian Journal of Physics Research

Designed & Developed by : Yektaweb